SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
STD30N6LF6AG STMicroelectronics STD30N6LF6AG 1.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,StripFet™F6 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD30 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 24A(TC) 4.5V,10V 25mohm @ 12a,10v 2.5V @ 250µA 26 NC @ 10 V ±20V 1320 pf @ 25 V - 40W(TC)
STPS3045CT STMicroelectronics STPS3045CT 1.3200
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 STPS3045 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 570 mv @ 15 A 200 µA @ 45 V 200°C (最大)
STPS40L40CW STMicroelectronics STPS40L40CW -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 STPS40 肖特基 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 530 mv @ 20 a 800 µA @ 40 V 150°C (最大)
STW20NM50 STMicroelectronics STW20NM50 -
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 stw20n MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 550 v 20A(TC) 10V 250mohm @ 10a,10v 5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±30V 1480 pf @ 25 V - 214W(TC)
STD40P3LLH6 STMicroelectronics STD40P3LLH6 -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™H6 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD40 MOSFET (金属 o化物) DPAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 40a(TC) 4.5V,10V 15mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 24 NC @ 4.5 V ±20V 2615 PF @ 25 V - 60W(TC)
STPS40M120CT STMicroelectronics STPS40M120CT 3.2200
RFQ
ECAD 935 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-3 STPS40 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 20a 790 mv @ 20 a 370 µA @ 120 V 150°C (最大)
STL9N65M2 STMicroelectronics STL9N65M2 1.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 - STL9 - - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 - 4.5A(TC) - - - - - -
STPS20M60CG-TR STMicroelectronics STPS20M60CG-TR -
RFQ
ECAD 1973 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STPS20 肖特基 D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 570 mv @ 10 A 65 µA @ 60 V 150°C (最大)
BUXD87T4 STMicroelectronics BUXD87T4 1.2700
RFQ
ECAD 359 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 buxd87 20 w DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 450 v 500 MA - NPN 1V @ 20mA,200mA 12 @ 40mA,5V 20MHz
STTH302RL STMicroelectronics stth302rl 0.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 Stth302 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,900 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 mv @ 3 a 35 ns 3 µA @ 200 V 175°c (最大) 3a -
STTH4L06RL STMicroelectronics stth4l06rl -
RFQ
ECAD 6374 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 stth4l06 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,900 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 3 A 75 ns 3 µA @ 600 V 175°c (最大) 4a -
STGW20NC60V STMicroelectronics STGW20NC60V -
RFQ
ECAD 600 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW20 标准 200 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 390V,20a,3.3孔,15V - 600 v 60 a 100 a 2.5V @ 15V,20A (220µJ)(在330µJ上) 100 NC 31ns/100ns
STPS30M100SR STMicroelectronics STPS30M100SR 2.6300
RFQ
ECAD 795 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS30 肖特基 i2pak 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 800 mv @ 30 a 175 µA @ 100 V 150°C (最大) 30a -
STP20NK50Z STMicroelectronics STP20NK50Z 6.2200
RFQ
ECAD 4291 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 积极的 -50°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP20 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 17a(TC) 10V 270MOHM @ 8.5A,10V 4.5V @ 100µA 119 NC @ 10 V ±30V 2600 PF @ 25 V - 190w(TC)
STF10P6F6 STMicroelectronics STF10P6F6 -
RFQ
ECAD 6010 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF10P MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 60 V 10A(TC) 10V 160MOHM @ 5A,10V 4V @ 250µA 6.4 NC @ 10 V ±20V 340 pf @ 48 V - 20W(TC)
STTH212 STMicroelectronics stth212 -
RFQ
ECAD 2949 0.00000000 Stmicroelectronics - (CT) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 stth21 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.75 V @ 2 A 75 ns 10 µA @ 1200 V 175°c (最大) 2a -
STD12NF06LT4 STMicroelectronics STD12NF06LT4 -
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD12 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 12A(TC) 5V,10V 100mohm @ 6a,10v 2V @ 250µA 10 NC @ 5 V ±16V 350 pf @ 25 V - 42.8W(TC)
STI30N65M5 STMicroelectronics STI30N65M5 6.4400
RFQ
ECAD 993 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STI30N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 22a(TC) 10V 139mohm @ 11a,10v 5V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±25V 2880 pf @ 100 V - 140W(TC)
STP140NF55 STMicroelectronics STP140NF55 2.7900
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP140 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 80A(TC) 10V 8mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 142 NC @ 10 V ±20V 5300 PF @ 25 V - 300W(TC)
TMBAT49FILM STMicroelectronics TMBAT49FILM 0.5600
RFQ
ECAD 660 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-213ab,Melf TMBAT49 肖特基 梅尔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 420 mv @ 100 ma 200 µA @ 80 V -65°C〜125°C 500mA 120pf @ 0v,1MHz
STTH806DTI STMicroelectronics stth806dti 4.1600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2绝缘,TO-220AC stth806 标准 TO-220AC INS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 3.6 V @ 8 A 30 ns 10 µA @ 600 V 175°c (最大) 8a -
BTB16-600BWRG STMicroelectronics BTB16-600BWRG 1.8800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTB16 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 16 a 1.3 v 160a,168a 50 mA
STTH30R04PI STMicroelectronics stth30r04pi -
RFQ
ECAD 1640年 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 dop3i-2 绝缘(直线) stth30 标准 dop3i 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.45 V @ 30 A 100 ns 15 µA @ 400 V -40°C〜175°C 30a -
TN1215-600B STMicroelectronics TN1215-600B 1.8100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TN1215 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 75 40 MA 600 v 12 a 1.3 v 110a,115a 15 ma 1.6 v 8 a 5 µA 标准恢复
2STR2160 STMicroelectronics 2STR2160 0.5100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 2STR2160 500兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 480mv @ 100mA,1a 180 @ 500mA,2V -
SD1274-01 STMicroelectronics SD1274-01 -
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Stmicroelectronics - 盒子 过时的 - 表面安装 M113 SD1274 70W M113 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 10dB 16V 8a NPN 20 @ 250mA,5V - -
STGP15M65DF2 STMicroelectronics STGP15M65DF2 2.3600
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STGP15 标准 136 w TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,15a,12ohm,15V 142 ns 沟渠场停止 650 v 30 a 60 a 2V @ 15V,15a (90µJ)(在),450µJ(450µJ)中 45 NC 24ns/93ns
STPSC12C065DY STMicroelectronics STPSC12C065DY 4.2600
RFQ
ECAD 154 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,Ecopack®2 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 STPSC12 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.75 V @ 12 A 120 µA @ 650 V -40°C〜175°C 12a 530pf @ 0v,1MHz
STB200NF04L-1 STMicroelectronics STB200NF04L-1 -
RFQ
ECAD 3166 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STB200N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-6190-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 120A(TC) 5V,10V 3.8mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 90 NC @ 4.5 V ±16V 6400 PF @ 25 V - 300W(TC)
STTH20L03CT STMicroelectronics stth20l03ct 1.9900
RFQ
ECAD 2429 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 stth20 标准 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 300 v 10a 1.2 V @ 10 A 26 NS 10 µA @ 300 V -40°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库