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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f
STPSC2H12B-TR1	-	RFQ	7368	Stmicroelectronics	Ecopack®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STPSC2	SIC （碳化硅）	DPAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）																											1200 v		1.5 V @ 2 A	0 ns	12 µA @ 1200 V	-40°C〜175°C	5a	190pf @ 0v，1MHz
STP8NS25	-	RFQ	1903年	Stmicroelectronics	网格覆盖™	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP8N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					250 v	8A（TC）	10V	450MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	51.8 NC @ 10 V	±20V	770 pf @ 25 V	-	80W（TC）
stth1002cg-tr	1.2300	RFQ	663	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		stth1002	标准	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										1对普通阴极	200 v	8a	1.1 V @ 5 A	25 ns	5 µA @ 200 V	175°c （最大）
1N5822	0.4500	RFQ	40	Stmicroelectronics	-	（CT）	积极的		通过洞	DO-201 AD，轴向		1N5822	肖特基	Do-201 AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	600		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											40 V		525 mv @ 3 a		2 ma @ 40 V	150°C （最大）	3a	-
STF6N62K3	2.2000	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF6	MOSFET （金属 o化物）	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					620 v	5.5A（TC）	10V	1.28OHM @ 2.8A，10V	4.5V @ 50µA	34 NC @ 10 V	±30V	875 PF @ 50 V	-	30W（TC）
stta106u	-	RFQ	1408	Stmicroelectronics	TurboSwitch™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	DO-214AA，SMB		STTA106	标准	SMB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											600 v		1.75 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 600 V	125°c （最大）	1a	-
STY30NK90Z	-	RFQ	1562	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		Sty30n	MOSFET （金属 o化物）	Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4431-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道					900 v	26a（TC）	10V	260mohm @ 14a，10v	4.5V @ 150µA	490 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	450W（TC）
STPS120L15TV	22.1300	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		底盘安装	同位素		STPS120	肖特基	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										2独立	15 v	60a	430 mv @ 60 a		22 ma @ 12 V	-55°C〜150°C
STPS745FP	1.1900	RFQ	120	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包		STPS745	肖特基	TO-220FPAC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											45 v		840 mv @ 15 A		100 µA @ 45 V	175°c （最大）	7.5a	-
STO65N60DM6	6.9500	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn			MOSFET （金属 o化物）	HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STO65N60DM6TR	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道					600 v	46A（TC）	10V	76mohm @ 23a，10v	4.75V @ 250µA	65.2 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	320W（TC）
STP12NM50FD	-	RFQ	8434	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP12	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	12A（TC）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	1000 pf @ 25 V	-	160W（TC）
STPS10L60D	1.6500	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		STPS10	肖特基	TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											60 V		600 mv @ 10 a		350 µA @ 60 V	150°C （最大）	10a	-
STP9NK70Z	-	RFQ	8811	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP9N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					700 v	7.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 4A，10V	4.5V @ 100µA	68 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 25 V	-	115W（TC）
STP11N52K3	2.7800	RFQ	581	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP11N	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					525 v	10A（TC）	10V	510MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 50µA	51 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	125W（TC）
tyn1012trg	2.0800	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C	通过洞	TO-220-3		Tyn1012		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50				15 ma															1 kV	12 a	1.3 v	140a，145a	5 ma	1.6 v	8 a	5 µA	标准恢复
T1635-800G-Tr	2.6800	RFQ	11	Stmicroelectronics	Snubberless™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		T1635		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			35 MA														替代者 -无用	800 v	16 a	1.3 v	160a，168a	35 MA
STGIPS30C60T-H	-	RFQ	3067	Stmicroelectronics	Sllimm™	管子	过时的		通过洞	25-PowerDip 模块（ 0.993英寸，25.23毫米）	IGBT	STGIPS30			-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15131-5	Ear99	8541.29.0095	11	3期				30 a	600 v	2500vrms
STPS61L45CT	3.2400	RFQ	664	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3		STPS61	肖特基	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										1对普通阴极	45 v	30a	560 mv @ 30 a		1.5 ma @ 45 V	150°C （最大）
stth12s06fp	2.2800	RFQ	998	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2完整包，隔离选项卡		stth12	标准	TO-220FPAC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											600 v		3.4 V @ 12 A	21 ns	30 µA @ 600 V	175°c （最大）	12a	-
STPST12H100SF	0.9400	RFQ	7605	Stmicroelectronics	Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-277，3-PowerDfn		STPST12	肖特基	TO-277A（SMPC）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	6,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											100 v		710 MV @ 12 A		24 µA @ 100 V	175°C	12a	-
STPSC20065DI	6.4400	RFQ	739	Stmicroelectronics	Ecopack®2	管子	积极的		通过洞	TO-220-2绝缘，TO-220AC		STPSC20065	SIC （碳化硅）	TO-220AC INS	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		没有恢复t> 500mA（IO）																											650 v		1.45 V @ 20 A	0 ns	300 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	20a	1250pf @ 0v，1MHz
STP120N4F6	2.1100	RFQ	4942	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，Deepgate™，StripFet™VI	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP120	MOSFET （金属 o化物）	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					40 V	80A（TC）	10V	4.3mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	3850 pf @ 25 V	-	110W（TC）
STW30NM60N	-	RFQ	7975	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		stw30n	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道					600 v	25A（TC）	10V	130mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±30V	2700 PF @ 50 V	-	190w（TC）
STL11N3LLH6	1.4500	RFQ	3837	Stmicroelectronics	Deepgate™，diplfet™vi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL11	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					30 V	11A（TC）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 5.5A，10V	1V @ 250µA（250µA）	17 NC @ 4.5 V	±20V	1690 pf @ 24 V	-	2W（TA），50W（TC）
STTA506B	-	RFQ	3823	Stmicroelectronics	TurboSwitch™	管子	过时的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STTA506	标准	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											600 v		1.75 V @ 5 A	50 ns	100 µA @ 600 V	150°C （最大）	5a	-
STW75N60M6-4	13.7100	RFQ	6300	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		STW75	MOSFET （金属 o化物）	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18500	Ear99	8541.29.0095	600			n通道					600 v	72A（TC）	10V	36mohm @ 36a，10v	4.75V @ 250µA	106 NC @ 10 V	±25V	4850 PF @ 100 V	-	446W（TC）
STPS640CBY-TR	0.8600	RFQ	1	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STPS640	肖特基	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																										1对普通阴极	40 V	3a	630 mv @ 3 a		100 µA @ 40 V	-40°C〜150°C
stth806g-tr	2.3700	RFQ	745	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		stth806	标准	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											600 v		1.85 V @ 8 A	55 ns	8 µA @ 600 V	175°c （最大）	8a	-
STL22N60M6	1.5489	RFQ	4258	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL22	MOSFET （金属 o化物）	PowerFlat™（5x6）HV	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					600 v	10A（TC）	10V	250MOHM @ 5A，10V	4.75V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	57W（TC）
stth1r04u	0.5600	RFQ	449	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	DO-214AA，SMB		stth1	标准	SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											400 v		1.5 V @ 1 A	30 ns	5 µA @ 400 V	175°c （最大）	1a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²