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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 测试条件 功率 -输出 获得 当前的 电压 电压 -隔离 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STGIPS15C60-H STMicroelectronics STGIPS15C60-H 13.4400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm™ 管子 过时的 通过洞 25-PowerDip 模块( 0.993英寸,25.23毫米) IGBT STGIPS15 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 11 3期 15 a 600 v 2500vrms
Z0103MA 1AA2 STMicroelectronics Z0103MA 1AA2 0.6900
RFQ
ECAD 7846 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) Z0103 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 5,000 单身的 7 ma 逻辑 -敏感门 600 v 1 a 1.3 v 8a,8.5a 3 ma
STW28NK60Z STMicroelectronics STW28NK60Z -
RFQ
ECAD 8570 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW28N MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4424-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 27a(TC) 10V 185MOHM @ 13.5A,10V 4.5V @ 150µA 264 NC @ 10 V ±30V 6350 PF @ 25 V - 350W(TC)
2N1613 STMicroelectronics 2N1613 -
RFQ
ECAD 1760年 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -65°C 〜200°C(TJ) 通过洞 到205AD,TO-39-3 2N16 800兆 到39 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 500 50 V 500 MA 10NA(ICBO) NPN 1.5V @ 15mA,150mA 40 @ 150mA,10v 80MHz
BULB49DT4 STMicroelectronics Bulb49dt4 -
RFQ
ECAD 3210 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Bulb49 80 W d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 450 v 5 a 100µA NPN 1.2V @ 800mA,4a 4 @ 7a,10v -
STX13005 STMicroelectronics STX13005 -
RFQ
ECAD 9242 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) STX13005 2.8 w TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4429 Ear99 8541.29.0095 2,500 400 v 3 a 1ma NPN 5V @ 750mA,3a 8 @ 2a,5v -
STP5NK52ZD STMicroelectronics STP5NK52ZD 2.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP5NK52 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 520 v 4.4A(TC) 10V 1.5OHM @ 2.2a,10v 4.5V @ 50µA 16.9 NC @ 10 V ±30V 529 pf @ 25 V - 25W(TC)
Z00607MA 5BL2 STMicroelectronics Z00607MA 5BL2 0.6000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜110°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) Z00607 TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2,000 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 600 v 800 MA 1.3 v 9a,9.5a 5 ma
STF11NM60N STMicroelectronics STF11NM60N -
RFQ
ECAD 3990 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF11 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 10A(TC) 10V 450MOHM @ 5A,10V 4V @ 250µA 31 NC @ 10 V ±25V 850 pf @ 50 V - 25W(TC)
STW33N60M2 STMicroelectronics STW33N60M2 5.7500
RFQ
ECAD 1382 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW33 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 26a(TC) 10V 125MOHM @ 13A,10V 4V @ 250µA 45.5 NC @ 10 V ±25V 1781 PF @ 100 V - 190w(TC)
MMBTA92 STMicroelectronics MMBTA92 -
RFQ
ECAD 4042 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBT 350兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 300 v 500 MA 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 2mA,20mA 40 @ 30mA,10V 50MHz
RF2L16080CF2 STMicroelectronics RF2L16080CF2 63.5250
RFQ
ECAD 3262 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 65 v 表面安装 2L-FLG RF2L16080 1.3GHz〜1.7GHz ldmos A2 - rohs3符合条件 到达不受影响 497-RF2L16080CF2 160 - 1µA 80W 18db -
STO52N60DM6 STMicroelectronics STO52N60DM6 4.5000
RFQ
ECAD 4980 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powersfn Sto52 MOSFET (金属 o化物) HV) - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STO52N60DM6 Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 600 v 45A(TC) 10V 78mohm @ 22.5a,10v 4.75V @ 250µA 52 NC @ 10 V ±25V 2468 PF @ 100 V - 305W(TC)
BTA08-600BWRG STMicroelectronics BTA08-600BWRG 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTA08 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 600 v 8 a 1.3 v 80a,84a 50 mA
E-ULQ2003D1 STMicroelectronics E-ULQ2003D1 -
RFQ
ECAD 5676 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) ULQ2003 - 16件事 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 50V 500mA - 7 NPN达灵顿 1.6V @ 500µA,350mA 1000 @ 350mA,2V -
BD241A-A STMicroelectronics BD241A-A -
RFQ
ECAD 6894 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BD241 40 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 60 V 3 a 300µA NPN 1.2V @ 600mA,3a 25 @ 1A,4V -
