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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
T835T-8I STMicroelectronics T835T-8I 1.0200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 T835 TO-220AB绝缘 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17748 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 40 MA 替代者 -无用 800 v 8 a 1.3 v 60a,63a 35 MA
STB80NF03L-04-1 STMicroelectronics STB80NF03L-04-1 -
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 过时的 -60°C 〜175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STB80N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 80A(TC) 4.5V,10V 4mohm @ 40a,10v 1V @ 250µA 110 NC @ 4.5 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 300W(TC)
STTH3010WY STMicroelectronics stth3010wy 4.3300
RFQ
ECAD 2504 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 DO-247-2 (直线直线) Stth3010 标准 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13282-5 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 2 V @ 30 A 100 ns 15 µA @ 1000 V -40°C〜175°C 30a -
STU3LN62K3 STMicroelectronics Stu3LN62K3 -
RFQ
ECAD 6981 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3™ 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stu3l MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 620 v 2.5A(TC) 10V 3ohm @ 1.25a,10V 4.5V @ 50µA 17 NC @ 10 V ±30V 386 pf @ 50 V - 45W(TC)
STWA60N043DM9 STMicroelectronics STWA60N043DM9 11.2400
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 MOSFET (金属 o化物) TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 3(168)) 497-STWA60N043DM9 30 n通道 600 v 56A(TC) 10V 43mohm @ 28a,10v 4.5V @ 250µA 78.6 NC @ 10 V ±30V 4675 PF @ 400 V - 312W(TC)
STGF20H60DF STMicroelectronics STGF20H60DF 2.6300
RFQ
ECAD 632 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STGF20 标准 37 W TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,20a,10ohm,15V 90 ns 沟渠场停止 600 v 40 a 80 a 2V @ 15V,20A 209µJ(在)上,261µJ(OFF) 115 NC 42.5NS/177NS
XL0840 STMicroelectronics XL0840 0.5500
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) XL0840 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,500 5 ma 400 v 800 MA 800 mv 7a,8a 200 µA 1.95 v 500 MA 1 µA 敏感门
T1235-800G-TR STMicroelectronics T1235-800G-Tr 2.1400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB T1235 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1,000 单身的 35 MA 替代者 -无用 800 v 12 a 1.3 v 120a,126a 35 MA
STTH5L06 STMicroelectronics stth5l06 1.6400
RFQ
ECAD 16 0.00000000 Stmicroelectronics - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 stth5 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 5 A 95 ns 5 µA @ 600 V 175°c (最大) 5a -
STL4LN80K5 STMicroelectronics STL4LN80K5 0.7204
RFQ
ECAD 5060 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL4 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(5x6)VHV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 800 v 3A(TC) 10V 2.6OHM @ 1.2A,10V 5V @ 100µA 4 NC @ 10 V ±30V 110 pf @ 100 V - 38W(TC)
STQ1NK60ZR-AP STMicroelectronics STQ1NK60ZR-AP 0.6600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ (CT) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) STQ1NK60 MOSFET (金属 o化物) TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 600 v 300mA(TC) 10V 15ohm @ 400mA,10v 4.5V @ 50µA 6.9 NC @ 10 V ±30V 94 pf @ 25 V - 3W(TC)
STD11N65M5 STMicroelectronics STD11N65M5 1.9500
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD11 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 9A(TC) 10V 480MOHM @ 4.5A,10V 5V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 620 pf @ 100 V - 85W(TC)
STI12N65M5 STMicroelectronics STI12N65M5 -
RFQ
ECAD 1797年 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STI12N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 8.5A(TC) 10V 430MOHM @ 4.3A,10V 5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±25V 900 PF @ 100 V - 70W(TC)
STTH20LCD06CG-TR STMicroelectronics stth20lcd06cg-tr -
RFQ
ECAD 1354 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB stth2 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 600 v 10a 2 V @ 10 A 50 ns 1 µA @ 600 V 175°c (最大)
