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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STS4DPF20L STMicroelectronics STS4DPF20L 1.7600
RFQ
ECAD 125 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) STS4D MOSFET (金属 o化物) 1.6W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2(p 通道(双) 20V 4a 80mohm @ 2a,10v 2.5V @ 250µA 16nc @ 5V 1350pf @ 25V 逻辑级别门
SCTH60N120G2-7 STMicroelectronics SCTH60N120G2-7 22.3245
RFQ
ECAD 5892 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-8,D²Pak(7 + Tab),TO-263CA sicfet (碳化硅) H2PAK-7 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 497-SCTH60N120G2-7TR Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 1200 v 60a(TC) 18V 52MOHM @ 30a,10V 5V @ 1mA 94 NC @ 18 V +22V,-10V 1969 PF @ 800 V - 390W(TC)
STD40P3LLH6 STMicroelectronics STD40P3LLH6 -
RFQ
ECAD 4697 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™H6 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD40 MOSFET (金属 o化物) DPAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 40a(TC) 4.5V,10V 15mohm @ 20a,10v 2.5V @ 250µA 24 NC @ 4.5 V ±20V 2615 PF @ 25 V - 60W(TC)
STW70N65DM6-4 STMicroelectronics STW70N65DM6-4 14.4100
RFQ
ECAD 4787 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 STW70 MOSFET (金属 o化物) TO-247-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-STW70N65DM6-4 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 68A(TC) 10V 40mohm @ 34a,10v 4.75V @ 250µA 125 NC @ 10 V ±25V 4900 PF @ 100 V - 450W(TC)
STP20NF20 STMicroelectronics STP20NF20 2.4500
RFQ
ECAD 287 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP20 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5812-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 18A(TC) 10V 125mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 940 pf @ 25 V - 110W(TC)
STPS2060CT STMicroelectronics STPS2060CT 1.7100
RFQ
ECAD 962 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS2060 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 800 mv @ 10 a 150 µA @ 60 V 150°C (最大)
STTH1202FP STMicroelectronics stth1202fp -
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 Stth120 标准 TO-220FPAC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 12 A 35 ns 10 µA @ 200 V 175°c (最大) 12a -
Z0405MF 1AA2 STMicroelectronics Z0405MF 1AA2 -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 Stmicroelectronics - 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 to-202无标签 Z0405 TO-202-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 250 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 600 v 4 a 1.3 v 20a,21a 5 ma
STK38N3LLH5 STMicroelectronics STK38N3LLH5 -
RFQ
ECAD 3667 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 Polarpak® STK38 MOSFET (金属 o化物) Polarpak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 38A(TC) 4.5V,10V 1.55MOHM @ 19a,10v 2.5V @ 250µA 41.7 NC @ 4.5 V ±22V 4640 pf @ 25 V - 5.2W(TC)
TN1625-600G STMicroelectronics TN1625-600G -
RFQ
ECAD 1387 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB TN1625 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 40 MA 600 v 16 a 1.3 v 190a,200a 25 ma 1.6 v 10 a 5 µA 标准恢复
BTW67-600 STMicroelectronics BTW67-600 -
RFQ
ECAD 5425 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 -40°C〜125°C 底盘安装 RD-91 BTW67 RD91 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 150 ma 600 v 50 a 1.3 v 580a,610a 80 ma 1.9 v 32 a 10 µA 标准恢复
STGW40NC60W STMicroelectronics STGW40NC60W 6.1200
RFQ
ECAD 481 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGW40 标准 250 w TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 390V,30a,10ohm,15V - 600 v 70 a 230 a 2.5V @ 15V,30a (302µJ)(在349µJ上) 126 NC 33ns/168ns
TN2540-800G-TR STMicroelectronics TN2540-800G-Tr 2.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB TN2540 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1,000 50 mA 800 v 25 a 1.3 v 300a,314a 40 MA 1.6 v 16 a 5 µA 标准恢复
STPST8H100SFY STMicroelectronics STPST8H100SFY 0.9400
RFQ
ECAD 7964 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn STPST8 肖特基 TO-277A(SMPC) - (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 695 mv @ 8 a 17 µA @ 100 V -40°C〜175°C 8a -