STP6NK50Z STMicroelectronics STP6NK50Z -
RFQ
ECAD 3107 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP6N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4385-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 5.6A(TC) 10V 1.2OHM @ 2.8A,10V 4.5V @ 50µA 24.6 NC @ 10 V ±30V 690 pf @ 25 V - 90W(TC)
P0102MN 5AA4 STMicroelectronics P0102MN 5AA4 0.7000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-261-4,TO-261AA P0102 SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1,000 5 ma 600 v 800 MA 800 mv 7a,8a 200 µA 1.95 v 500 MA 10 µA 敏感门
STD35N3LH5 STMicroelectronics STD35N3LH5 -
RFQ
ECAD 9747 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™v 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD35 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 35A(TC) 4.5V,10V 16mohm @ 15a,10v 2.5V @ 250µA 6 NC @ 4.5 V ±20V 725 PF @ 25 V - 35W(TC)
BD437 STMicroelectronics BD437 0.9700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 不适合新设计 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 BD437 36 W SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 45 v 4 a 100µA NPN 600mv @ 200mA,2a 30 @ 10mA,5V 3MHz
X0402MF 0AA2 STMicroelectronics X0402MF 0AA2 -
RFQ
ECAD 5463 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 to-202无标签 X0402 TO-202-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 5 ma 600 v 1.35 a 800 mv 30a,33a 200 µA 1.8 v 900 MA 5 µA 敏感门
STW38N65M5-4 STMicroelectronics STW38N65M5-4 7.8300
RFQ
ECAD 50 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M5 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 STW38 MOSFET (金属 o化物) TO-247-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 30A(TC) 10V 95mohm @ 15a,10v 5V @ 250µA 71 NC @ 10 V ±25V 3000 pf @ 100 V - 190w(TC)
STSA1805 STMicroelectronics STSA1805 -
RFQ
ECAD 9692 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) STSA1805 1.1 w TO-92-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 5 a 100NA(ICBO) NPN 600mv @ 200mA,5a 200 @ 100mA,2V 150MHz
STP4NK50ZFP STMicroelectronics STP4NK50ZFP -
RFQ
ECAD 3224 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP4N MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 3A(TC) 10V 2.7OHM @ 1.5A,10V 4.5V @ 50µA 12 nc @ 10 V ±30V 310 pf @ 25 V - 20W(TC)
STD30NF06LAG STMicroelectronics STD30NF06LAG 0.4670
RFQ
ECAD 1778年 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD30 MOSFET (金属 o化物) DPAK - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 60 V 35A(TC) - - - - - -
STGB30H65DFB2 STMicroelectronics STGB30H65DFB2 2.6900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics HB2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-4,d²pak(3 +选项卡),TO-263AA STGB30 标准 167 w D2PAK-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-STGB30H65DFB2TR Ear99 8541.29.0095 1,000 400V,30a,6.8Ohm,15V 115 ns 沟渠场停止 650 v 50 a 90 a 2.1V @ 15V,30a 270µJ(在)(310µJ)上 90 nc 18.4NS/71NS
STTH2R02UY STMicroelectronics stth2r02uy 0.1528
RFQ
ECAD 7409 0.00000000 Stmicroelectronics Q汽车 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB stth2 标准 SMB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1 V @ 2 A 30 ns 3 µA @ 200 V 175°c (最大) 2a -
STTH100W04CW STMicroelectronics stth100w04cw 5.9800
RFQ
ECAD 570 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 stth100 标准 TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13402 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 400 v 50a 1.45 V @ 50 A 50 ns 25 µA @ 400 V 175°c (最大)
STL57N65M5 STMicroelectronics STL57N65M5 11.4800
RFQ
ECAD 2950 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL57 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(8x8)HV 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 650 v 4.3A(TA),22.5a tc) 10V 69mohm @ 20a,10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±25V 4200 PF @ 100 V - 2.8W(ta),189w(tc)
STGIF5CH60S-X STMicroelectronics STGIF5CH60S-X 9.4165
RFQ
ECAD 1964年 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm -第二 大部分 积极的 通过洞 26-PowerDip 模块(1.146英寸,29.10mm) IGBT stgif5 - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STGIF5CH60S-X Ear99 8542.39.0001 156 3相逆变器 8 a 600 v 1600vrms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库