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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
STD60NF3LLT4	-	RFQ	1844年	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD60N			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							30 V	60a（TC）	4.5V，10V	9.5Mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±16V	2210 PF @ 25 V	-	100W（TC）
STF16N65M2	2.5300	RFQ	5089	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF16			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							650 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	19.5 NC @ 10 V	±25V	718 PF @ 100 V	-	25W（TC）
STPS10L40CT	1.6000	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	STPS10			肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	40 V	5a	530 mv @ 5 a		200 µA @ 40 V	150°C （最大）
STW32N65M5	9.6200	RFQ	506	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW32N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							650 v	24A（TC）	10V	119mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±25V	3320 PF @ 100 V	-	150W（TC）
stps10l40cg-tr	1.6400	RFQ	1982	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STPS10			肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	40 V	5a	530 mv @ 5 a		200 µA @ 40 V	150°C （最大）
STPS60170CT	3.3400	RFQ	9	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3	STPS60170			肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4828-5	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	170 v	30a	940 mv @ 30 a		35 µA @ 170 V	175°c （最大）
STP8NM60FP	-	RFQ	7991	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STP8N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							650 v	8A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±30V	400 pf @ 25 V	-	30W（TC）
T1625T-8I	2.1600	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	T1625					TO-220AB绝缘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				35 MA															标准	800 v	16 a	1.3 v	120a，126a	25 ma
STW74NF30	3.4335	RFQ	9069	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW74			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			n通道							300 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	164 NC @ 10 V	±20V	5930 PF @ 25 V	-	320W（TC）
stps2545cgy-tr	1.0709	RFQ	4754	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STPS2545			肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	45 v	12.5a	840 mv @ 25 A		125 µA @ 45 V	-40°C〜175°C
PD85006-E	-	RFQ	6587	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	40 V			Powerso-10裸露的底部垫	PD85006		870MHz	ldmos		10-Powerso	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				2a			200 MA	6W	17dB																	-																		13.6 v
SD1433	-	RFQ	4293	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M122	SD1433				58W	M122	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40									7db																												16V	2.5a								NPN		10 @ 1A，5V	-	-
STH140N8F7-2	3.2800	RFQ	5646	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH140			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							80 V	90A（TC）	10V	4mohm @ 45a，10v	4.5V @ 250µA	96 NC @ 10 V	±20V	6340 pf @ 40 V	-	200W（TC）
BF259	-	RFQ	7249	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	BF259				5 w	到39	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																																					300 v	100 ma							50NA（iCBO）	NPN	1V @ 6mA，30mA	25 @ 30mA，10v	90MHz
Ste50de100	-	RFQ	1946年	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste50				400 w	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100																																					1000 v	50 a							-	npn-发射器切换双极	-	-	-
Bul743	2.1900	RFQ	9051	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Bul743				100 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																					500 v	12 a							250µA	NPN	1.5V @ 2.5a，10a	24 @ 2a，3v	-
SD3931-10	70.7850	RFQ	6616	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	250 v			M174	SD3931		150MHz	MOSFET		M174	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道			10a			250 MA	175W	21.3db																	-																		100 v
TIP120	0.8300	RFQ	7898	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP120				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																					60 V	5 a							500µA	npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
Stp3HNK90Z	-	RFQ	4589	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	Stp3HN			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							800 v	3A（TC）	10V	4.2OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	35 NC @ 10 V	±30V	690 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STO52N60DM6	4.5000	RFQ	4980	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	Sto52			MOSFET （金属 o化物）		HV）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STO52N60DM6	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道							600 v	45A（TC）	10V	78mohm @ 22.5a，10v	4.75V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	2468 PF @ 100 V	-	305W（TC）
STP150NF04	3.0400	RFQ	810	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP150			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							40 V	80A（TC）	10V	7mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	3650 pf @ 25 V	-	300W（TC）
STH110N10F7-2	3.5100	RFQ	90	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH110			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							100 v	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	150W（TC）
RF5L15120CB4	163.3500	RFQ	3024	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	95 v		底盘安装	LBB	RF5L15120		1.5GHz	ldmos		LBB	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-RF5L15120CB4TR			100				1µA			100 ma	120W	20dB																	-																		50 V
stth2l06	0.8200	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	（CT）	积极的			通过洞	do-204al，do-41，轴向	stth2			标准		do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										600 v		1.3 V @ 2 A	85 ns	2 µA @ 600 V	175°c （最大）	2a	-
STD9HN65M2	-	RFQ	6351	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD9H			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							650 v	5.5A（TC）	10V	820MOHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	11.5 NC @ 10 V	±25V	325 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STPS640CBY-TR	0.8600	RFQ	1	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STPS640			肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									1对普通阴极	40 V	3a	630 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-40°C〜150°C
stth1r06u	0.5500	RFQ	6	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB	stth1			标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										600 v		1.7 V @ 1 A	45 ns	1 µA @ 600 V	175°c （最大）	1a	-
STP9N80K5	1.4205	RFQ	7504	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP9N80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							800 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	340 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STB11NM80T4	7.9400	RFQ	2228	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB11			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							800 v	11A（TC）	10V	400MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	43.6 NC @ 10 V	±30V	1630 PF @ 25 V	-	150W（TC）
STGWA30N120KD	-	RFQ	2201	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA30	标准			220 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						960V，20a，10ohm，15V																									84 ns					-	1200 v	60 a	100 a	3.85V @ 15V，20A	2.4MJ（在）上，4.3MJ（4.3MJ）	105 NC	36NS/251NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²