STPS20SM60CT STMicroelectronics STPS20SM60CT 1.3600
RFQ
ECAD 995 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 STPS20 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 645 mv @ 10 a 40 µA @ 60 V 150°C (最大)
STGD3NB60FT4 STMicroelectronics STGD3NB60FT4 1.2200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STGD3 标准 60 W DPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 480V,3A,10欧姆,15V 45 ns - 600 v 6 a 24 a 2.4V @ 15V,3A 125µJ(离) 16 NC 12.5NS/105NS
STN2580 STMicroelectronics STN2580 0.6700
RFQ
ECAD 9868 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA STN2580 1.6 w SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 400 v 1 a 10µA(ICBO) NPN 1V @ 200mA,1a 60 @ 250mA,5V -
STP200NF04 STMicroelectronics STP200NF04 -
RFQ
ECAD 1513年 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP200 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 120A(TC) 10V 3.7MOHM @ 90A,10V 4V @ 250µA 210 NC @ 10 V ±20V 5100 PF @ 25 V - 310W(TC)
STD60NH03LT4 STMicroelectronics STD60NH03LT4 -
RFQ
ECAD 6844 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD60N MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 60a(TC) 5V,10V 9mohm @ 30a,10v 1V @ 250µA 21 NC @ 5 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 70W(TC)
P0118MA 5AL3 STMicroelectronics P0118MA 5AL3 0.1843
RFQ
ECAD 6848 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) P0118 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4283-1 Ear99 8541.30.0080 6,000 5 ma 600 v 800 MA 800 mv 7a,8a 5 µA 1.95 v 500 MA 10 µA 敏感门
T610H-6T STMicroelectronics T610H-6T 0.4269
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 T610 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,000 单身的 25 ma 逻辑 -敏感门 600 v 6 a 1 V 60a,63a 10 MA
STTA12006TV1 STMicroelectronics STTA12006TV1 -
RFQ
ECAD 9853 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch™ 管子 过时的 底盘安装 同位素 STTA120 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 600 v 60a 1.75 V @ 60 A 80 ns 200 µA @ 480 V
BTA26-400BRG STMicroelectronics BTA26-400BRG -
RFQ
ECAD 4716 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 前3个绝缘 BTA26 top3 - rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 30 单身的 80 ma 标准 400 v 25 a 1.3 v 250a,260a 50 mA
STGD14NC60KT4 STMicroelectronics STGD14NC60KT4 1.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STGD14 标准 80 W DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 390V,7A,10欧姆,15V - 600 v 25 a 2.5V @ 15V,7a (82µJ)(在155µj(()上 34.4 NC 22.5NS/116NS
STTH1L06 STMicroelectronics stth1l06 0.5000
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Stmicroelectronics - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 stth1 标准 do-41 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.3 V @ 1 A 80 ns 1 µA @ 600 V 175°c (最大) 1a -
STU27N3LH5 STMicroelectronics Stu27N3LH5 -
RFQ
ECAD 8970 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stu27n MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 30 V 27a(TC) 4.5V,10V 20mohm @ 13.5a,10v 1V @ 250µA 4.6 NC @ 5 V ±22V 475 PF @ 25 V - 30W(TC)
FERD20L60CTS STMicroelectronics FERD20L60CTS 1.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-3 Ferd20 (ferd (现场效应整流器二极管) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 575 mv @ 10 a 970 µA @ 60 V 150°C (最大)
STBV32-AP STMicroelectronics stbv32-ap -
RFQ
ECAD 4014 0.00000000 Stmicroelectronics - (CT) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) STBV32 1.5 w TO-92AP - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 400 v 1.5 a 1ma NPN 1.5V @ 500mA,1.5a 5 @ 1A,2V -
STS20N3LLH6 STMicroelectronics STS20N3LLH6 -
RFQ
ECAD 7264 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) STS20 MOSFET (金属 o化物) 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 4.7mohm @ 10a,10v 1V @ 250µA 17 NC @ 4.5 V ±20V 1690 pf @ 25 V - 2.7W(TC)
MJE172 STMicroelectronics MJE172 -
RFQ
ECAD 6278 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 MJE172 12.5 w SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,000 80 V 3 a 100NA(ICBO) PNP 1.7V @ 600mA,3a 50 @ 100mA,1V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库