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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (ih)(IH)) 测试条件 获得 当前的 电压 电压 -隔离 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
STPS10L60D STMicroelectronics STPS10L60D 1.6500
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 STPS10 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 600 mv @ 10 a 350 µA @ 60 V 150°C (最大) 10a -
STS4DNF60L STMicroelectronics STS4DNF60L 2.3000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) STS4DNF60 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 60V 4a 55mohm @ 2a,10v 2.5V @ 250µA 15nc @ 4.5V 1030pf @ 25V 逻辑级别门
STF24N60M2 STMicroelectronics STF24N60M2 2.9500
RFQ
ECAD 181 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF24 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13577-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 18A(TC) 10V 190mohm @ 9a,10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±25V 1060 pf @ 100 V - 30W(TC)
STP11NM60FP STMicroelectronics STP11NM60FP -
RFQ
ECAD 3730 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11A(TC) 10V 450MOHM @ 5.5A,10V 5V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 25 V - 35W(TC)
STGFW80V60F STMicroelectronics STGFW80V60F 6.4300
RFQ
ECAD 193 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3 STGFW80 标准 79 w to-3pf 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,80a,10ohm,15V 沟渠场停止 600 v 120 a 240 a 2.3V @ 15V,80a 1.8mj(在)上,1MJ(1MJ) 448 NC 60NS/220NS
STL130N6F7 STMicroelectronics STL130N6F7 2.2800
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™F7 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL130 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(5x6) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-15910-2 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 130a(TC) 10V 3.5MOHM @ 13A,10V 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 4.8W(ta),125W(tc)
SD1433 STMicroelectronics SD1433 -
RFQ
ECAD 4293 0.00000000 Stmicroelectronics - 大部分 过时的 200°C(TJ) 底盘,螺柱坐骑 M122 SD1433 58W M122 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 40 7db 16V 2.5a NPN 10 @ 1A,5V - -
TN4050HP-12WY STMicroelectronics TN4050HP-12WY 5.6300
RFQ
ECAD 235 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 TN4050 TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-TN4050HP-12WY Ear99 8541.30.0080 30 100 ma 1.2 kV 40 a 1.3 v 400a,440a 50 mA 1.55 v 25 a 5 µA 标准恢复
ST600K STMicroelectronics ST600K -
RFQ
ECAD 1679年 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-225AA,TO-126-3 ST600 12.5 w SOT-32-3 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,000 120 v 1 a 1µA(ICBO) NPN 500mv @ 50mA,500mA 120 @ 100mA,5V -
STL13NM60N STMicroelectronics STL13NM60N 3.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL13 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(8x8)HV 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 10A(TC) 10V 385MOHM @ 5A,10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±30V 790 pf @ 50 V - (3W)(90W(ta)(TC)
STFI13N60M2 STMicroelectronics STFI13N60M2 3.3200
RFQ
ECAD 454 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3完整包,i²pak STFI13N MOSFET (金属 o化物) I2PAKFP(to-281) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 11A(TC) 10V 380MOHM @ 5.5A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 580 pf @ 100 V - 25W(TC)
STPS6M100SF STMicroelectronics STPS6M100SF 0.7600
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn STPS6 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 35 µA @ 100 V 175°c (最大) 6a -
BTA06-800BWRG STMicroelectronics BTA06-800BWRG 1.8100
RFQ
ECAD 993 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTA06 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 替代者 -无用 800 v 6 a 1.3 v 60a,63a 50 mA
STB23N80K5 STMicroelectronics STB23N80K5 5.2600
RFQ
ECAD 564 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™K5 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STB23 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 800 v 16A(TC) 10V 280MOHM @ 8A,10V 5V @ 100µA 33 NC @ 10 V ±30V 1000 pf @ 100 V - 190w(TC)
STGIPS15C60-H STMicroelectronics STGIPS15C60-H 13.4400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Stmicroelectronics Sllimm™ 管子 过时的 通过洞 25-PowerDip 模块( 0.993英寸,25.23毫米) IGBT STGIPS15 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 11 3期 15 a 600 v 2500vrms
