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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f
RF5L051K5CB4	187.5000	RFQ	8349	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		底盘安装	D4E		RF5L051K5		500MHz	ldmos		D4E	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L051K5CB4			100	-			1µA			200 ma	1500W	22DB														-																50 V
STS3DNE60L	-	RFQ	3030	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		STS3D			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）												60V	3a		80MOHM @ 1.5A，10V	1V @ 250µA	13.5nc @ 4.5V		815pf @ 25V	逻辑级别门
STF6N65M2	1.6900	RFQ	300	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF6			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										650 v	4A（TC）	10V	1.35ohm @ 2a，10v	4V @ 250µA	9.8 NC @ 10 V	±25V	226 pf @ 100 V	-	20W（TC）
DMV1500HDFD6	-	RFQ	6264	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-		TO-220-3完整包		DMV1500					TO-220FPAB FD6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	675					6 a																									-										标准-1对系列连接	1500V	-
STGWA75M65DF2	7.2800	RFQ	82	Stmicroelectronics	m	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGWA75	标准			468 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-16975	Ear99	8541.29.0095	30						400V，75A，3.3OHM，15V																				165 ns					沟渠场停止	650 v	120 a	225 a	2.1V @ 15V，75a	（690µJ）（在），2.54mj coft）	225 NC	47NS/125NS
STF2N95K5	1.6800	RFQ	727	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF2N95			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	20W（TC）
STB70NFS03LT4	-	RFQ	6147	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB70N			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1026-STB70NFS03LT4	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										30 V	70A（TC）	5V，10V	9.5MOHM @ 35A，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 5 V	±18V	1440 pf @ 25 V	-	100W（TC）
stl4p3llh6	0.6200	RFQ	4	Stmicroelectronics	DeepGate™，脱衣Fet™H6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6 PowerWDFN		stl4p3			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15510-2	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道										30 V	4A（ta）	4.5V，10V	56mohm @ 2a，10v	2.5V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±20V	639 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
STL19N65M5	2.5800	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL19			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（8x8）HV	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										650 v	2.3a（ta），12.5a tc）	10V	240MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	2.8W（ta），90W（90W）TC）
STGIPQ3HD60-HL	-	RFQ	4022	Stmicroelectronics	Sllimm™	管子	过时的			通过洞	26-PowerDip 模块（ 0.573英寸，14.50mm）	IGBT							下载			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	360	3相逆变器									3 a	600 v	1500vrms
STD7NM60N	2.1700	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD7NM60			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道										600 v	5A（TC）	10V	900mohm @ 2.5a，10v	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±25V	363 PF @ 50 V	-	45W（TC）
STW68N65DM6	7.7157	RFQ	5334	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW68			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STW68N65DM6	Ear99	8541.29.0095	600			n通道										650 v	55A（TC）	10V	59MOHM @ 24A，10V	4.75V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	3528 PF @ 100 V	-	431W（TC）
STD2N95K5	1.5700	RFQ	1	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD2N95			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道										950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STW13NM60N	-	RFQ	3852	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		stw13n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道										600 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±25V	790 pf @ 50 V	-	90W（TC）
STP12N120K5	11.3400	RFQ	7545	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP12			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										1200 v	12A（TC）	10V	690MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	44.2 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STP21N90K5	6.6600	RFQ	8586	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP21			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-12864-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道										900 v	18.5A（TC）	10V	299MOHM @ 9A，10V	5V @ 100µA	43 NC @ 10 V	±30V	1645 PF @ 100 V	-	250W（TC）
STF4N90K5	2.1200	RFQ	922	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STF4N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17071	Ear99	8541.29.0095	50			n通道										900 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	5.3 NC @ 10 V	±30V	173 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STW19NM65N	-	RFQ	4369	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW19N			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道										650 v	15.5A（TC）	10V	270MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	1900 pf @ 50 V	-	150W（TC）
STW12N120K5	10.6600	RFQ	267	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW12			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15446-5	Ear99	8541.29.0095	30			n通道										1200 v	12A（TC）	10V	690MOHM @ 6A，10V	5V @ 100µA	44.2 NC @ 10 V	±30V	1370 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STGWT60H60DLFB	-	RFQ	6845	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		STGWT60	标准			375 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						400V，60a，5ohm，15V																									沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2V @ 15V，60a	626µJ（OFF）	306 NC	- /160NS
STD30NF06LT4	1.5600	RFQ	4	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD30			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道										60 V	35A（TC）	5V，10V	28mohm @ 18a，10v	2.5V @ 250µA	31 NC @ 5 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	70W（TC）
STB42N65M5	12.1200	RFQ	3	Stmicroelectronics	MDMESH™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		STB42			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										650 v	33A（TC）	10V	79MOHM @ 16.5A，10V	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±25V	4650 pf @ 100 V	-	190w（TC）
stth8r06gy-tr	1.7100	RFQ	2	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		stth8			标准		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						600 v	3.2 V @ 8 A	45 ns	30 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	8a	-
STW20NM60	6.3500	RFQ	7417	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW20			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道										600 v	20A（TC）	10V	290MOHM @ 10A，10V	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	192W（TC）
Ste45NK80ZD	-	RFQ	1252	Stmicroelectronics	SuperFredMesh™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素		Ste45			MOSFET （金属 o化物）		isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道										800 v	45A（TC）	10V	130mohm @ 22.5a，10v	4.5V @ 150µA	781 NC @ 10 V	±30V	26000 PF @ 25 V	-	600W（TC）
SCTH90N65G2V-7	35.0600	RFQ	87	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		SCTH90			sicfet （碳化硅）		H2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										650 v	90A（TC）	18V	26mohm @ 50a，18v	5V @ 1mA	157 NC @ 18 V	+22V，-10V	3300 PF @ 400 V	-	330W（TC）
STD9NM50N-1	-	RFQ	1448	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		STD9			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										500 v	5A（TC）	10V	560MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	570 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STGIB20M60S-L	18.2478	RFQ	4857	Stmicroelectronics	Sllimm™	管子	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	STGIB20						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器									25 a	600 v	1500vrms
STN4NF20L	0.7500	RFQ	3	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		STN4NF20			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道										200 v	1A（TC）	5V，10V	1.5OHM @ 500mA，10V	3V @ 250µA	0.9 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	3.3W（TC）
STP185N55F3	5.6500	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STP185			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										55 v	120A（TC）	10V	3.8mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	330W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²