SIC
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6390）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet （amp） （ih）（IH）） 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） triac类型 电压 -偏离状态 （（rms）（rms）（最大） （VGT）（VGT）（最大） 当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM） （IGT）（IGT）（最大） （vtm）（VTM）（最大） （（av）（av）） 当前 -关闭状态（最大） scr 噪音图 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
STD1NK60T4 STMicroelectronics STD1NK60T4 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 STD1 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 1A（TC） 10V 8.5ohm @ 500mA，10v 3.7V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±30V 156 pf @ 25 V - 30W（TC）
STB13NM60N STMicroelectronics STB13NM60N 5.1300
RFQ
 ECAD 7222 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB STB13 MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 11A（TC） 10V 360MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 790 pf @ 50 V - 90W（TC）
BTA26-600BWRG STMicroelectronics BTA26-600BWRG 6.6500
RFQ
 ECAD 595 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 前3个绝缘 BTA26 top3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 单身的 75 MA 替代者 -无用 600 v 25 a 1.3 v 250a，260a 50 mA
STPSC12H065DY STMicroelectronics STPSC12H065DY 4.4100
RFQ
 ECAD 234 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，Ecopack®2 管子 上次购买 通过洞 TO-220-2 STPSC12 SIC （碳化硅） TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 650 v 1.75 V @ 12 A 120 µA @ 650 V -40°C〜175°C 12a 600pf @ 0v，1MHz
FERD40M45CG-TR STMicroelectronics Ferd40m45cg-Tr 2.2100
RFQ
 ECAD 7995 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB Ferd40 （ferd （现场效应整流器二极管） D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 没有恢复t> 500mA（IO） 1对普通阴极 45 v 20a 500 mv @ 20 a 650 µA @ 45 V 175°c （最大）
P0118DA 5AL3 STMicroelectronics P0118DA 5AL3 0.6100
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA） P0118 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 497-6200-1 Ear99 8541.30.0080 2,000 5 ma 400 v 800 MA 800 mv 7a，8a 5 µA 1.95 v 500 MA 10 µA 敏感门
STPSC10H065D STMicroelectronics STPSC10H065D 4.2700
RFQ
 ECAD 9575 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 STPSC10 SIC （碳化硅） TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.75 V @ 10 A 0 ns 100 µA @ 650 V -40°C〜175°C 10a 480pf @ 0v，1MHz
T1235-600R STMicroelectronics T1235-600R -
RFQ
 ECAD 3846 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA T1235 i2pak 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 35 MA 替代者 -无用 600 v 12 a 1.3 v 120a，126a 35 MA
STTH3L06B-TR STMicroelectronics stth3l06b-tr -
RFQ
 ECAD 1927年 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 stth3l 标准 DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.3 V @ 3 A 85 ns 3 µA @ 600 V 175°c （最大） 3a -
STTH506B-TR STMicroelectronics stth506b-tr 1.7200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 Stth506 标准 DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 600 v 1.85 V @ 5 A 50 ns 5 µA @ 600 V 175°c （最大） 5a -
STD12N50DM2 STMicroelectronics STD12N50DM2 1.9400
RFQ
 ECAD 1669年 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DM2 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 STD12 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 500 v 11A（TC） 10V 350MOHM @ 5.5A，10V 5V @ 250µA 16 NC @ 10 V ±25V 628 pf @ 100 V - 110W（TC）
BAT46CFILM STMicroelectronics BAT46CFILM -
RFQ
 ECAD 8556 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BAT46 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma（io（io），任何速度 1对普通阴极 100 v 150mA（DC） 450 mv @ 10 mA 5 µA @ 75 V 150°C （最大）
STF30N65M5 STMicroelectronics STF30N65M5 -
RFQ
 ECAD 1244 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 STF30N MOSFET （金属 o化物） TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 22a（TC） 10V 139mohm @ 11a，10v 5V @ 250µA 64 NC @ 10 V ±25V 2880 pf @ 100 V - 30W（TC）
STB27NM60ND STMicroelectronics STB27NM60ND 7.5000
RFQ
 ECAD 85 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，FDMESH™II 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB STB27N MOSFET （金属 o化物） d²pak（to-263） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 21a（TC） 10V 160MOHM @ 10.5a，10V 5V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±25V 2400 pf @ 50 V - 160W（TC）
