SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (amp) (ih)(IH)) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() triac类型 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 噪音图 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡
BAR42FILM STMicroelectronics BAR42FILM 0.3800
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAR42 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 1 V @ 100 ma 5 ns 500 NA @ 30 V 150°C (最大) 100mA 7pf @ 1V,1MHz
STPSC10H065DLF STMicroelectronics STPSC10H065DLF 4.0400
RFQ
ECAD 4303 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 8-Powervdfn STPSC10 SIC (碳化硅) PowerFlat™(8x8)HV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.55 V @ 10 A 0 ns 100 µA @ 650 V -40°C〜175°C 10a 595pf @ 0v,1MHz
STF18N60DM2 STMicroelectronics STF18N60DM2 1.3850
RFQ
ECAD 5257 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™DM2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STF18 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 13A(TC) 10V 295MOHM @ 6A,10V 5V @ 250µA 20 nc @ 10 V ±25V 800 pf @ 100 V - 25W(TC)
Z0405MF0AA2 STMicroelectronics Z0405MF0AA2 -
RFQ
ECAD 7047 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 通过洞 to-202无标签 Z0405 TO-202-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-16475-5 Ear99 8541.30.0080 50 单身的 5 ma 逻辑 -敏感门 600 v 4 a 1.3 v 20a,21a 5 ma
STO68N65DM6 STMicroelectronics STO68N65DM6 9.6800
RFQ
ECAD 260 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powersfn MOSFET (金属 o化物) HV) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-STO68NNN65DM6TR Ear99 8541.29.0095 1,800 n通道 650 v 55A(TC) 10V 65mohm @ 27.5a,10v 4.75V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±25V 3528 PF @ 100 V - 240W(TC)
STD155N3H6 STMicroelectronics STD155N3H6 2.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics Deepgate™,diplfet™vi 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD15 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -497-11307-6 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 80A(TC) 10V 3mohm @ 40a,10v 4V @ 250µA 62 NC @ 10 V ±20V 3650 pf @ 25 V - 110W(TC)
STL13N65M2 STMicroelectronics STL13N65M2 0.9238
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™M2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn STL13 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™(5x6)HV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 650 v 6.5A(TC) 10V 475MOHM @ 3A,10V 4V @ 250µA 17 NC @ 10 V ±25V 590 pf @ 100 V - 52W(TC)
STB34N50DM2AG STMicroelectronics STB34N50DM2AG 6.1200
RFQ
ECAD 1237 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,MDMESH™DM2 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB STB34 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 26a(TC) 10V 120mohm @ 12.5a,10v 5V @ 250µA 44 NC @ 10 V ±25V 1850 pf @ 100 V - 190w(TC)
T1035H-6G-TR STMicroelectronics T1035H-6G-Tr 1.2700
RFQ
ECAD 1139 0.00000000 Stmicroelectronics Snubberless™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB T1035 D2PAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1,000 单身的 35 MA 替代者 -无用 600 v 10 a 1 V 100a,105a 35 MA
STPS15SM80CR STMicroelectronics STPS15SM80CR -
RFQ
ECAD 8734 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS15 肖特基 i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 80 V 7.5a 780 mv @ 7.5 A 20 µA @ 80 V 175°c (最大)
TN4015H-6G-TR STMicroelectronics TN4015H-6G-Tr 1.9200
RFQ
ECAD 837 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB TN4015 d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 1,000 60 ma 600 v 40 a 1.3 v 394a,360a 15 ma 1.6 v 25 a 10 µA 标准恢复
STAC4933 STMicroelectronics STAC4933 113.3700
RFQ
ECAD 53 0.00000000 Stmicroelectronics - 盒子 过时的 200 v STAC177B STAC4933 30MHz MOSFET STAC177B 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 40a 250 MA 300W 24dB - 50 V
STW120NF10 STMicroelectronics STW120NF10 6.1000
RFQ
ECAD 2680 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™II 管子 上次购买 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW120 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-5166-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 110A(TC) 10V 10.5MOHM @ 60a,10v 4V @ 250µA 233 NC @ 10 V ±20V 5200 pf @ 25 V - 312W(TC)
STPS1L60MF STMicroelectronics STPS1L60MF 0.6900
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-222aa STPS1 肖特基 DO222-AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 570 mv @ 1 a 50 µA @ 60 V 150°C (最大) 1a -
STPSC40G12WL STMicroelectronics STPSC40G12WL 20.7800
RFQ
ECAD 200 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 STPSC40 - (1 (无限) 497-STPSC40G12WL Ear99 8541.10.0080 30
MD2103DFP STMicroelectronics MD2103DFP 1.7100
RFQ
