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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
BTB24-700BRG	-	RFQ	9579	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BTB24				TO-220	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				80 ma																	标准	700 v	25 a	1.3 v	250a，260a	50 mA
STW20NM50	-	RFQ	7928	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		stw20n		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道									550 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	214W（TC）
STI30N65M5	6.4400	RFQ	993	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STI30N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									650 v	22a（TC）	10V	139mohm @ 11a，10v	5V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±25V	2880 pf @ 100 V	-	140W（TC）
stth108a	0.6700	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-214ac，SMA		stth108		标准		SMA（do-214ac）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	5,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												800 v		1.65 V @ 1 A	75 ns	5 µA @ 800 V	175°c （最大）	1a	-
STPS3045CT	1.3200	RFQ	8	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3		STPS3045		肖特基		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											1对普通阴极	45 v	15a	570 mv @ 15 A		200 µA @ 45 V	200°C （最大）
STB85NF3LLT4	-	RFQ	2835	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB85N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									30 V	85A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 40a，10v	1V @ 250µA	40 NC @ 4.5 V	±16V	2210 PF @ 25 V	-	110W（TC）
STP140NF55	2.7900	RFQ	6818	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP140		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									55 v	80A（TC）	10V	8mohm @ 40a，10v	4V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
TMBAT49FILM	0.5600	RFQ	660	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-213ab，Melf		TMBAT49		肖特基		梅尔	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	1,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												80 V		420 mv @ 100 ma		200 µA @ 80 V	-65°C〜125°C	500mA	120pf @ 0v，1MHz
STPS8H100G-Tr	1.1100	RFQ	49	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STPS8		肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-7571-1	Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												100 v		710 MV @ 8 A		4.5 µA @ 100 V	175°c （最大）	8a	-
T1035H-6T	0.5174	RFQ	2258	Stmicroelectronics	Snubberless™	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		T1035				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-497-7627-5	Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的				35 MA																	替代者 -无用	600 v	10 a	1 V	100a，105a	35 MA
stth3l06u	0.9600	RFQ	36	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		stth3		标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												600 v		1.3 V @ 3 A	85 ns	3 µA @ 600 V	175°c （最大）	3a	-
stth6110Tv1	21.5200	RFQ	5753	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			底盘安装	同位素		stth6110		标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											2独立	1000 v	30a	2 V @ 30 A	100 ns	15 µA @ 1000 V
PD55008Tr-E	14.7400	RFQ	8319	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	40 V			Powerso-10rf 暴露底部垫（ 2个形成的导线）		PD55008	500MHz	ldmos		Powerso-10rf （形成的铅）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600				4a		150 ma	8W	17dB																				-												12.5 v
MJE172	-	RFQ	6278	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3		MJE172			12.5 w	SOT-32-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																																						80 V	3 a		100NA（ICBO）	PNP	1.7V @ 600mA，3a	50 @ 100mA，1V	50MHz
STW12NK80Z	6.2200	RFQ	4790	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道									800 v	10.5A（TC）	10V	750MOHM @ 5.25A，10V	4.5V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±30V	2620 PF @ 25 V	-	190w（TC）
STK822	-	RFQ	9342	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	Polarpak®		STK8		MOSFET （金属 o化物）		Polarpak®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									25 v	38a（ta）	4.5V，10V	2.15Mohm @ 19a，10v	2.5V @ 250µA	33 NC @ 4.5 V	±16V	6060 pf @ 25 V	-	5.2W（ta）
STF7N52K3	1.7300	RFQ	977	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF7N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									525 v	6A（TC）	10V	850MOHM @ 3A，10V	4.5V @ 50µA	33 NC @ 10 V	±30V	870 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STB45N65M5	8.9200	RFQ	5	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB45		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									650 v	35A（TC）	10V	78mohm @ 19.5a，10v	5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	3375 PF @ 100 V	-	210W（TC）
STGIK50CH65T	54.2700	RFQ	6318	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	30-PowerDip模块	IGBT						下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STGIK50CH65T	Ear99	8542.39.0001	9	3相逆变器								50 a	650 v	2500vrms
STB28N65M2	3.7000	RFQ	3347	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB28		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									650 v	20A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±25V	1440 pf @ 100 V	-	170W（TC）
SD1433	-	RFQ	4293	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的		200°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	M122		SD1433			58W	M122	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40								7db																														16V	2.5a			NPN		10 @ 1A，5V	-	-
STF24NM60N	3.4300	RFQ	4089	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF24		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-11868-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道									600 v	17a（TC）	10V	190MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±30V	1400 pf @ 50 V	-	30W（TC）
Ferd30l60cts	1.6700	RFQ	1572年	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3		Ferd30		（ferd （现场效应整流器二极管）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17694	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											1对普通阴极	60 V	15a	545 mv @ 15 A		820 µA @ 60 V	150°C （最大）
stth2002g	-	RFQ	9383	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		stth2		标准		D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												200 v		1.1 V @ 20 A	40 ns	10 µA @ 200 V	175°c （最大）	20a	-
STD2HNK60Z-1	1.5000	RFQ	3	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		STD2HNK60		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道									600 v	2A（TC）	10V	4.8OHM @ 1A，10V	4.5V @ 50µA	15 NC @ 10 V	±30V	280 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STP36N55M5	7.3000	RFQ	25	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		stp36n		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									550 v	33A（TC）	10V	80MOHM @ 16.5a，10V	5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	2670 pf @ 100 V	-	190w（TC）
STW48N60M6-4	6.2926	RFQ	8344	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4		STW48		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600			n通道									600 v	39A（TC）	10V	69mohm @ 19.5a，10v	4.75V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2578 PF @ 100 V	-	250W（TC）
PD20010STR-E	-	RFQ	5683	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	40 V			Powerso-10rf 暴露的底部垫（连续 2条线）		PD20010	2GHz	ldmos		Powerso-10rf （直线直线）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600				5a		150 ma	10W	11DB																				-												13.6 v
STPS20SM120SFP	-	RFQ	9483	Stmicroelectronics	Ecopack®2	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		STPS20		肖特基		TO-220FPAB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												120 v		890 mv @ 20 a		210 µA @ 120 V	150°C （最大）	20a	-
TIP120	0.8300	RFQ	7898	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		TIP120			2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																						60 V	5 a		500µA	npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²