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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STL70N10F3	-	RFQ	7814	Stmicroelectronics	StripFet™III	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL70			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									100 v	82A（TC）	10V	8.4mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	136W（TC）
STP4NK80ZFP	2.3200	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STP4NK80			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									800 v	3A（TC）	10V	3.5OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 50µA	22.5 NC @ 10 V	±30V	575 PF @ 25 V	-	25W（TC）
STD18N55M5	3.0800	RFQ	9299	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD18			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									550 v	16A（TC）	10V	192MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1260 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STGIPQ4C60-HL	7.0031	RFQ	1183	Stmicroelectronics	Sllimm Nano -2nd	大部分	积极的			通过洞	26浸模块	IGBT	STGIPQ4						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIPQ4C60T-HL	Ear99	8542.39.0001	360	3相逆变器								6 a	600 v	1500vrms
STP70NF03L	-	RFQ	2364	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP70			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									30 V	70A（TC）	5V，10V	9.5MOHM @ 35A，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±18V	1440 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STB21NM60N	-	RFQ	9827	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB21N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									600 v	17a（TC）	10V	220MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	66 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	140W（TC）
STB80NF10T4	3.4900	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB80			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STPS30L60CR	2.6600	RFQ	967	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STPS30L60			肖特基		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																															1对普通阴极	60 V	15a	600 mv @ 15 A		480 µA @ 60 V	150°C （最大）
STB76NF80	-	RFQ	2268	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB76N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									80 V	80A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STI6N90K5	2.4900	RFQ	135	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak		Sti6			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17075	Ear99	8541.29.0095	50			n通道									900 v	6A（TC）	10V	1.1OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA		±30V		-	110W（TC）
STGW35HF60WD	-	RFQ	7389	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGW35	标准			200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10073-5	Ear99	8541.29.0095	30						400V，20a，10ohm，15V																															50 ns					-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	（290µJ）（在185µj off）上）	140 NC	30ns/175ns
stta2006p	-	RFQ	3050	Stmicroelectronics	TurboSwitch™	管子	过时的			通过洞	SOD-93-2		STTA200			标准		SOD-93-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																																600 v		1.75 V @ 20 A	60 ns	100 µA @ 600 V	150°C （最大）	20a	-
BAT54JFILM	0.3700	RFQ	172	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323		BAT54			肖特基		SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																																40 V		900 mv @ 100 ma	5 ns	1 µA @ 30 V	-40°C〜150°C	300mA	10pf @ 1V，1MHz
tyn1012rg	2.9600	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜125°C	通过洞	TO-220-3		Tyn1012					TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50					30 ma																		1 kV	12 a	1.3 v	140a，145a	15 ma	1.6 v	8 a	5 µA	标准恢复
STPS30M100st	1.6700	RFQ	560	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3		STPS30			肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																																100 v		800 mv @ 30 a		175 µA @ 100 V	150°C （最大）	30a	-
2N5192	-	RFQ	7305	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		2N51				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																											80 V	4 a						1ma	NPN	1.4V @ 1A，4A	20 @ 1.5A，2V	2MHz
BD678A	-	RFQ	4414	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		BD678				40 W	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																											60 V	4 a						500µA	pnp-达灵顿	2.8V @ 40mA，2a	750 @ 2a，3v	-
STW13NK60Z	3.0949	RFQ	8017	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW13			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道									600 v	13A（TC）	10V	550MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 100µA	92 NC @ 10 V	±30V	2030 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STP25N10F7	1.4300	RFQ	90	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP25			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									100 v	25A（TC）	10V	35mohm @ 12.5a，10v	4.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 50 V	-	50W（TC）
STI25NM60ND	-	RFQ	3185	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STI25N			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
提示112	0.8800	RFQ	7205	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		提示112				2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																											100 v	2 a						2mA	npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
STO47N60M6	6.9800	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn		Sto47			MOSFET （金属 o化物）		HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道									600 v	36a（TC）	10V	80MOHM @ 18A，10V	4.75V @ 250µA	52.2 NC @ 10 V	±25V	2340 pf @ 100 V	-	255W（TC）
ACST6-7SG	-	RFQ	3304	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-30°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		ACST6					D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				25 ma																	逻辑 -敏感门	700 v	6 a	1.5 v	45a，50a	10 MA
stth6010w	5.7600	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	DO-247-2 （直线直线）		stth6010			标准		DO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5160-5	Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																																1000 v		2 V @ 60 A	115 ns	20 µA @ 1000 V	175°c （最大）	60a	-
STL52DN4LF7AG	0.6165	RFQ	3141	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL52			MOSFET （金属 o化物）	65W（TC）	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）											40V	18A（TC）		16mohm @ 6a，10v	2.5V @ 250µA	9.4NC @ 10V		500pf @ 25V	-
STPS2L25U	0.4100	RFQ	20	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		STPS2L25			肖特基		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																																25 v		450 mv @ 2 a		90 µA @ 25 V	150°C （最大）	2a	-
ST16010	45.3750	RFQ	3068	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v		表面安装	毫米		ST160		1.6GHz	ldmos		毫米	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-ST16010			300	-			1µA			10W	23dB																								-
STL20DNF06LAG	-	RFQ	8279	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL20			MOSFET （金属 o化物）	75W	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）											60V	20a		40mohm @ 4A，10V	2.5V @ 250µA	22.5nc @ 10V		670pf @ 25V	逻辑级别门
stta812d	-	RFQ	3029	Stmicroelectronics	TurboSwitch™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		STTA812			标准		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																																1200 v		2.2 V @ 8 A	100 ns	100 µA @ 1200 V	150°C （最大）	8a	-
BYW100-200RL	-	RFQ	3397	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		BYW100			标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																																200 v		1.2 V @ 4.5 A	35 ns	10 µA @ 200 V	150°C （最大）	1.5a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²