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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | (ih)(IH)) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 噪音图 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP24N60M6 | 2.8300 | ![]() | 685 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M6 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP24 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-18249 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 17a(TJ) | 10V | 190mohm @ 8.5a,10v | 4.75V @ 250µA | 23 NC @ 10 V | ±25V | 960 pf @ 100 V | - | 130W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD1HN60K3 | 1.5900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh3™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD1HN60 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 1.2A(TC) | 10V | 8ohm @ 600mA,10v | 4.5V @ 50µA | 9.5 NC @ 10 V | ±30V | 140 pf @ 50 V | - | 27W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TN4015H-6T | 1.8400 | ![]() | 7572 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C | 通过洞 | TO-220-3 | TN4015 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-17021 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 60 ma | 600 v | 40 a | 1.3 v | 360a,390a | 15 ma | 1.6 v | 22 a | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ULQ2802A | 3.0300 | ![]() | 7211 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜105°C | 通过洞 | 18 浸(0.300英寸,7.62mm) | ULQ2802 | 2.25W | 18浸 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 50V | 500mA | - | 8 npn达灵顿 | 1.6V @ 500µA,350mA | 1000 @ 350mA,2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL8P2UH7 | - | ![]() | 5357 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | DeepGate™,diplfet™VII | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6 PowerWDFN | STL8 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 8A(TC) | 1.5V,4.5V | 22.5MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 250µA | 22 NC @ 4.5 V | ±8V | 2390 pf @ 16 V | - | 2.4W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Sty112N65M5 | 37.6900 | ![]() | 2106 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™v | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | Styn112 | MOSFET (金属 o化物) | Max247™ | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 96A(TC) | 10V | 22mohm @ 47a,10v | 5V @ 250µA | 350 NC @ 10 V | ±25V | 16870 PF @ 100 V | - | 625W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Stu6nf10 | - | ![]() | 5632 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 管子 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | Stu6nf10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-251(IPAK) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 75 | n通道 | 100 v | 6A(TC) | 10V | 250MOHM @ 3A,10V | 4V @ 250µA | 14 NC @ 10 V | ±20V | 280 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV54V-200 | - | ![]() | 2290 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 底盘安装 | 同位素 | BYV54V | 标准 | isotop® | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 200 v | 50a | 850 MV @ 50 A | 60 ns | 50 µA @ 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP5NK50ZFP | 1.9700 | ![]() | 866 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STP5NK50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 4.4A(TC) | 10V | 1.5OHM @ 2.2a,10v | 4.5V @ 50µA | 28 NC @ 10 V | ±30V | 535 pf @ 25 V | - | 70W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS15L30CB-Tr | 1.9300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STPS15 | 肖特基 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 30 V | 7.5a | 480 mv @ 7.5 A | 1 ma @ 30 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBYW01-200 | - | ![]() | 9504 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | Smbyw | 标准 | SMB(do-214AA) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 1 A | 35 ns | 3 µA @ 200 V | 150°C (最大) | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB60N55F3 | - | ![]() | 2768 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | STB60N | MOSFET (金属 o化物) | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 55 v | 80A(TC) | 10V | 8.5MOHM @ 32A,10V | 4V @ 250µA | 45 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 25 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T410-400T | - | ![]() | 2253 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | T410 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 15 ma | 逻辑 -敏感门 | 400 v | 4 a | 1.3 v | 30a,31a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS40M120CR | 1.5800 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STPS40 | 肖特基 | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 120 v | 20a | 790 mv @ 20 a | 370 µA @ 120 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth10r04g-tr | 1.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | stth10 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.7 V @ 10 A | 40 ns | 10 µA @ 400 V | 175°c (最大) | 10a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB21NM60N-1 | - | ![]() | 1868年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™ | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STB21N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-5728 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 17a(TC) | 10V | 220MOHM @ 8.5A,10V | 4V @ 250µA | 66 NC @ 10 V | ±25V | 1900 pf @ 50 V | - | 140W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN2010H-6I | 1.3900 | ![]() | 6661 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack®2 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TN2010 | TO-220AB绝缘 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 497-TN2010H-6I | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 40 MA | 600 v | 20 a | 1.3 v | 180a,197a | 10 MA | 1.6 v | 13 a | 5 µA | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PD57002-E | - | ![]() | 1219 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 65 v | Powerso-10裸露的底部垫 | PD57002 | 960MHz | ldmos | 10-Powerso | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 250mA | 10 MA | 2W | 15DB | - | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS15L45CB-TR | 1.9000 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STPS15 | 肖特基 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 45 v | 7.5a | 520 MV @ 7.5 A | 1 mA @ 45 V | 150°C (最大) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF3NK100Z | 3.8900 | ![]() | 6314 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF3NK100 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 1000 v | 2.5A(TC) | 10V | 6ohm @ 1.25A,10V | 4.5V @ 50µA | 18 nc @ 10 V | ±30V | 601 PF @ 25 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP75NS04Z | 2.1200 | ![]() | 9837 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 网格叠加™III | 管子 | 上次购买 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP75 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-5981-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 33 V | 80A(TC) | 10V | 11mohm @ 40a,10v | 4V @ 250µA | 50 NC @ 10 V | 夹紧 | 1860 pf @ 25 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STD5NK60ZT4 | 1.8100 | ![]() | 2996 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | SuperMesh™ | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STD5NK60 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 5A(TC) | 10V | 1.6OHM @ 2.5A,10V | 4.5V @ 50µA | 34 NC @ 10 V | ±30V | 690 pf @ 25 V | - | 90W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0409NF0AA2 | - | ![]() | 9732 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | to-202无标签 | Z0409 | TO-202-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-16471-5 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 10 MA | 逻辑 -敏感门 | 800 v | 4 a | 1.3 v | 20a,21a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW51FP-200 | - | ![]() | 3763 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 通过洞 | TO-220-3完整包 | byw51 | 标准 | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 200 v | 10a | 850 mv @ 8 a | 35 ns | 15 µA @ 200 V | 150°C (最大) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stth30l06gy-tr | 3.4700 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB | stth30 | 标准 | D²Pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.55 V @ 30 A | 90 ns | 25 µA @ 600 V | -40°C〜175°C | 30a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Z0405DF 1AA2 | - | ![]() | 3254 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | to-202无标签 | Z0405 | TO-202-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 250 | 单身的 | 5 ma | 逻辑 -敏感门 | 400 v | 4 a | 1.3 v | 20a,21a | 5 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STP18N60M6 | 1.2427 | ![]() | 1998 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M6 | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | STP18 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 13A(TC) | 10V | 280MOHM @ 6.5a,10V | 4.75V @ 250µA | 16.8 NC @ 10 V | ±25V | 650 pf @ 100 V | - | 110W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF42N60M2-EP | 7.1700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™M2-EP | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF42 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-15887-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 34A(TC) | 10V | 87mohm @ 17a,10v | 4.75V @ 250µA | 55 NC @ 10 V | ±25V | 2370 pf @ 100 V | - | 40W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPSC2H065BY-TR | 0.8336 | ![]() | 7620 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101,Ecopack®2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | STPSC2 | SIC (碳化硅) | DPAK | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 497-STPSC2H065BY-TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.55 V @ 2 A | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -40°C〜175°C | 2a | 135pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
stth2l06 | 0.8200 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | stth2 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 2 A | 85 ns | 2 µA @ 600 V | 175°c (最大) | 2a | - |
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