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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STL70N10F3	-	RFQ	7814	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL70	MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					100 v	82A（TC）	10V	8.4mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	136W（TC）
STF20N65M5	3.2600	RFQ	3843	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF20	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					650 v	18A（TC）	10V	190mohm @ 9a，10v	5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±25V	1345 PF @ 100 V	-	30W（TC）
STB25NM50N-1	-	RFQ	6820	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STB25N	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					500 v	22a（TC）	10V	140mohm @ 11a，10v	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±25V	2565 PF @ 25 V	-	160W（TC）
2n2369a	-	RFQ	6750	Stmicroelectronics	-	管子	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		2N23		360兆w	TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-3107-5	Ear99	8541.21.0075	1,000																															15 v	200 ma	400NA	NPN	500mv @ 10mA，100mA	40 @ 10mA，1V	675MHz
ST13005	1.1200	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ST13005		75 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																															400 v	4 a	1ma	NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	-
BCY59X	-	RFQ	8747	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3		BCY59		390兆	TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1,000																															45 v	200 ma	10NA	NPN	700mv @ 2.5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	200MHz
stipns2m50-h	11.9100	RFQ	99	Stmicroelectronics	Sllimm™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	26-Powersmd模块，鸥翼	MOSFET	stipns2				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	400	3相逆变器				2 a	500 v	1000vrms
SCT30N120H	24.5100	RFQ	4446	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 200°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SCT30	sicfet （碳化硅）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					1200 v	40a（TC）	20V	100mohm @ 20a，20v	3.5V @ 1mA	105 NC @ 20 V	+25V，-10V	1700 PF @ 400 V	-	270W（TC）
STL9N60M2	1.7400	RFQ	1274	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL9	MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14970-2	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					600 v	4.8A（TC）	10V	860MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±25V	320 pf @ 100 V	-	48W（TC）
stth3006dpi	6.6200	RFQ	3578	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	dop3i-2 绝缘（直线）		Stth3006	标准		dop3i	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v	3.6 V @ 30 A	45 ns	40 µA @ 600 V	150°C （最大）	30a	-
T1610H-6T	1.4800	RFQ	650	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		T1610			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13996-5	Ear99	8541.30.0080	50	单身的			15 ma														逻辑 -敏感门	600 v	16 a	1.3 v	160a，168a	10 MA
ACST1210-7G	2.2200	RFQ	1	Stmicroelectronics	ACS™/ASD®	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		ACST1210			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的			30 ma														逻辑 -敏感门	700 v	12 a	1 V	120a，126a	10 MA
STI90N4F3	-	RFQ	3513	Stmicroelectronics	StripFet™III	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STI9	MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	80A（TC）	10V	6.5MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STN1NK80Z	1.2600	RFQ	6011	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		STN1NK80	MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道					800 v	250mA（tc）	10V	16ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	7.7 NC @ 10 V	±30V	160 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
STP12NM50FP	4.6000	RFQ	3242	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STP12	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	12A（TC）	10V	350MOHM @ 6A，10V	5V @ 50µA	39 NC @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	35W（TC）
stth506b	-	RFQ	6970	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		Stth506	标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	75		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v	1.85 V @ 5 A	50 ns	5 µA @ 600 V	175°c （最大）	5a	-
std95p3llh6ag	2.4600	RFQ	4152	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD95	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					30 V	80A（TC）	4.5V，10V	6.9MOHM @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±18V	6250 pf @ 25 V	-	104W（TC）
STB55NF03LT4	1.5800	RFQ	487	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB55N	MOSFET （金属 o化物）		D²Pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					30 V	55A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 27.5a，10v	1V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±16V	1265 PF @ 25 V	-	80W（TC）
BAT54WFILMY	0.4900	RFQ	2	Stmicroelectronics	Q汽车	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323		BAT54	肖特基		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12133-2	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						40 V	900 mv @ 100 ma	5 ns	1 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	300mA	10pf @ 1V，1MHz
stth802b-tr	1.3300	RFQ	7	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		stth802	标准		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						200 v	1.05 V @ 8 A	30 ns	6 µA @ 200 V	175°c （最大）	8a	-
STPSA42	-	RFQ	9749	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		STPSA42		625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,500																															300 v	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
stta212s	-	RFQ	9138	Stmicroelectronics	TurboSwitch™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	DO-214AB，SMC		STTA212	标准		SMC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1200 v	1.65 V @ 2 A	115 ns	20 µA @ 1200 V	125°c （最大）	2a	-
STP40N20	-	RFQ	3004	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP40N	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4380-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					200 v	40a（TC）	10V	45mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 25 V	-	160W（TC）
STW26NM60	-	RFQ	1868年	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW26N	MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道					600 v	30A（TC）	10V	135mohm @ 13a，10v	5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±30V	2900 PF @ 25 V	-	313W（TC）
STD11N60M6	0.8369	RFQ	9012	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD11	MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD11N60M6	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					600 v	8A（TC）	10V	520MOHM @ 4A，10V	4.75V @ 250µA	10.3 NC @ 10 V	±25V	387 PF @ 100 V	-	90W（TC）
STD5N60M2	1.6600	RFQ	4139	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD5	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					600 v	3.5A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±25V	211 PF @ 100 V	-	45W（TC）
STL3NK40	2.8000	RFQ	6373	Stmicroelectronics	SuperMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL3NK40	MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x5）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					400 v	430ma（tc）	10V	5.5OHM @ 220mA，10V	2V @ 50µA	13 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	2.5W（TC）
stth806d	2.3900	RFQ	4	Stmicroelectronics	-	管子	上次购买		通过洞	TO-220-2		stth806	标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v	1.85 V @ 8 A	55 ns	8 µA @ 600 V	175°c （最大）	8a	-
STH110N8F7-2	-	RFQ	2457	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STH110	MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					80 V	110A（TC）	10V	6.6mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	170W（TC）
T3050H-6T	2.3000	RFQ	985	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		T3050			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			75 MA														替代者 -无用	600 v	30 a	1 V	270a，284a	50 mA

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²