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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	晶体管类型
STD26NF10	1.8800	RFQ	2835	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD26		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				100 v	25A（TC）	10V	38mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	1550 pf @ 25 V	-	100W（TC）
ACST1235-7G	1.0557	RFQ	3708	Stmicroelectronics	ACS™/ASD®	管子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ACST1235				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的			50 mA												标准	700 v	12 a	1 V	120a，126a	35 MA
STV200N55F3	-	RFQ	2554	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	Powerso-10裸露的底部垫	STV200		MOSFET （金属 o化物）		10-Powerso	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道				55 v	200a（TC）	10V	2.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STS8DN3LLH5	1.5700	RFQ	5995	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	STS8DN3		MOSFET （金属 o化物）	2.7W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）					30V	10a		19mohm @ 5a，10v	1V @ 250µA	5.4NC @ 4.5V		724pf @ 25V	逻辑级别门
STD3N80K5	1.6000	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD3N80		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				800 v	2.5A（TC）	10V	3.5OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	9.5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 100 V	-	60W（TC）
STI18N65M5	4.1100	RFQ	348	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	STI18N		MOSFET （金属 o化物）		i2pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				650 v	15A（TC）	10V	220MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1240 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STPLED627	-	RFQ	4443	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STPLED627		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				620 v	7A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.8A，10V	4.5V @ 50µA	35 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 50 V	-	90W（TC）
STB200N4F3	-	RFQ	9628	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB200N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				40 V	120A（TC）	10V	4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	300W（TC）
STGW30NC60WD	5.1400	RFQ	7858	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGW30	标准		200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					390V，20a，10ohm，15V																	40 ns	-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	305µJ（在）上，181µJ（OFF）	102 NC	29.5NS/118NS
STD5N95K3	3.0800	RFQ	7844	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD5N95		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道				950 v	4A（TC）	10V	3.5OHM @ 2A，10V	5V @ 100µA	19 nc @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	90W（TC）
STC03DE170HP	-	RFQ	7778	Stmicroelectronics	ESBT®	管子	过时的	1700V（（1.7kV）		门驱动程序	通过洞	TO-247-4	STC03D				TO-247-4L	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			3a																												npn-发射器切换双极
STW45NM50FD	-	RFQ	2801	Stmicroelectronics	FDMESH™	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STW45N		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道				500 v	45A（TC）	10V	100mohm @ 22.5a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	417W（TC）
Stu2N95K5	1.4700	RFQ	2	Stmicroelectronics	SuperMesh5™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu2n95		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				950 v	2A（TC）	10V	5ohm @ 1A，10V	5V @ 100µA	10 NC @ 10 V	30V	105 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STF12NM60N	-	RFQ	9351	Stmicroelectronics	MDMESH™II	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STF12		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				600 v	10A（TC）	10V	410MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30.5 NC @ 10 V	±25V	960 pf @ 50 V	-	25W（TC）
STGWA40S120DF3	-	RFQ	5102	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGWA40	标准		468 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15630-5	Ear99	8541.29.0095	30					600V，40a，15ohm，15V																	355 ns	沟渠场停止	1200 v	80 a	160 a	2.15V @ 15V，40a	1.43MJ（在）上，3.83mj off）	129 NC	35NS/148NS
ACST6-7SG-Tr	1.9200	RFQ	105	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-30°C〜125°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ACST6				D2PAK	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			25 ma												逻辑 -敏感门	700 v	6 a	1.5 v	45a，50a	10 MA
T5035H-8PI	5.0200	RFQ	533	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-40°C〜150°C（TJ）		通过洞	前3个绝缘					TOP-3I	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-T5035H-8PI	Ear99	8541.30.0080	30	单身的			60 ma												替代者 -无用	800 v	50 a	1.3 v	500a，525a	35 MA
STB180N55F3	6.2600	RFQ	2	Stmicroelectronics	StripFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STB180N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				55 v	120A（TC）	10V	3.5mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	330W（TC）
Z0109M1	0.1124	RFQ	6136	Stmicroelectronics	Ecopack®2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜125°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	Z0109				8-so	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	497-Z0109M1TR	Ear99	8541.30.0080	7,500	单身的			10 MA												标准	600 v	1 a	1.3 v	8a，8.5a	10 MA
STGWT80H65DFB	5.1703	RFQ	9575	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT80	标准		469 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，80a，10ohm，15V																	85 ns	沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
stgy40nc60vd	7.1000	RFQ	3487	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	Stgy40	标准		260 w	Max247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					390V，40a，3.3孔，15V																	44 ns	-	600 v	80 a		2.5V @ 15V，40a	330µJ（在）上，720µJ（OFF）	214 NC	43NS/140NS
Stu8nm60nd	-	RFQ	6379	Stmicroelectronics	FDMESH™II	管子	过时的		150°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu8n		MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道				600 v	7A（TC）	10V	700MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±30V	560 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STGW40V60DLF	4.8700	RFQ	417	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGW40	标准		283 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-13767-5	Ear99	8541.29.0095	30					400V，40a，10ohm，15V																		沟渠场停止	600 v	80 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	（411µJ））	226 NC	- /208ns
STGW35NC120HD	-	RFQ	7005	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGW35	标准		235 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					960V，20a，10ohm，15V																	152 ns	-	1200 v	60 a	135 a	2.75V @ 15V，20A	（1.66mj）（在），4.44mj coft）	110 NC	29NS/275NS
STGWT20H60DF	-	RFQ	8211	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT20	标准		167 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600					400V，20a，10ohm，15V																	90 ns	沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	209µJ（在）上，261µJ（OFF）	115 NC	42.5NS/177NS
STGF19NC60WD	2.1800	RFQ	19	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	STGF19	标准		32 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					390V，12a，10ohm，15V																	31 ns	-	600 v	14 a		2.5V @ 15V，12A	（81µJ）（在125µJ上）	53 NC	25NS/90NS
STGWA80H65FB	-	RFQ	5060	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	STGWA80	标准		469 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，80a，10ohm，15V																		沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
STGP20V60F	-	RFQ	2243	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP20	标准		167 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，20A，15V																		沟渠场停止	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	200µJ（在）上，130µJ（OFF）	116 NC	38NS/149NS
STGWT80H65FB	6.3300	RFQ	88	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	STGWT80	标准		469 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，80a，10ohm，15V																		沟渠场停止	650 v	120 a	240 a	2V @ 15V，80a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	414 NC	84NS/280NS
STGP19NC60H	5.4300	RFQ	957	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	STGP19	标准		130 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					390V，12a，10ohm，15V																		-	600 v	40 a	60 a	2.5V @ 15V，12A	（85µJ）（在189µj of）上	53 NC	25NS/97NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²