RF2L16180CB4 STMicroelectronics RF2L16180CB4 145.2000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 65 v 底盘安装 B4e 1.6GHz ldmos B4e 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 497-RF2L16180CB4TR Ear99 8541.29.0095 120 1µA 600 MA 180W 14dB - 28 V
STPS16H100CG STMicroelectronics STPS16H100CG -
RFQ
ECAD 2524 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STPS16 肖特基 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 8a 770 mv @ 8 a 3.6 µA @ 100 V 175°c (最大)
T1635T-8T STMicroelectronics T1635T-8T 2.0800
RFQ
ECAD 998 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 T1635 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13998-5 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 40 MA 替代者 -无用 800 v 16 a 1.3 v 120a,126a 35 MA
STL8P4LLF6 STMicroelectronics STL8P4LLF6 1.3400
RFQ
ECAD 3983 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™F6 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL8 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16044-1 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 8a(TJ) 4.5V,10V 20.5MOHM @ 4A,10V 2.5V @ 250µA 22 NC @ 4.5 V ±20V 2850 pf @ 25 V - 2.9W(TA)
STL60N10F7 STMicroelectronics STL60N10F7 1.5200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics DeepGate™,diplfet™VII 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL60 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 100 v 46A(TC) 10V 18mohm @ 6a,10v 4.5V @ 250µA 25 NC @ 10 V 20V 1640 pf @ 50 V - 5W(5W),72W(72W)(TC)
STPS30L120CFP STMicroelectronics STPS30L120CFP 1.6300
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 STPS30 肖特基 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 880 mv @ 15 a 200 µA @ 120 V 150°C (最大)
STPS10150CG-TR STMicroelectronics STPS10150CG-TR 2.0900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STPS10150 肖特基 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 920 MV @ 5 A 2 µA @ 150 V 175°c (最大)
STW28NM60ND STMicroelectronics STW28NM60ND 6.9500
RFQ
ECAD 127 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW28 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 23A(TC) 10V 150MOHM @ 11.5A,10V 5V @ 250µA 62.5 NC @ 10 V ±25V 2090 pf @ 100 V - 190w(TC)
STP20NM60FP STMicroelectronics STP20NM60FP 6.9800
RFQ
ECAD 6583 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP20 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A(TC) 10V 290MOHM @ 10A,10V 5V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±30V 1500 pf @ 25 V - 45W(TC)
BU508AFI STMicroelectronics BU508AFI -
RFQ
ECAD 3102 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 ISOWATT-218-3 BU508 50 W ISOWATT-218FX 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 300 700 v 8 a 1ma NPN 1V @ 2a,4.5a - 7MHz
T1650-600G-TR STMicroelectronics T1650-600G-Tr 2.8400
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB T1650 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1,000 单身的 35 MA 替代者 -无用 600 v 16 a 1.3 v 160a,168a 35 MA
STPS3H100U STMicroelectronics STPS3H100U 0.6900
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB STPS3H100 肖特基 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 840 mv @ 3 a 1 µA @ 100 V 175°c (最大) 3a -
STD44N4LF6 STMicroelectronics STD44N4LF6 1.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD44 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-11098-2 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 44A(TC) 5V,10V 12.5MOHM @ 20A,10V 2.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 1190 pf @ 25 V - 50W(TC)
STPS20120CTN STMicroelectronics STPS20120CTN 1.7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS20120 肖特基 TO-220AB狭窄的铅 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 920 MV @ 10 A 10 µA @ 120 V 175°c (最大)
STF34NM60ND STMicroelectronics STF34NM60ND 6.4268
RFQ
ECAD 5917 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF34 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 29A(TC) 10V 110MOHM @ 14.5A,10V 5V @ 250µA 80.4 NC @ 10 V ±25V 2785 PF @ 50 V - 40W(TC)
PD57070S-E STMicroelectronics PD57070S-E -
RFQ
ECAD 6872 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 65 v Powerso-10裸露的底部垫 PD57070 945MHz ldmos Powerso-10rf (直线直线) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 7a 250 MA 70W 14.7dB - 28 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库