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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | (ih)(IH)) | 测试条件 | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 噪音图 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGIPS14K60 | - | ![]() | 6440 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块( 0.993英寸,25.23毫米) | IGBT | STGIPS14 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-10572-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 11 | 3期 | 12 a | 600 v | 2500VDC | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN4050HP-12WY | 5.6300 | ![]() | 235 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | TN4050 | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-TN4050HP-12WY | Ear99 | 8541.30.0080 | 30 | 100 ma | 1.2 kV | 40 a | 1.3 v | 400a,440a | 50 mA | 1.55 v | 25 a | 5 µA | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5821RL | - | ![]() | 5608 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 1N58 | 肖特基 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,900 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 30 V | 500 mv @ 3 a | 2 ma @ 30 V | 150°C (最大) | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Str1550 | 0.5500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | Str1550 | 500兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 500 v | 500 MA | 10µA(ICBO) | NPN | 300mv @ 6mA,50mA | 100 @ 50mA,10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI18NM60N | - | ![]() | 5660 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STI18N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 13A(TC) | 10V | 285mohm @ 6.5a,10v | 4V @ 250µA | 35 NC @ 10 V | ±25V | 1000 pf @ 50 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD54008L-E | 5.4450 | ![]() | 9129 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 25 v | 8-Powervdfn | PD54008 | 500MHz | ldmos | PowerFlat™(5x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 5a | 200 ma | 8W | 15DB | - | 7.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL287N4F7AG | - | ![]() | 8206 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | * | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | STL287 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF10NM50N | 2.3000 | ![]() | 792 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF10N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 7A(TC) | 10V | 630MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 450 pf @ 50 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP7N90K5 | 2.8300 | ![]() | 8260 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™K5 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP7 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-17078 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 900 v | 7A(TC) | 10V | 810MOHM @ 4A,10V | 5V @ 100µA | 17.7 NC @ 10 V | ±30V | 425 pf @ 10 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BU807 | - | ![]() | 1433 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU807 | 60 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | BU807st | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 150 v | 8 a | 100µA | npn-达灵顿 | 1.5V @ 50mA,5a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB35N65DM2 | 6.9000 | ![]() | 8700 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB35 | MOSFET (金属 o化物) | D²Pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 650 v | 28a(TC) | 10V | 110mohm @ 14a,10v | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±25V | 2400 PF @ 100 V | - | 210W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI360N4F6 | - | ![]() | 1417 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101,Deepgate™,StripFet™VI | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STI360N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak((TO-262) | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 120A(TC) | 10V | 1.8mohm @ 60a,10v | 4.5V @ 250µA | 340 NC @ 10 V | ±20V | 17930 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS12NF30L | - | ![]() | 5793 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | STS12 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 12A(TC) | 4.5V,10V | 9mohm @ 6a,10v | 1V @ 250µA | 50 NC @ 4.5 V | ±16V | 2400 PF @ 25 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T635T-8FP | 1.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 上次购买 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | T635 | TO-220FPAB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 40 MA | 替代者 -无用 | 800 v | 6 a | 1.3 v | 45a,47a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N1613 | - | ![]() | 1760年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 2N16 | 800兆 | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 500 | 50 V | 500 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 15mA,150mA | 40 @ 150mA,10v | 80MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD3NK50Z-1 | 0.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | STD3N | MOSFET (金属 o化物) | 我帕克 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 500 v | 2.3a(TC) | 10V | 3.3OHM @ 1.15a,10V | 4.5V @ 50µA | 15 NC @ 10 V | ±30V | 280 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB43N60DM2 | 3.4205 | ![]() | 2825 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™DM2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB43 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 34A(TC) | 10V | 93mohm @ 17a,10v | 5V @ 250µA | 56 NC @ 10 V | ±25V | 2500 PF @ 100 V | - | 250W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD55025S-E | 29.6600 | ![]() | 8338 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 40 V | Powerso-10裸露的底部垫 | PD55025 | 500MHz | ldmos | Powerso-10rf (直线直线) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 7a | 200 ma | 25W | 14.5db | - | 12.5 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI90N4F3 | - | ![]() | 3513 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STI9 | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 10V | 6.5MOHM @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth152rl | - | ![]() | 3824 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204ac,do-15,轴向 | Stth152 | 标准 | do-15 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 1.5 A | 32 ns | 1.5 µA @ 200 V | 175°c (最大) | 1.5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGW40V60DF | 4.2900 | ![]() | 9469 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STGW40 | 标准 | 283 w | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-13766-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,40a,10ohm,15V | 41 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 80 a | 160 a | 2.3V @ 15V,40a | (456µJ)(在411µJ上) | 226 NC | 52NS/208NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S2000AF | - | ![]() | 7906 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | S2000 | 50 W | to-3pf | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 700 v | 8 a | 200µA | NPN | 5V @ 1A,4.5A | 4.5 @ 4.5A,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP8NK85Z | - | ![]() | 9098 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP8N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 850 v | 6.7A(TC) | 10V | 1.4OHM @ 3.35a,10V | 4.5V @ 100µA | 60 NC @ 10 V | ±30V | 1870 pf @ 25 V | - | 150W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STAC0912-250 | - | ![]() | 3674 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 80 V | 底盘安装 | STAC265B | STAC0912 | 960MHz〜1.215GHz | ldmos | STAC265B | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 90 | 2µA | 285W | 16.3db | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA24-600CW | - | ![]() | 1578年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BTA24 | TO-220 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 250 | 单身的 | 50 mA | 替代者 -无用 | 600 v | 25 a | 1.3 v | 250a,260a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T3035H-8T | 2.4600 | ![]() | 977 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | T3035 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 60 ma | 替代者 -无用 | 800 v | 30 a | 1.3 v | 283a,270a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP50NE10 | - | ![]() | 8645 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP50N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-2644-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 50A(TC) | 10V | 27mohm @ 25a,10v | 4V @ 250µA | 166 NC @ 10 V | ±20V | 6000 pf @ 25 V | - | 180W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bul1102e | 1.5200 | ![]() | 70 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | Bul1102 | 70 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 450 v | 4 a | 100µA | NPN | 1.5V @ 400mA,2a | 12 @ 2a,5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTB16-800BWRG | 2.0200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BTB16 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 50 mA | 替代者 -无用 | 800 v | 16 a | 1.3 v | 160a,168a | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SPV1002T40 | - | ![]() | 9985 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | SPV1002 | 标准 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | - | 40 V | 180 mv @ 16 a | 1 µA @ 40 V | -45°C 〜175°C | 16a | - |
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