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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STD35N3LH5 | - | ![]() | 9747 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™v | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD35 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 35A(TC) | 4.5V,10V | 16mohm @ 15a,10v | 2.5V @ 250µA | 6 NC @ 4.5 V | ±20V | 725 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD120N4F6 | 1.9000 | ![]() | 4626 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101,Deepgate™,StripFet™VI | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD120 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 10V | 4mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 3850 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB200N6F3 | 5.5100 | ![]() | 292 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB200N | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 120A(TC) | 10V | 3.6mohm @ 60a,10v | 4V @ 250µA | 100 nc @ 10 V | ±20V | 6800 PF @ 25 V | - | 330W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STY30NK90Z | - | ![]() | 1562 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | Sty30n | MOSFET (金属 o化物) | Max247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-4431-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 900 v | 26a(TC) | 10V | 260mohm @ 14a,10v | 4.5V @ 150µA | 490 NC @ 10 V | ±30V | 12000 PF @ 25 V | - | 450W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS120L15TV | 22.1300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 底盘安装 | 同位素 | STPS120 | 肖特基 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 10 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 15 v | 60a | 430 mv @ 60 a | 22 ma @ 12 V | -55°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS745FP | 1.1900 | ![]() | 120 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | STPS745 | 肖特基 | TO-220FPAC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 840 mv @ 15 A | 100 µA @ 45 V | 175°c (最大) | 7.5a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STO65N60DM6 | 6.9500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™DM6 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powersfn | MOSFET (金属 o化物) | HV) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-STO65N60DM6TR | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,800 | n通道 | 600 v | 46A(TC) | 10V | 76mohm @ 23a,10v | 4.75V @ 250µA | 65.2 NC @ 10 V | ±25V | 2500 PF @ 100 V | - | 320W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
STP12NM50FD | - | ![]() | 8434 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | FDMESH™ | 管子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP12 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 12A(TC) | 10V | 400mohm @ 6a,10v | 5V @ 250µA | 12 nc @ 10 V | ±30V | 1000 pf @ 25 V | - | 160W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS3045CP | 2.6800 | ![]() | 364 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-218-3,TO-218AC | STPS3045 | 肖特基 | SOT-93 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 15a | 570 mv @ 15 A | 200 µA @ 45 V | 200°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth506b | - | ![]() | 6970 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | Stth506 | 标准 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 75 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.85 V @ 5 A | 50 ns | 5 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS10L60D | 1.6500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | STPS10 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 600 mv @ 10 a | 350 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
STP9NK70Z | - | ![]() | 8811 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP9N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 700 v | 7.5A(TC) | 10V | 1.2OHM @ 4A,10V | 4.5V @ 100µA | 68 NC @ 10 V | ±30V | 1370 pf @ 25 V | - | 115W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
STP11N52K3 | 2.7800 | ![]() | 581 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP11N | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 525 v | 10A(TC) | 10V | 510MOHM @ 5A,10V | 4.5V @ 50µA | 51 NC @ 10 V | ±30V | 1400 pf @ 50 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
tyn1012trg | 2.0800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-220-3 | Tyn1012 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 15 ma | 1 kV | 12 a | 1.3 v | 140a,145a | 5 ma | 1.6 v | 8 a | 5 µA | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T1635-800G-Tr | 2.6800 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | T1635 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 35 MA | 替代者 -无用 | 800 v | 16 a | 1.3 v | 160a,168a | 35 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIPS30C60T-H | - | ![]() | 3067 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块( 0.993英寸,25.23毫米) | IGBT | STGIPS30 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-15131-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 11 | 3期 | 30 a | 600 v | 2500vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STPS61L45CT | 3.2400 | ![]() | 664 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-3 | STPS61 | 肖特基 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 30a | 560 mv @ 30 a | 1.5 ma @ 45 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth12s06fp | 2.2800 | ![]() | 998 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包,隔离选项卡 | stth12 | 标准 | TO-220FPAC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 3.4 V @ 12 A | 21 ns | 30 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 12a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPST12H100SF | 0.9400 | ![]() | 7605 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack®2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | STPST12 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 710 MV @ 12 A | 24 µA @ 100 V | 175°C | 12a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC20065DI | 6.4400 | ![]() | 739 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack®2 | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2绝缘,TO-220AC | STPSC20065 | SIC (碳化硅) | TO-220AC INS | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.45 V @ 20 A | 0 ns | 300 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 20a | 1250pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0405MF 1AA2 | - | ![]() | 2145 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 包 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | to-202无标签 | Z0405 | TO-202-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 250 | 单身的 | 5 ma | 逻辑 -敏感门 | 600 v | 4 a | 1.3 v | 20a,21a | 5 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||
STP120N4F6 | 2.1100 | ![]() | 4942 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101,Deepgate™,StripFet™VI | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP120 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 10V | 4.3mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 65 NC @ 10 V | ±20V | 3850 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW30NM60N | - | ![]() | 7975 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | stw30n | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 25A(TC) | 10V | 130mohm @ 12.5a,10v | 4V @ 250µA | 91 NC @ 10 V | ±30V | 2700 PF @ 50 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL11N3LLH6 | 1.4500 | ![]() | 3837 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Deepgate™,diplfet™vi | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL11 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 11A(TC) | 4.5V,10V | 7.5MOHM @ 5.5A,10V | 1V @ 250µA(250µA) | 17 NC @ 4.5 V | ±20V | 1690 pf @ 24 V | - | 2W(TA),50W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STTA506B | - | ![]() | 3823 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | TurboSwitch™ | 管子 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STTA506 | 标准 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.75 V @ 5 A | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW75N60M6-4 | 13.7100 | ![]() | 6300 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M6 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | STW75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-18500 | Ear99 | 8541.29.0095 | 600 | n通道 | 600 v | 72A(TC) | 10V | 36mohm @ 36a,10v | 4.75V @ 250µA | 106 NC @ 10 V | ±25V | 4850 PF @ 100 V | - | 446W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS640CBY-TR | 0.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STPS640 | 肖特基 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 40 V | 3a | 630 mv @ 3 a | 100 µA @ 40 V | -40°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth806g-tr | 2.3700 | ![]() | 745 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | stth806 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.85 V @ 8 A | 55 ns | 8 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 8a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL22N60M6 | 1.5489 | ![]() | 4258 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M6 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL22 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(5x6)HV | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 250MOHM @ 5A,10V | 4.75V @ 250µA | 20 nc @ 10 V | ±25V | 800 pf @ 100 V | - | 57W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth1r04u | 0.5600 | ![]() | 449 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | stth1 | 标准 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 1 A | 30 ns | 5 µA @ 400 V | 175°c (最大) | 1a | - |
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