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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STH130N8F7-2	-	RFQ	4087	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH130			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							80 V	110A（TC）	10V	5mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	205W（TC）
STGF10NC60SD	-	RFQ	7350	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF10	标准			25 w	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50						390V，5A，10欧姆，15V																													22 ns			-	600 v	10 a	25 a	1.65V @ 15V，5A	60µJ（在）上，340µJ（OFF）	18 NC	19NS/160NS
BU806	-	RFQ	8542	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BU806				60 W	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50																																							200 v	8 a							100µA	npn-达灵顿	1.5V @ 50mA，5a	-	-
STGB20V60F	-	RFQ	2589	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准			167 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，20A，15V																																沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
stth20003Tv1	29.3000	RFQ	9475	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			底盘安装	同位素	stth20003			标准		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													2独立	300 v	100a	1.2 V @ 100 A	90 ns	200 µA @ 300 V	150°C （最大）
ACST8-8CT	-	RFQ	8171	Stmicroelectronics	ASD™	管子	过时的		-	通过洞	TO-220-3	ACST8					TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的				40 MA															标准	800 v	8 a	1.5 v	80a，85a	30 ma
RF4L15400CB4	217.8000	RFQ	1394	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	90 v		底盘安装	D4E	RF4L15400		1.2GHz〜1.5GHz	ldmos		D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF4L15400CB4			100	-			1µA			1.5 a	400W	18.5db																					-																40 V
STGW35NC60WD	-	RFQ	6706	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW35	标准			260 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						390V，20a，10ohm，15V																													40 ns			-	600 v	70 a	150 a	2.6V @ 15V，20A	305µJ（在）上，181µJ（OFF）	102 NC	29.5NS/118NS
STGW80H65FB	4.3647	RFQ	3558	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW80	标准			469 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，80a，10ohm，15V																																沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
STGD7NC60HT4	2.7400	RFQ	9	Stmicroelectronics	PowerMesh™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STGD7	标准			70 W	TO-252（D-PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500						390V，7A，10欧姆，15V																																-	600 v	25 a	50 a	2.5V @ 15V，7a	95µJ（在）上，115µJ（115µJ）	35 NC	18.5NS/72NS
STPS6045CP	-	RFQ	5331	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-218-3	STPS60			肖特基		SOT-93	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	300		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																													1对普通阴极	45 v	30a	630 MV @ 30 A		500 µA @ 45 V	175°c （最大）
STH110N8F7-2	-	RFQ	2457	Stmicroelectronics	StripFet™F7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH110			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							80 V	110A（TC）	10V	6.6mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	170W（TC）
P0109DA 5AL3	0.5100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	P0109					TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000					5 ma																400 v	800 MA	800 mv	7a，8a	200 µA	1.95 v	500 MA	10 µA	敏感门
Z0107MN 5AA4	0.7700	RFQ	3	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	Z0107					SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的				10 MA															逻辑 -敏感门	600 v	1 a	1.3 v	8a，8.5a	5 ma
STW46NF30	4.1300	RFQ	5905	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW46			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13595-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道							300 v	42A（TC）	10V	75mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
TPDV1025RG	9.8568	RFQ	3438	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	前3名	TPDV1025					top3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	30	单身的				50 mA															替代者 -无用	1 kV	25 a	1.5 v	230a，250a	150 ma
STGW40H65DFB	4.2900	RFQ	7118	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准			283 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-14365	Ear99	8541.29.0095	30						400V，40a，5ohm，15V																													62 ns			沟渠场停止	650 v	80 a	160 a	2V @ 15V，40a	（498µJ）（在363µJ上）	210 NC	40NS/142NS
STW36N55M5	-	RFQ	1531年	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	stw36n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							550 v	33A（TC）	10V	80MOHM @ 16.5a，10V	5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±25V	2950 pf @ 100 V	-	190w（TC）
IRFP450	-	RFQ	8508	Stmicroelectronics	PowerMesh™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	497-2735-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道							500 v	14A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±30V	2000 pf @ 25 V	-	190w（TC）
STB150NF55T4	4.2300	RFQ	4535	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB150			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							55 v	120A（TC）	10V	6mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
Z0109MA 2AL2	0.6600	RFQ	32	Stmicroelectronics	-	（CT）	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	Z0109					到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的				10 MA															逻辑 -敏感门	600 v	1 a	1.3 v	8a，8.5a	10 MA
STB18NF30	2.6700	RFQ	8577	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB18			MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							330 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	150W（TC）
STP18N65M5	3.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							650 v	15A（TC）	10V	220MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	110W（TC）
MJD47T4	0.9500	RFQ	4439	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD47				15 W	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																																							250 v	1 a							100µA	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
STP300NH02L	-	RFQ	4211	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	stp300			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							24 V	120A（TC）	10V	2.2MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	109.4 NC @ 10 V	±20V	7055 pf @ 15 V	-	300W（TC）
STI55NF03L	1.7000	RFQ	755	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-60°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI55			MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							30 V	55A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 27.5a，10v	2.5V @ 250µA	27 NC @ 4.5 V	±16V	1265 PF @ 25 V	-	80W（TC）
STGW40M120DF3	8.2200	RFQ	70	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW40	标准			468 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						600V，40a，10ohm，15V																													355 ns			沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	1.5mj（在）上，2.25mj off）	125 NC	35NS/140NS
Ste140NF20D	-	RFQ	8856	Stmicroelectronics	StripFet™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	Ste1			MOSFET （金属 o化物）		同位素	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			n通道							200 v	140a（TC）	10V	12mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	338 NC @ 10 V	±20V	11100 PF @ 25 V	-	500W（TC）
STP2NK60Z	-	RFQ	6122	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP2N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-4377-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							600 v	1.4A（TC）	10V	8ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 50µA	10 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	45W（TC）
STP6NK70Z	-	RFQ	9128	Stmicroelectronics	SuperMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP6N			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							700 v	5A（TC）	10V	1.8Ohm @ 2.5a，10v	4.5V @ 100µA	47 NC @ 10 V	±30V	930 PF @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²