SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 当前的 电压 电压 -隔离 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
TN1215-600B-TR STMicroelectronics TN1215-600B-Tr 1.8100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 TN1215 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,500 40 MA 600 v 12 a 1.3 v 115a,110a 15 ma 1.6 v 8 a 5 µA 标准恢复
STPS10M80CFP STMicroelectronics STPS10M80CFP -
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 STPS10 肖特基 TO-220AB全盘 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 5a 705 mv @ 5 a 20 µA @ 80 V 175°c (最大)
STPSC6H065DI STMicroelectronics STPSC6H065DI 3.3500
RFQ
ECAD 2838 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2绝缘,TO-220AC STPSC6 SIC (碳化硅) TO-220AC INS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.75 V @ 6 A 60 µA @ 650 V -40°C〜175°C 6a -
STW57N65M5 STMicroelectronics STW57N65M5 12.1900
RFQ
ECAD 498 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW57 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13125-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 42A(TC) 10V 63mohm @ 21a,10v 5V @ 250µA 98 NC @ 10 V ±25V 4200 PF @ 100 V - 250W(TC)
BAT43 STMicroelectronics BAT43 0.4000
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BAT43 肖特基 do-35 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 4,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 1 V @ 200 MA 5 ns 500 na @ 25 V -65°C〜125°C 200mA 7pf @ 1V,1MHz
STP60N3LH5 STMicroelectronics STP60N3LH5 -
RFQ
ECAD 2103 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP60N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-10713-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 30 V 48A(TC) 5V,10V 8.4MOHM @ 24A,10V 3V @ 250µA 8.8 NC @ 5 V ±20V 1350 pf @ 25 V - 60W(TC)
STD9N60M2 STMicroelectronics STD9N60M2 1.4700
RFQ
ECAD 9278 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD9 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13864-2 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 5.5A(TC) 10V 780MOHM @ 3A,10V 4V @ 250µA 10 NC @ 10 V ±25V 320 pf @ 100 V - 60W(TC)
STPS1545CGY-TR STMicroelectronics STPS1545CGY-TR 1.0164
RFQ
ECAD 2433 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STPS1545 肖特基 D²Pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 570 mv @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -40°C〜175°C
STH175N4F6-6AG STMicroelectronics STH175N4F6-6AG 2.0200
RFQ
ECAD 591 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,StripFet™F6 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STH175 MOSFET (金属 o化物) H2PAK-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 120A(TC) 10V 2.4mohm @ 60a,10v 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±20V 7735 PF @ 20 V - 150W(TC)
STL100NH3LL STMicroelectronics STL100NH3LL -
RFQ
ECAD 3180 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL100 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 100A(TC) 4.5V,10V 3.5MOHM @ 12.5A,10V 2.5V @ 250µA 40 NC @ 4.5 V ±16V 4450 pf @ 25 V - 80W(TC)
STPS3L40S STMicroelectronics STPS3L40S 0.8500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC STPS3 肖特基 SMC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 3 a 100 µA @ 40 V 150°C (最大) 3a -
STD7NM80 STMicroelectronics STD7NM80 3.9600
RFQ
ECAD 8682 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD7 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 800 v 6.5A(TC) 10V 1.05OHM @ 3.25A,10V 5V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±30V 620 pf @ 25 V - 90W(TC)
TPDV1025RG STMicroelectronics TPDV1025RG 9.8568
RFQ
ECAD 3438 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 前3名 TPDV1025 top3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 单身的 50 mA 替代者 -无用 1 kV 25 a 1.5 v 230a,250a 150 ma
STF20NF20 STMicroelectronics STF20NF20 1.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF20 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5811-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 18A(TC) 10V 125mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 940 pf @ 25 V - 30W(TC)
STGIF5CH60TS-LZ STMicroelectronics stgif5ch60ts-lz 9.6757
RFQ
