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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | (ih)(IH)) | 测试条件 | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | T835T-8I | 1.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | T835 | TO-220AB绝缘 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-17748 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 40 MA | 替代者 -无用 | 800 v | 8 a | 1.3 v | 60a,63a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB80NF03L-04-1 | - | ![]() | 4450 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™II | 管子 | 过时的 | -60°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STB80N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 30 V | 80A(TC) | 4.5V,10V | 4mohm @ 40a,10v | 1V @ 250µA | 110 NC @ 4.5 V | ±20V | 5500 PF @ 25 V | - | 300W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
stth3010wy | 4.3300 | ![]() | 2504 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | DO-247-2 (直线直线) | Stth3010 | 标准 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-13282-5 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 2 V @ 30 A | 100 ns | 15 µA @ 1000 V | -40°C〜175°C | 30a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stu3LN62K3 | - | ![]() | 6981 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3™ | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | Stu3l | MOSFET (金属 o化物) | TO-251(IPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 620 v | 2.5A(TC) | 10V | 3ohm @ 1.25a,10V | 4.5V @ 50µA | 17 NC @ 10 V | ±30V | 386 pf @ 50 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STWA60N043DM9 | 11.2400 | ![]() | 1435 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247长铅 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 497-STWA60N043DM9 | 30 | n通道 | 600 v | 56A(TC) | 10V | 43mohm @ 28a,10v | 4.5V @ 250µA | 78.6 NC @ 10 V | ±30V | 4675 PF @ 400 V | - | 312W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGF20H60DF | 2.6300 | ![]() | 632 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STGF20 | 标准 | 37 W | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V,20a,10ohm,15V | 90 ns | 沟渠场停止 | 600 v | 40 a | 80 a | 2V @ 15V,20A | 209µJ(在)上,261µJ(OFF) | 115 NC | 42.5NS/177NS | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | XL0840 | 0.5500 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | XL0840 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 2,500 | 5 ma | 400 v | 800 MA | 800 mv | 7a,8a | 200 µA | 1.95 v | 500 MA | 1 µA | 敏感门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1235-800G-Tr | 2.1400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | T1235 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 35 MA | 替代者 -无用 | 800 v | 12 a | 1.3 v | 120a,126a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth5l06 | 1.6400 | ![]() | 16 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | stth5 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 600 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 5 A | 95 ns | 5 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL4LN80K5 | 0.7204 | ![]() | 5060 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™K5 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL4 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(5x6)VHV | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 800 v | 3A(TC) | 10V | 2.6OHM @ 1.2A,10V | 5V @ 100µA | 4 NC @ 10 V | ±30V | 110 pf @ 100 V | - | 38W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STQ1NK60ZR-AP | 0.6600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | (CT) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | STQ1NK60 | MOSFET (金属 o化物) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 600 v | 300mA(TC) | 10V | 15ohm @ 400mA,10v | 4.5V @ 50µA | 6.9 NC @ 10 V | ±30V | 94 pf @ 25 V | - | 3W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD11N65M5 | 1.9500 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™v | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD11 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 650 v | 9A(TC) | 10V | 480MOHM @ 4.5A,10V | 5V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 620 pf @ 100 V | - | 85W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STI12N65M5 | - | ![]() | 1797年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™v | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STI12N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 8.5A(TC) | 10V | 430MOHM @ 4.3A,10V | 5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±25V | 900 PF @ 100 V | - | 70W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth20lcd06cg-tr | - | ![]() | 1354 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | stth2 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 600 v | 10a | 2 V @ 10 A | 50 ns | 1 µA @ 600 V | 175°c (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RF2L16180CB4 | 145.2000 | ![]() | 30 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 65 v | 底盘安装 | B4e | 1.6GHz | ldmos | B4e | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 497-RF2L16180CB4TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 120 | 1µA | 600 MA | 180W | 14dB | - | 28 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS16H100CG | - | ![]() | 2524 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STPS16 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 100 v | 8a | 770 mv @ 8 a | 3.6 µA @ 100 V | 175°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T1635T-8T | 2.0800 | ![]() | 998 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | T1635 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-13998-5 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 40 MA | 替代者 -无用 | 800 v | 16 a | 1.3 v | 120a,126a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL8P4LLF6 | 1.3400 | ![]() | 3983 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™F6 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-16044-1 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 40 V | 8a(TJ) | 4.5V,10V | 20.5MOHM @ 4A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 4.5 V | ±20V | 2850 pf @ 25 V | - | 2.9W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL60N10F7 | 1.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | DeepGate™,diplfet™VII | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL60 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 100 v | 46A(TC) | 10V | 18mohm @ 6a,10v | 4.5V @ 250µA | 25 NC @ 10 V | 20V | 1640 pf @ 50 V | - | 5W(5W),72W(72W)(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS30L120CFP | 1.6300 | ![]() | 46 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STPS30 | 肖特基 | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 15a | 880 mv @ 15 a | 200 µA @ 120 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS10150CG-TR | 2.0900 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STPS10150 | 肖特基 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 150 v | 5a | 920 MV @ 5 A | 2 µA @ 150 V | 175°c (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW28NM60ND | 6.9500 | ![]() | 127 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH™II | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW28 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 23A(TC) | 10V | 150MOHM @ 11.5A,10V | 5V @ 250µA | 62.5 NC @ 10 V | ±25V | 2090 pf @ 100 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP20NM60FP | 6.9800 | ![]() | 6583 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™ | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STP20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 20A(TC) | 10V | 290MOHM @ 10A,10V | 5V @ 250µA | 54 NC @ 10 V | ±30V | 1500 pf @ 25 V | - | 45W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU508AFI | - | ![]() | 3102 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | ISOWATT-218-3 | BU508 | 50 W | ISOWATT-218FX | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 300 | 700 v | 8 a | 1ma | NPN | 1V @ 2a,4.5a | - | 7MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1650-600G-Tr | 2.8400 | ![]() | 4557 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | T1650 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 35 MA | 替代者 -无用 | 600 v | 16 a | 1.3 v | 160a,168a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS3H100U | 0.6900 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | STPS3H100 | 肖特基 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 840 mv @ 3 a | 1 µA @ 100 V | 175°c (最大) | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD44N4LF6 | 1.5200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate™,diplfet™vi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD44 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-11098-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 44A(TC) | 5V,10V | 12.5MOHM @ 20A,10V | 2.5V @ 250µA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 1190 pf @ 25 V | - | 50W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS20120CTN | 1.7700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPS20120 | 肖特基 | TO-220AB狭窄的铅 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 10a | 920 MV @ 10 A | 10 µA @ 120 V | 175°c (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF34NM60ND | 6.4268 | ![]() | 5917 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH™II | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF34 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 29A(TC) | 10V | 110MOHM @ 14.5A,10V | 5V @ 250µA | 80.4 NC @ 10 V | ±25V | 2785 PF @ 50 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57070S-E | - | ![]() | 6872 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 65 v | Powerso-10裸露的底部垫 | PD57070 | 945MHz | ldmos | Powerso-10rf (直线直线) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 7a | 250 MA | 70W | 14.7dB | - | 28 V |
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