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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
SCT055HU65G3AG	14.3300	RFQ	95	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	SCT055		sicfet （碳化硅）		hu3pak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	600			n通道			650 v	30A（TC）	15V，18V	72MOHM @ 15a，18v	4.2V @ 1mA	29 NC @ 18 V	+22V，-10V	721 PF @ 400 V	-	185W（TC）
STL90N10F7	2.3400	RFQ	2	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL90		MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	70A（TC）	10V	10.5MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	5W（5W），100W（100W）TC）
STW37N60DM2AG	6.8000	RFQ	8690	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101，MDMESH™DM2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW37		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	28a（TC）	10V	110mohm @ 14a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±25V	2400 PF @ 100 V	-	210W（TC）
TN1215-600G-Tr	1.9500	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	TN1215				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1,000				30 ma													600 v	12 a	1.3 v	140a，145a	15 ma	1.6 v	8 a	5 µA	标准恢复
STX616	-	RFQ	3139	Stmicroelectronics	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	STX616			2.8 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																																				500 v	1.5 a						50µA	NPN	1V @ 200mA，1a	12 @ 500mA，5V	-
STGD18N40LZ-1	-	RFQ	8467	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	STGD18	逻辑		125 w	我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75					300V，10A，5V																														-	420 v	25 a	40 a	1.7V @ 4.5V，10a	-	29 NC	650NS/13.5µS
stth1602cgy-tr	1.6100	RFQ	250	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	stth1602		标准		D²Pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	200 v	8a	1.25 V @ 16 A	26 NS	6 µA @ 200 V	-40°C〜175°C
STP75NF20	4.5100	RFQ	5472	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP75		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5958-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			200 v	75A（TC）	10V	34mohm @ 37A，10V	4V @ 250µA	84 NC @ 10 V	±20V	3260 pf @ 25 V	-	190w（TC）
STP40NF03L	1.0700	RFQ	1	Stmicroelectronics	StripFet™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP40		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			30 V	40a（TC）	4.5V，10V	22mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	15 NC @ 4.5 V	±16V	770 pf @ 25 V	-	70W（TC）
BTB08-600BRG	1.6200	RFQ	5	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	BTB08				TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			50 mA												标准	600 v	8 a	1.3 v	80a，84a	50 mA
STW40N60M2	8.7300	RFQ	600	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW40		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	34A（TC）	10V	88mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±25V	2500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
MJD3055T4	1.2300	RFQ	9498	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD3055			20 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																																				60 V	10 a						50µA	NPN	8V @ 3.3a，10a	20 @ 4A，4V	2MHz
STB25NM60ND	-	RFQ	3311	Stmicroelectronics	FDMESH™II	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB25N		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	21a（TC）	10V	160MOHM @ 10.5a，10V	5V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±25V	2400 pf @ 50 V	-	160W（TC）
STW9N80K5	3.2200	RFQ	492	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW9		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			800 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 100µA	12 nc @ 10 V	±30V	340 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STP26N60DM6	4.0100	RFQ	2354	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP26		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-18499	Ear99	8541.29.0095	350			n通道			600 v	18A（TC）	10V	195mohm @ 9a，10v	4.75V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±25V	940 pf @ 100 V	-	130W（TC）
ACS102-5T1-Tr	-	RFQ	7789	Stmicroelectronics	ASD™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-30°C〜125°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	ACS102				8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,500	单身的			20 ma												逻辑 -敏感门	500 v	200 MA	900 mv	7.3a，8a	5 ma
STF20N60M2-EP	1.1772	RFQ	6860	Stmicroelectronics	MDMESH™M2-EP	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF20		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	13A（TC）	10V	-	4.75V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V		-	-
Stu5nk50z	-	RFQ	1114	Stmicroelectronics	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的				Stu5n					-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		3,000
Z0107NA 5AL2	0.7900	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	Z0107				到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2,000	单身的			10 MA												逻辑 -敏感门	800 v	1 a	1.3 v	8a，8.5a	5 ma
STB60NF06LT4	2.0900	RFQ	3018	Stmicroelectronics	StripFet™II	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB60		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	60a（TC）	5V，10V	14mohm @ 30a，10v	1V @ 250µA	66 NC @ 4.5 V	±15V	2000 pf @ 25 V	-	110W（TC）
stth10lcd06ct	1.3539	RFQ	7555	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	stth10		标准		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								1对普通阴极	600 v	5a	2 V @ 5 A	50 ns	1 µA @ 600 V	175°c （最大）
STH6N95K5-2	2.8400	RFQ	9290	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STH6		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			950 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	5V @ 100µA	13 NC @ 10 V	±30V	450 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STB20N90K5	6.7300	RFQ	995	Stmicroelectronics	MDMESH™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	STB20		MOSFET （金属 o化物）		d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			900 v	20A（TC）	10V	250mohm @ 10a，10v	5V @ 100µA	40 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 100 V	-	250W（TC）
T1610T-8I	3.0400	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	T1610				TO-220AB绝缘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	50	单身的			25 ma												逻辑 -敏感门	800 v	16 a	1.3 v	120a，126a	10 MA
STH110N10F7-6	-	RFQ	5678	Stmicroelectronics	DeepGate™，diplfet™VII	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	STH110		MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	110A（TC）	10V	6.5MOHM @ 55A，10V	4.5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	5117 PF @ 50 V	-	150W（TC）
SMBYT01-400	-	RFQ	1642	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	DO-214AA，SMB	Smbyt		标准		SMB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									400 v		1.5 V @ 1 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	1a	-
STF18N55M5	3.2100	RFQ	142	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF18		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			550 v	16A（TC）	10V	192MOHM @ 8A，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±25V	1260 pf @ 100 V	-	25W（TC）
STWA67N60DM6	6.6739	RFQ	5820	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STWA67		MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STWA67N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600			n通道			600 v	58A（TC）	10V	54mohm @ 23.5a，10v	4.75V @ 250µA	72.5 NC @ 10 V	±25V	3400 PF @ 100 V	-	431W（TC）
STP7N95K3	3.1400	RFQ	499	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP7N95		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-8792-5	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			950 v	7.2A（TC）	10V	1.35OHM @ 3.6A，10V	5V @ 100µA	34 NC @ 10 V	±30V	1031 PF @ 100 V	-	150W（TC）
STF5N52U	-	RFQ	2060	Stmicroelectronics	UltrafastMesh™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF5N		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			525 v	4.4A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4.5V @ 50µA	16.9 NC @ 10 V	±30V	529 pf @ 25 V	-	25W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²