ECAD 6071 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm -第二 大部分 积极的 通过洞 26-PowerDip 模块(1.146英寸,29.10mm) IGBT stgif5 - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STGIF5CH60TS-LZ Ear99 8542.39.0001 156 3相逆变器 8 a 600 v 1600vrms
STTH8S06B-TR STMicroelectronics stth8s06b-tr 0.4700
RFQ
ECAD 1982 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 stth8 标准 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 小信号= <200ma(io(io),任何速度 600 v 3.4 V @ 8 A 18 ns 20 µA @ 600 V 175°c (最大) 8a -
STPS40L40CW STMicroelectronics STPS40L40CW -
RFQ
ECAD 3923 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 STPS40 肖特基 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 20a 530 mv @ 20 a 800 µA @ 40 V 150°C (最大)
STFI14N80K5 STMicroelectronics STFI14N80K5 -
RFQ
ECAD 7419 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3完整包,i²pak STFI14N MOSFET (金属 o化物) I2PAKFP(to-281) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,500 n通道 800 v 12A(TC) 10V 445MOHM @ 6A,10V 5V @ 100µA 22 NC @ 10 V ±30V 620 pf @ 100 V - 30W(TC)
ACST6-8SG STMicroelectronics ACST6-8SG -
RFQ
ECAD 4271 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 - 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ACST6 D2PAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 25 ma 逻辑 -敏感门 800 v 1.5 a 1.5 v 45a,50a 10 MA
STTH10LCD06SG-TR STMicroelectronics stth10lcd06sg-tr -
RFQ
ECAD 3058 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB stth10 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 10 A 50 ns 5 µA @ 600 V 175°c (最大) 10a -
BTA12-600BWRG STMicroelectronics BTA12-600BWRG 1.8800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTA12 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 12 a 1.3 v 120a,126a 50 mA
STU2NK100Z STMicroelectronics Stu2NK100Z 3.3600
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stu2NK100 MOSFET (金属 o化物) 我帕克 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 1000 v 1.85A(TC) 10V 8.5ohm @ 900mA,10v 4.5V @ 50µA 16 NC @ 10 V ±30V 499 pf @ 25 V - 70W(TC)
STPSC606D STMicroelectronics STPSC606D 2.9400
RFQ
ECAD 5183 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 STPSC606 SIC (碳化硅) TO-220AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-10309-5 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 600 v 1.7 V @ 6 A 0 ns 75 µA @ 600 V -40°C〜175°C 6a 375pf @ 0v,1MHz
STGB7NB60HDT4 STMicroelectronics STGB7NB60HDT4 -
RFQ
ECAD 6138 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STGB7 标准 80 W D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 480V,7A,10欧姆,15V 100 ns - 600 v 14 a 56 a 2.8V @ 15V,7a 85µJ(OFF) 42 NC 15NS/75NS
STTH10R04G STMicroelectronics stth10r04g -
RFQ
ECAD 9171 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB stth10 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.7 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 400 V 175°c (最大) 10a -
BTB24-800CWRG STMicroelectronics BTB24-800CWRG 2.8700
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTB24 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 800 v 25 a 1.3 v 250a,260a 35 MA
STF6N65K3 STMicroelectronics STF6N65K3 2.4400
RFQ
ECAD 243 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3™ 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF6 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-12424 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 5.4A(TC) 10V 1.3OHM @ 2.8a,10V 4.5V @ 50µA 35 NC @ 10 V ±30V 880 pf @ 50 V - 30W(TC)
IRF740 STMicroelectronics IRF740 -
RFQ
ECAD 8399 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™II 管子 过时的 -65°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IRF7 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 400 v 10A(TC) 10V 550MOHM @ 5.3A,10V 4V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 125W(TC)
STTH1506DPI STMicroelectronics stth1506dpi 6.6400
RFQ
ECAD 5924 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 dop3i-2 绝缘(直线) Stth1506 标准 dop3i 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 3.6 V @ 15 A 35 ns 20 µA @ 600 V 150°C (最大) 15a -
STPST8H100SFY STMicroelectronics STPST8H100SFY 0.9400
RFQ
ECAD 7964 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn STPST8 肖特基 TO-277A(SMPC) - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 695 mv @ 8 a 17 µA @ 100 V -40°C〜175°C 8a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库