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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 测试条件 | 获得 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | ((av)(av)) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电流 -icm) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STPS10L60D | 1.6500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | STPS10 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 600 mv @ 10 a | 350 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 10a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STS4DNF60L | 2.3000 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | STS4DNF60 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 60V | 4a | 55mohm @ 2a,10v | 2.5V @ 250µA | 15nc @ 4.5V | 1030pf @ 25V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF24N60M2 | 2.9500 | ![]() | 181 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II Plus | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF24 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-13577-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 18A(TC) | 10V | 190mohm @ 9a,10v | 4V @ 250µA | 29 NC @ 10 V | ±25V | 1060 pf @ 100 V | - | 30W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STP11NM60FP | - | ![]() | 3730 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 450MOHM @ 5.5A,10V | 5V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 1000 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGFW80V60F | 6.4300 | ![]() | 193 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-3P-3 | STGFW80 | 标准 | 79 w | to-3pf | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V,80a,10ohm,15V | 沟渠场停止 | 600 v | 120 a | 240 a | 2.3V @ 15V,80a | 1.8mj(在)上,1MJ(1MJ) | 448 NC | 60NS/220NS | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STL130N6F7 | 2.2800 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™F7 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL130 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(5x6) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-15910-2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 130a(TC) | 10V | 3.5MOHM @ 13A,10V | 4V @ 250µA | 42 NC @ 10 V | ±20V | 2600 PF @ 25 V | - | 4.8W(ta),125W(tc) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SD1433 | - | ![]() | 4293 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 大部分 | 过时的 | 200°C(TJ) | 底盘,螺柱坐骑 | M122 | SD1433 | 58W | M122 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | 7db | 16V | 2.5a | NPN | 10 @ 1A,5V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN4050HP-12WY | 5.6300 | ![]() | 235 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | 汽车,AEC-Q101 | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | TN4050 | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-TN4050HP-12WY | Ear99 | 8541.30.0080 | 30 | 100 ma | 1.2 kV | 40 a | 1.3 v | 400a,440a | 50 mA | 1.55 v | 25 a | 5 µA | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ST600K | - | ![]() | 1679年 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | ST600 | 12.5 w | SOT-32-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 120 v | 1 a | 1µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 50mA,500mA | 120 @ 100mA,5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
STL13NM60N | 3.4200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | STL13 | MOSFET (金属 o化物) | PowerFlat™(8x8)HV | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 10A(TC) | 10V | 385MOHM @ 5A,10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±30V | 790 pf @ 50 V | - | (3W)(90W(ta)(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STFI13N60M2 | 3.3200 | ![]() | 454 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II Plus | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3完整包,i²pak | STFI13N | MOSFET (金属 o化物) | I2PAKFP(to-281) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 380MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 17 NC @ 10 V | ±25V | 580 pf @ 100 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS6M100SF | 0.7600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Ecopack®2 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-277,3-PowerDfn | STPS6 | 肖特基 | TO-277A(SMPC) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 6,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 35 µA @ 100 V | 175°c (最大) | 6a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA06-800BWRG | 1.8100 | ![]() | 993 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BTA06 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 50 mA | 替代者 -无用 | 800 v | 6 a | 1.3 v | 60a,63a | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB23N80K5 | 5.2600 | ![]() | 564 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™K5 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STB23 | MOSFET (金属 o化物) | d²pak(to-263) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 800 v | 16A(TC) | 10V | 280MOHM @ 8A,10V | 5V @ 100µA | 33 NC @ 10 V | ±30V | 1000 pf @ 100 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIPS15C60-H | 13.4400 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Sllimm™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 25-PowerDip 模块( 0.993英寸,25.23毫米) | IGBT | STGIPS15 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 11 | 3期 | 15 a | 600 v | 2500vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STB13NM50N-1 | - | ![]() | 8113 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | STB13N | MOSFET (金属 o化物) | i2pak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 12A(TC) | 10V | 320MOHM @ 6A,10V | 4V @ 250µA | 30 NC @ 10 V | ±25V | 960 pf @ 50 V | - | 100W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA16-800BRG | 2.4700 | ![]() | 357 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BTA16 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 50 mA | 标准 | 800 v | 16 a | 1.3 v | 160a,168a | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF130N10F3 | 3.4200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™III | 管子 | 过时的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF13 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 46A(TC) | 10V | 9.6mohm @ 23A,10V | 4V @ 250µA | 57 NC @ 10 V | ±20V | 3305 PF @ 25 V | - | 35W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BU807 | - | ![]() | 1433 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU807 | 60 W | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | BU807st | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 150 v | 8 a | 100µA | npn-达灵顿 | 1.5V @ 50mA,5a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STF20NF20 | 1.9800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | StripFet™ | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | STF20 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-5811-5 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 200 v | 18A(TC) | 10V | 125mohm @ 10a,10v | 4V @ 250µA | 39 NC @ 10 V | ±20V | 940 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stta2006p | - | ![]() | 3050 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | TurboSwitch™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | SOD-93-2 | STTA200 | 标准 | SOD-93-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.75 V @ 20 A | 60 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | T435-600B | 1.1700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Snubberless™ | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | T435 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 75 | 单身的 | 35 MA | 替代者 -无用 | 600 v | 4 a | 1.3 v | 30a,31a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STPS20SM60D | 1.4700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 上次购买 | 通过洞 | TO-220-2 | STPS20 | 肖特基 | TO-220AC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-12305 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 60 V | 630 mv @ 20 a | 85 µA @ 60 V | 150°C (最大) | 20a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
T1235H-8T | 1.3500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | h | 管子 | 积极的 | -40°C〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | T1235 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 497-T1235H-8T | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 35 MA | 替代者 -无用 | 800 v | 12 a | 1.3 v | 120a,126a | 35 MA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TN1215-600G | 1.9500 | ![]() | 7503 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | TN1215 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 30 ma | 600 v | 12 a | 1.3 v | 140a,145a | 15 ma | 1.6 v | 8 a | 5 µA | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BTA06-700SWRG | - | ![]() | 1283 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BTA06 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 15 ma | 逻辑 -敏感门 | 700 v | 6 a | 1.3 v | 60a,63a | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
tyn1012rg | 2.9600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-220-3 | Tyn1012 | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 50 | 30 ma | 1 kV | 12 a | 1.3 v | 140a,145a | 15 ma | 1.6 v | 8 a | 5 µA | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | stta1206g-tr | - | ![]() | 2150 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | TurboSwitch™ | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | STTA120 | 标准 | D2PAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.75 V @ 12 A | 55 ns | 100 µA @ 600 V | 150°C (最大) | 12a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STW33N60M2 | 5.7500 | ![]() | 1382 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | MDMESH™II Plus | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | STW33 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 600 v | 26a(TC) | 10V | 125MOHM @ 13A,10V | 4V @ 250µA | 45.5 NC @ 10 V | ±25V | 1781 PF @ 100 V | - | 190w(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCP52-16 | - | ![]() | 5042 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | BCP52 | 1.4 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 1 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,2V | 50MHz |
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