STTH4R02 STMicroelectronics stth4r02 -
RFQ
 ECAD 7224 0.00000000 Stmicroelectronics - （CT） 过时的 通过洞 DO-201B，DO-32，轴向 stth4r02 标准 DO-2011 AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 1.05 V @ 4 A 30 ns 3 µA @ 200 V 175°c （最大） 4a -
STTH20LCD06CG-TR STMicroelectronics stth20lcd06cg-tr -
RFQ
 ECAD 1354 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB stth2 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 600 v 10a 2 V @ 10 A 50 ns 1 µA @ 600 V 175°c （最大）
STPS30L120CFP STMicroelectronics STPS30L120CFP 1.6300
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 STPS30 肖特基 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 120 v 15a 880 mv @ 15 a 200 µA @ 120 V 150°C （最大）
2N1711 STMicroelectronics 2N1711 -
RFQ
 ECAD 3007 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 175°C（TJ） 通过洞 到205AD，TO-39-3 2N17 800兆 到39 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 500 50 V 500 MA 10NA（ICBO） NPN 1.5V @ 15mA，150mA 35 @ 100mA，10V 100MHz
STP11NM65N STMicroelectronics STP11NM65N 2.3400
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 STP11N MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 11A（TC） 10V 455MOHM @ 5.5A，10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±25V 800 pf @ 50 V - 110W（TC）
TIP127FP STMicroelectronics TIP127FP -
RFQ
 ECAD 9407 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TIP127 2 w TO-220FP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 500µA pnp-达灵顿 4V @ 20mA，5a 1000 @ 3a，3v -
STS25NH3LL STMicroelectronics STS25NH3LL -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） STS25 MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 25A（TC） 4.5V，10V 3.5MOHM @ 12.5A，10V 1V @ 250µA 40 NC @ 4.5 V ±18V 4450 pf @ 25 V - 3.2W（TC）
PD57030S-E STMicroelectronics PD57030S-E -
RFQ
 ECAD 2809 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 65 v Powerso-10裸露的底部垫 PD57030 945MHz ldmos Powerso-10rf （直线直线） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 4a 50 mA 30W 14dB - 28 V
ACST8-8CT STMicroelectronics ACST8-8CT -
RFQ
 ECAD 8171 0.00000000 Stmicroelectronics ASD™ 管子 过时的 - 通过洞 TO-220-3 ACST8 TO-220 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 40 MA 标准 800 v 8 a 1.5 v 80a，85a 30 ma
BTB08-800TWRG STMicroelectronics BTB08-800TWRG 1.5400
RFQ
 ECAD 548 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 BTB08 TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 800 v 8 a 1.3 v 80a，84a 5 ma
Z0109SN 5AA4 STMicroelectronics Z0109SN 5AA4 0.2874
RFQ
 ECAD 4813 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 TO-261-4，TO-261AA Z0109 SOT-223 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 3,000 单身的 10 MA 逻辑 -敏感门 800 v 1 a 1.3 v 8a，8.5a 10 MA
STPS41H100CGY-TR STMicroelectronics STPS41H100CGY-TR 2.5100
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB STPS41 肖特基 D²Pak 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 100 v 20a 800 mv @ 20 a 10 µA @ 100 V -40°C〜175°C
STPS20SM120STN STMicroelectronics STPS20SM120STN 1.5800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS20 肖特基 TO-220AB狭窄的铅 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 120 v 890 mv @ 20 a 210 µA @ 120 V 150°C （最大） 20a -
BTB06-700BWRG STMicroelectronics BTB06-700BWRG -
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 Stmicroelectronics * 管子 过时的 BTB06 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,000
STH175N4F6-6AG STMicroelectronics STH175N4F6-6AG 2.0200
RFQ
 ECAD 591 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车，AEC-Q101，StripFet™F6 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB STH175 MOSFET （金属 o化物） H2PAK-2 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 120A（TC） 10V 2.4mohm @ 60a，10v 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±20V 7735 PF @ 20 V - 150W（TC）
STD7NM80 STMicroelectronics STD7NM80 3.9600
RFQ
 ECAD 8682 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 STD7 MOSFET （金属 o化物） DPAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 6.5A（TC） 10V 1.05OHM @ 3.25A，10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±30V 620 pf @ 25 V - 90W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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