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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 当前的 电压 电压 -隔离 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STGIPS14K60 STMicroelectronics STGIPS14K60 -
RFQ
ECAD 6440 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm™ 管子 过时的 通过洞 25-PowerDip 模块( 0.993英寸,25.23毫米) IGBT STGIPS14 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-10572-5 Ear99 8541.29.0095 11 3期 12 a 600 v 2500VDC
TN4050HP-12WY STMicroelectronics TN4050HP-12WY 5.6300
RFQ
ECAD 235 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 TN4050 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-TN4050HP-12WY Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.2 kV 40 a 1.3 v 400a,440a 50 mA 1.55 v 25 a 5 µA 标准恢复
1N5821RL STMicroelectronics 1N5821RL -
RFQ
ECAD 5608 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N58 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,900 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 500 mv @ 3 a 2 ma @ 30 V 150°C (最大) 3a -
STR1550 STMicroelectronics Str1550 0.5500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 Str1550 500兆 SOT-23 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 500 v 500 MA 10µA(ICBO) NPN 300mv @ 6mA,50mA 100 @ 50mA,10V -
STI18NM60N STMicroelectronics STI18NM60N -
RFQ
ECAD 5660 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STI18N MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 13A(TC) 10V 285mohm @ 6.5a,10v 4V @ 250µA 35 NC @ 10 V ±25V 1000 pf @ 50 V - 110W(TC)
PD54008L-E STMicroelectronics PD54008L-E 5.4450
RFQ
ECAD 9129 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 25 v 8-Powervdfn PD54008 500MHz ldmos PowerFlat™(5x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 5a 200 ma 8W 15DB - 7.5 v
STL287N4F7AG STMicroelectronics STL287N4F7AG -
RFQ
ECAD 8206 0.00000000 Stmicroelectronics * 胶带和卷轴((tr) 积极的 STL287 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 0000.00.0000 3,000
STF10NM50N STMicroelectronics STF10NM50N 2.3000
RFQ
ECAD 792 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF10N MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 7A(TC) 10V 630MOHM @ 3.5A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 450 pf @ 50 V - 25W(TC)
STP7N90K5 STMicroelectronics STP7N90K5 2.8300
RFQ
ECAD 8260 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP7 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17078 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 7A(TC) 10V 810MOHM @ 4A,10V 5V @ 100µA 17.7 NC @ 10 V ±30V 425 pf @ 10 V - 110W(TC)
BU807 STMicroelectronics BU807 -
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BU807 60 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 BU807st Ear99 8541.29.0095 1,000 150 v 8 a 100µA npn-达灵顿 1.5V @ 50mA,5a - -
STB35N65DM2 STMicroelectronics STB35N65DM2 6.9000
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB35 MOSFET (金属 o化物) D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 650 v 28a(TC) 10V 110mohm @ 14a,10v 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±25V 2400 PF @ 100 V - 210W(TC)
STI360N4F6 STMicroelectronics STI360N4F6 -
RFQ
ECAD 1417 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,Deepgate™,StripFet™VI 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STI360N MOSFET (金属 o化物) i2pak((TO-262) 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 120A(TC) 10V 1.8mohm @ 60a,10v 4.5V @ 250µA 340 NC @ 10 V ±20V 17930 PF @ 25 V - 300W(TC)
STS12NF30L STMicroelectronics STS12NF30L -
RFQ
ECAD 5793 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) STS12 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 12A(TC) 4.5V,10V 9mohm @ 6a,10v 1V @ 250µA 50 NC @ 4.5 V ±16V 2400 PF @ 25 V - 2.5W(TA)
T635T-8FP STMicroelectronics T635T-8FP 1.5300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 上次购买 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 T635 TO-220FPAB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 40 MA 替代者 -无用 800 v 6 a 1.3 v 45a,47a 35 MA
2N1613 STMicroelectronics 2N1613 -
RFQ
