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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
STTH60RQ06W STMicroelectronics stth60rq06w 3.9200
RFQ
ECAD 315 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 DO-247-2 (直线直线) stth60 标准 DO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-18142 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 65 ns 80 µA @ 600 V 175°c (最大) 60a -
STGWA30M65DF2 STMicroelectronics STGWA30M65DF2 3.7400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STGWA30 标准 258 w TO-247长铅 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,30a,10ohm,15V 140 ns 沟渠场停止 650 v 60 a 120 a 2V @ 15V,30a (300µJ)(在960µJ上) 80 NC 31.6ns/115ns
STPS3045FP STMicroelectronics STPS3045FP -
RFQ
ECAD 4269 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 STPS3045 肖特基 TO-220FPAC 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 620 MV @ 30 A 300 µA @ 45 V 175°c (最大) 30a -
BYW80FP-200 STMicroelectronics BYW80FP-200 -
RFQ
ECAD 6018 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 BYW80 标准 TO-220FPAC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-4187-5 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.15 V @ 15 A 35 ns 10 µA @ 200 V 150°C (最大) 10a -
STW80NF55-08 STMicroelectronics STW80NF55-08 -
RFQ
ECAD 6274 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 stw80n MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 600 n通道 55 v 80A(TC) 10V 8mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 3850 pf @ 25 V - 300W(TC)
STTH15S12D STMicroelectronics stth15s12d 1.7500
RFQ
ECAD 5026 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 Stth15 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-15567-5 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 3.1 V @ 15 A 40 ns 10 µA @ 1200 V 175°c (最大) 15a -
STU7LN80K5 STMicroelectronics Stu7LN80K5 2.1600
RFQ
ECAD 9484 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA Stu7ln80 MOSFET (金属 o化物) TO-251(IPAK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16498-5 Ear99 8541.29.0095 75 n通道 800 v 5A(TC) 10V 1.15OHM @ 2.5A,10V 5V @ 100µA 12 nc @ 10 V ±30V 270 pf @ 100 V - 85W(TC)
2STF2360 STMicroelectronics 2STF2360 0.5900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2STF2360 1.4 w SOT-89-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 2,500 60 V 3 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 150mA,3a 160 @ 1A,2V 130MHz
STPS30M60CT STMicroelectronics STPS30M60CT 1.4900
RFQ
ECAD 423 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-3 STPS30 肖特基 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 590 mv @ 15 A 80 µA @ 60 V 150°C (最大)
STTH312B STMicroelectronics stth312b -
RFQ
ECAD 2952 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 stth312 标准 DPAK 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2 V @ 3 A 115 ns 10 µA @ 1200 V 175°c (最大) 3a -
STP24N60M6 STMicroelectronics STP24N60M6 2.8300
RFQ
ECAD 685 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M6 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP24 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-18249 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 17a(TJ) 10V 190mohm @ 8.5a,10v 4.75V @ 250µA 23 NC @ 10 V ±25V 960 pf @ 100 V - 130W(TC)
STD1HN60K3 STMicroelectronics STD1HN60K3 1.5900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh3™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD1HN60 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 1.2A(TC) 10V 8ohm @ 600mA,10v 4.5V @ 50µA 9.5 NC @ 10 V ±30V 140 pf @ 50 V - 27W(TC)
TN4015H-6T STMicroelectronics TN4015H-6T 1.8400
RFQ
ECAD 7572 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜150°C 通过洞 TO-220-3 TN4015 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-17021 Ear99 8541.30.0080 50 60 ma 600 v 40 a 1.3 v 360a,390a 15 ma 1.6 v 22 a 标准恢复
ULQ2802A STMicroelectronics ULQ2802A 3.0300
RFQ
ECAD 7211 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜105°C 通过洞 18 浸(0.300英寸,7.62mm) ULQ2802 2.25W 18浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 50V 500mA - 8 npn达灵顿 1.6V @ 500µA,350mA 1000 @ 350mA,2V -
STY112N65M5 STMicroelectronics Sty112N65M5 37.6900