STB13NM50N-1 STMicroelectronics STB13NM50N-1 -
RFQ
ECAD 8113 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STB13N MOSFET (金属 o化物) i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12A(TC) 10V 320MOHM @ 6A,10V 4V @ 250µA 30 NC @ 10 V ±25V 960 pf @ 50 V - 100W(TC)
BTA16-800BRG STMicroelectronics BTA16-800BRG 2.4700
RFQ
ECAD 357 0.00000000 Stmicroelectronics - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTA16 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 50 mA 标准 800 v 16 a 1.3 v 160a,168a 50 mA
STF130N10F3 STMicroelectronics STF130N10F3 3.4200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF13 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 46A(TC) 10V 9.6mohm @ 23A,10V 4V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±20V 3305 PF @ 25 V - 35W(TC)
BU807 STMicroelectronics BU807 -
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BU807 60 W TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 BU807st Ear99 8541.29.0095 1,000 150 v 8 a 100µA npn-达灵顿 1.5V @ 50mA,5a - -
STF20NF20 STMicroelectronics STF20NF20 1.9800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF20 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5811-5 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 18A(TC) 10V 125mohm @ 10a,10v 4V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 940 pf @ 25 V - 30W(TC)
STTA2006P STMicroelectronics stta2006p -
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch™ 管子 过时的 通过洞 SOD-93-2 STTA200 标准 SOD-93-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 20 A 60 ns 100 µA @ 600 V 150°C (最大) 20a -
T435-600B STMicroelectronics T435-600B 1.1700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 管子 积极的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 T435 DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 75 单身的 35 MA 替代者 -无用 600 v 4 a 1.3 v 30a,31a 35 MA
STPS20SM60D STMicroelectronics STPS20SM60D 1.4700
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 上次购买 通过洞 TO-220-2 STPS20 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-12305 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 630 mv @ 20 a 85 µA @ 60 V 150°C (最大) 20a -
T1235H-8T STMicroelectronics T1235H-8T 1.3500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectronics h 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 T1235 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-T1235H-8T Ear99 8541.30.0080 50 单身的 35 MA 替代者 -无用 800 v 12 a 1.3 v 120a,126a 35 MA
TN1215-600G STMicroelectronics TN1215-600G 1.9500
RFQ
ECAD 7503 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB TN1215 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 30 ma 600 v 12 a 1.3 v 140a,145a 15 ma 1.6 v 8 a 5 µA 标准恢复
BTA06-700SWRG STMicroelectronics BTA06-700SWRG -
RFQ
ECAD 1283 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 BTA06 TO-220 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 15 ma 逻辑 -敏感门 700 v 6 a 1.3 v 60a,63a 10 MA
TYN1012RG STMicroelectronics tyn1012rg 2.9600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-220-3 Tyn1012 TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 50 30 ma 1 kV 12 a 1.3 v 140a,145a 15 ma 1.6 v 8 a 5 µA 标准恢复
STTA1206G-TR STMicroelectronics stta1206g-tr -
RFQ
ECAD 2150 0.00000000 Stmicroelectronics TurboSwitch™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB STTA120 标准 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.75 V @ 12 A 55 ns 100 µA @ 600 V 150°C (最大) 12a -
STW33N60M2 STMicroelectronics STW33N60M2 5.7500
RFQ
ECAD 1382 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II Plus 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW33 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 26a(TC) 10V 125MOHM @ 13A,10V 4V @ 250µA 45.5 NC @ 10 V ±25V 1781 PF @ 100 V - 190w(TC)
BCP52-16 STMicroelectronics BCP52-16 -
RFQ
ECAD 5042 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-261-4,TO-261AA BCP52 1.4 w SOT-223 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 a 100NA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,500mA 100 @ 150mA,2V 50MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库