ECAD 966 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MD2103 38 w TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 700 v 6 a 200µA NPN 1.8V @ 750mA,3a 6.5 @ 3a,5v -
STPS1170AFN STMicroelectronics STPS1170AFN -
RFQ
ECAD 1723年 0.00000000 Stmicroelectronics Ecopack®2 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 STPS1170 肖特基 Smaflat 下载 (1 (无限) 到达不受影响 497-STPS1170AFNTR Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 170 v 820 mv @ 1 A 1.5 µA @ 170 V 175°c (最大) 1a -
STFH10N60M2 STMicroelectronics STFH10N60M2 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 STFH10 MOSFET (金属 o化物) TO-220FPAB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 46 n通道 600 v 7.5A(TC) 10V 600mohm @ 9a,10v 4V @ 250µA 13.5 NC @ 10 V ±25V 400 pf @ 100 V - 25W(TC)
STPS20SM100SR STMicroelectronics STPS20SM100SR -
RFQ
ECAD 6989 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS20 肖特基 i2pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 900 mv @ 20 a 30 µA @ 100 V 150°C (最大) 20a -
STW32NM50N STMicroelectronics STW32NM50N 6.5000
RFQ
ECAD 1658年 0.00000000 Stmicroelectronics MDMESH™II 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 STW32 MOSFET (金属 o化物) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 497-13284-5 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 22a(TC) 10V 130mohm @ 11a,10v 4V @ 250µA 62.5 NC @ 10 V ±25V 1973 pf @ 50 V - 190w(TC)
STS7C4F30L STMicroelectronics STS7C4F30L -
RFQ
ECAD 9714 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) STS7C4 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-SOIC 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 30V 7a,4a 22mohm @ 3.5a,10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 5V 1050pf @ 25V 逻辑级别门
STLD257N4F7AG STMicroelectronics STLD257N4F7AG 2.1585
RFQ
ECAD 1715年 0.00000000 Stmicroelectronics 汽车,AEC-Q101,StripFet™F7 大部分 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn STLD257 MOSFET (金属 o化物) PowerFlat™5x6) - rohs3符合条件 到达不受影响 497-STLD257N4F7AG Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 120A(TC) 6.5V,10V 1.1MOHM @ 60a,10v 4V @ 250µA 66.5 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 158W(TC)
STP65N045M9 STMicroelectronics STP65N045M9 6.6693
RFQ
ECAD 6839 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP65N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 497-STP65N045M9 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 55A(TC) 10V 45mohm @ 28a,10v 4.2V @ 250µA 80 NC @ 10 V ±30V 4610 PF @ 400 V - 245W(TC)
STD95N4F3 STMicroelectronics STD95N4F3 1.9400
RFQ
ECAD 160 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™III 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 STD95 MOSFET (金属 o化物) DPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 80A(TC) 10V 6.5MOHM @ 40a,10v 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 25 V - 110W(TC)
STB18NM60ND STMicroelectronics STB18NM60ND 5.5900
RFQ
ECAD 4467 0.00000000 Stmicroelectronics FDMESH™II 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB STB18 MOSFET (金属 o化物) d²pak(to-263) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 13A(TC) 10V 290MOHM @ 6.5A,10V 5V @ 250µA 34 NC @ 10 V ±25V 1030 pf @ 50 V - 110W(TC)
BAT54FILM STMicroelectronics BAT54FILM 0.4100
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Stmicroelectronics - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BAT54 肖特基 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 900 mv @ 100 ma 5 ns 1 µA @ 30 V -40°C〜150°C 300mA 10pf @ 1V,1MHz
ESM3045DV STMicroelectronics ESM3045DV -
RFQ
ECAD 4309 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 同位素 ESM3045 125 w isotop® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 450 v 24 a - npn-达灵顿 1.4V @ 1.2a,20a 120 @ 20a,5v -
STK800 STMicroelectronics STK800 2.6300
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Stmicroelectronics StripFet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 Polarpak® STK8 MOSFET (金属 o化物) Polarpak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 20A(TC) 4.5V,10V 7.8mohm @ 10a,10v 2.5V @ 250µA 13.4 NC @ 4.5 V ±16V 1380 pf @ 25 V - 5.2W(TC)
STPS30120CR STMicroelectronics STPS30120CR 1.8100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectronics - 管子 过时的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA STPS30120 肖特基 i2pak 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 920 MV @ 15 A 15 µA @ 120 V 175°c (最大)
STP6NB90 STMicroelectronics STP6NB90 -
RFQ
ECAD 2626 0.00000000 Stmicroelectronics PowerMesh™ 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 STP6N MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 900 v 5.8A(TC) 10V 2ohm @ 3a,10v 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±30V 1400 pf @ 25 V - 135W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库