ECAD 1760年 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N16 800兆 到39 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 500 50 V 500 MA 10NA(ICBO) NPN 1.5V @ 15mA,150mA 40 @ 150mA,10v 80MHz
STD3NK50Z-1 STMicroelectronics STD3NK50Z-1 0.7400
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA STD3N MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 500 v 2.3a(TC) 10V 3.3OHM @ 1.15a,10V 4.5V @ 50µA 15 NC @ 10 V ±30V 280 pf @ 25 V - 45W(TC)
STB43N60DM2 STMicroelectronics STB43N60DM2 3.4205
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DM2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB43 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 34A(TC) 10V 93mohm @ 17a,10v 5V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±25V 2500 PF @ 100 V - 250W(TC)
PD55025S-E STMicroelectronics PD55025S-E 29.6600
RFQ
ECAD 8338 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 40 V Powerso-10裸露的底部垫 PD55025 500MHz ldmos Powerso-10rf (直线直线) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 7a 200 ma 25W 14.5db - 12.5 v
STI90N4F3 STMicroelectronics STI90N4F3 -
RFQ
ECAD 3513 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STI9 MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 80A(TC) 10V 6.5MOHM @ 40a,10v 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 110W(TC)
STTH152RL STMicroelectronics stth152rl -
RFQ
ECAD 3824 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204ac,do-15,轴向 Stth152 标准 do-15 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 950 MV @ 1.5 A 32 ns 1.5 µA @ 200 V 175°c (最大) 1.5a -
STGW40V60DF STMicroelectronics STGW40V60DF 4.2900
RFQ
ECAD 9469 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW40 标准 283 w TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13766-5 Ear99 8541.29.0095 30 400V,40a,10ohm,15V 41 ns 沟渠场停止 600 v 80 a 160 a 2.3V @ 15V,40a (456µJ)(在411µJ上) 226 NC 52NS/208NS
S2000AF STMicroelectronics S2000AF -
RFQ
ECAD 7906 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3 S2000 50 W to-3pf - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 700 v 8 a 200µA NPN 5V @ 1A,4.5A 4.5 @ 4.5A,5V -
STP8NK85Z STMicroelectronics STP8NK85Z -
RFQ
ECAD 9098 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP8N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 850 v 6.7A(TC) 10V 1.4OHM @ 3.35a,10V 4.5V @ 100µA 60 NC @ 10 V ±30V 1870 pf @ 25 V - 150W(TC)
STAC0912-250 STMicroelectronics STAC0912-250 -
RFQ
ECAD 3674 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 80 V 底盘安装 STAC265B STAC0912 960MHz〜1.215GHz ldmos STAC265B 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 90 2µA 285W 16.3db -
BTA24-600CW STMicroelectronics BTA24-600CW -
RFQ
ECAD 1578年 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTA24 TO-220 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 250 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 25 a 1.3 v 250a,260a 35 MA
T3035H-8T STMicroelectronics T3035H-8T 2.4600
RFQ
ECAD 977 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 T3035 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 60 ma 替代者 -无用 800 v 30 a 1.3 v 283a,270a 35 MA
STP50NE10 STMicroelectronics STP50NE10 -
RFQ
ECAD 8645 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP50N MOSFET (金属 o化物) TO-220 - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 497-2644-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 50A(TC) 10V 27mohm @ 25a,10v 4V @ 250µA 166 NC @ 10 V ±20V 6000 pf @ 25 V - 180W(TC)
BUL1102E STMicroelectronics Bul1102e 1.5200
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 Bul1102 70 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 450 v 4 a 100µA NPN 1.5V @ 400mA,2a 12 @ 2a,5v -
BTB16-800BWRG STMicroelectronics BTB16-800BWRG 2.0200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTB16 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 800 v 16 a 1.3 v 160a,168a 50 mA
SPV1002T40 STMicroelectronics SPV1002T40 -
RFQ
ECAD 9985 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 SPV1002 标准 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 - 40 V 180 mv @ 16 a 1 µA @ 40 V -45°C 〜175°C 16a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库