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™v 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 Styn112 MOSFET (金属 o化物) Max247™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 96A(TC) 10V 22mohm @ 47a,10v 5V @ 250µA 350 NC @ 10 V ±25V 16870 PF @ 100 V - 625W(TC)
BYV54V-200 STMicroelectronics BYV54V-200 -
RFQ
ECAD 2290 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 底盘安装 同位素 BYV54V 标准 isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 2独立 200 v 50a 850 MV @ 50 A 60 ns 50 µA @ 200 V
STP5NK50ZFP STMicroelectronics STP5NK50ZFP 1.9700
RFQ
ECAD 866 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STP5NK50 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 4.4A(TC) 10V 1.5OHM @ 2.2a,10v 4.5V @ 50µA 28 NC @ 10 V ±30V 535 pf @ 25 V - 70W(TC)
STPS15L30CB-TR STMicroelectronics STPS15L30CB-Tr 1.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STPS15 肖特基 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 7.5a 480 mv @ 7.5 A 1 ma @ 30 V 150°C (最大)
STB60N55F3 STMicroelectronics STB60N55F3 -
RFQ
ECAD 2768 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB STB60N MOSFET (金属 o化物) D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 55 v 80A(TC) 10V 8.5MOHM @ 32A,10V 4V @ 250µA 45 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 110W(TC)
T410-400T STMicroelectronics T410-400T -
RFQ
ECAD 2253 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 T410 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 15 ma 逻辑 -敏感门 400 v 4 a 1.3 v 30a,31a 10 MA
STPS40M120CR STMicroelectronics STPS40M120CR 1.5800
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS40 肖特基 i2pak 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 20a 790 mv @ 20 a 370 µA @ 120 V 150°C (最大)
STTH10R04G-TR STMicroelectronics stth10r04g-tr 1.5000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB stth10 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.7 V @ 10 A 40 ns 10 µA @ 400 V 175°c (最大) 10a -
STB21NM60N-1 STMicroelectronics STB21NM60N-1 -
RFQ
ECAD 1868年 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STB21N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5728 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 17a(TC) 10V 220MOHM @ 8.5A,10V 4V @ 250µA 66 NC @ 10 V ±25V 1900 pf @ 50 V - 140W(TC)
TN2010H-6I STMicroelectronics TN2010H-6I 1.3900
RFQ
ECAD 6661 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 TN2010 TO-220AB绝缘 - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 497-TN2010H-6I Ear99 8541.30.0080 50 40 MA 600 v 20 a 1.3 v 180a,197a 10 MA 1.6 v 13 a 5 µA 标准恢复
PD57002-E STMicroelectronics PD57002-E -
RFQ
ECAD 1219 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 65 v Powerso-10裸露的底部垫 PD57002 960MHz ldmos 10-Powerso 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 250mA 10 MA 2W 15DB - 28 V
STPS15L45CB-TR STMicroelectronics STPS15L45CB-TR 1.9000
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STPS15 肖特基 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 520 MV @ 7.5 A 1 mA @ 45 V 150°C (最大)
STF3NK100Z STMicroelectronics STF3NK100Z 3.8900
RFQ
ECAD 6314 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF3NK100 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 2.5A(TC) 10V 6ohm @ 1.25A,10V 4.5V @ 50µA 18 nc @ 10 V ±30V 601 PF @ 25 V - 25W(TC)
STP75NS04Z STMicroelectronics STP75NS04Z 2.1200
RFQ
ECAD 9837 0.00000000 Stmicroelectronics 网格叠加™III 管子 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP75 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5981-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 33 V 80A(TC) 10V 11mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 50 NC @ 10 V 夹紧 1860 pf @ 25 V - 110W(TC)
STD5NK60ZT4 STMicroelectronics STD5NK60ZT4 1.8100
RFQ
ECAD 2996 0.00000000 Stmicroelectronics SuperMesh™ 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD5NK60 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 5A(TC) 10V 1.6OHM @ 2.5A,10V 4.5V @ 50µA 34 NC @ 10 V ±30V 690 pf @ 25 V - 90W(TC)
BYW51FP-200 STMicroelectronics BYW51FP-200 -
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 byw51 标准 TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 850 mv @ 8 a 35 ns 15 µA @ 200 V 150°C (最大)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库