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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STGI25N36LZAG	1.1903	RFQ	3260	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STGI25	逻辑			150 w	i2pak（（TO-262）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGI25N36LZAG	Ear99	8541.29.0095	1,000					-																											-	350 v	25 a	50 a	1.25V @ 4V，6A	-	25.7 NC	1.1μs/7.4µs
stgib8ch60ts-lz	11.5763	RFQ	6000	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	STGIB8						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIB8CH60TS-LZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器								12 a	600 v	1600vrms
RF2L15200CB4	163.3500	RFQ	6962	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	LBB		RF2L15200		1.5GHz	ldmos		LBB	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF2L15200CB4			100	-			1µA			200W	17.5db														-
STGWA50H65DFB2	4.3600	RFQ	2892	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STGWA50	标准			272 w	TO-247长铅	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGWA50H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	600					400V，50a，4.7Ohm，15V																						92 ns					沟渠场停止	650 v	86 a	150 a	2V @ 15V，50a	910µJ（在）上，580µJ off）	151 NC	28NS/115NS
STF18N65DM2	1.4320	RFQ	1870年	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF18			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STF18N65DM2	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									650 v	12A（TC）	10V	295MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±25V	965 PF @ 100 V	-	28W（TC）
RF2L27015CG2	36.3000	RFQ	8601	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	60 V		表面安装	E2		RF2L27015		700MHz〜2.7GHz	ldmos		E2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF2L27015CG2			300	-			1µA			15W	19db														-
STD70R1K3S	0.2705	RFQ	3457	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		STD70			MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD70R1K3S	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道									700 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.75a，10V	3.75V @ 250µA	4.1 NC @ 10 V	±25V	175 pf @ 100 V	-	77W（TC）
STW52N60DM6	5.0695	RFQ	6613	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		STW52			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STW52N60DM6	Ear99	8541.29.0095	600			n通道									600 v	45A（TC）	10V	74mohm @ 22.5a，10v	4.75V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±25V	2468 PF @ 100 V	-	357W（TC）
STGIF7CH60TS-XZ	10.6194	RFQ	7589	Stmicroelectronics	Sllimm -第二	大部分	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	stgif7						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STGIF7CH60TS-XZ	Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器								10 a	600 v	1600vrms
STD12N60M6	1.0473	RFQ	7177	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD12			MOSFET （金属 o化物）		DPAK（（TO-252）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STD12N60M6	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									600 v	9A（TC）	10V	450MOHM @ 4.5A，10V	4.75V @ 250µA	12.3 NC @ 10 V	±25V	452 PF @ 100 V	-	96W（TC）
RF5L05950CF2	135.0000	RFQ	1643年	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	50 V		表面安装	C2		RF5L05950		1.5GHz	ldmos		C2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-RF5L05950CF2			100	n通道			-			2500W	50dB														-
STAC1011-500	208.7250	RFQ	8570	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的	110 v		表面安装	STAC780-4F		STAC1011		700MHz〜1.2GHz	ldmos		STAC780-4F	-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STAC1011-500			80	n通道			1µA		200 ma	500W	16dB														-																		50 V
STL195N4F7AG	1.0548	RFQ	2614	Stmicroelectronics	-	大部分	积极的						STL195						-	rohs3符合条件		到达不受影响	497-STL195N4F7AG			3,000
STW21N65M5	3.8400	RFQ	74	Stmicroelectronics	MDMESH™v	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		stw21n			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道									650 v	17a（TC）	10V	190mohm @ 8.5a，10v	5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±25V	1950 pf @ 100 V	-	125W（TC）
STL65DN3LLH5	-	RFQ	3639	Stmicroelectronics	StripFet™v	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		STL65			MOSFET （金属 o化物）	60W	PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）											30V	65a		6.5MOHM @ 9.5A，10V	1.5V @ 250µA	12nc @ 4.5V		1500pf @ 25V	逻辑级别门
stps2530cg-tr	-	RFQ	1788年	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		STPS2530			肖特基		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	30 V	12.5a	530 MV @ 12.5 A		1 ma @ 30 V	150°C （最大）
STF6N60M2	1.6700	RFQ	1	Stmicroelectronics	MDMESH™II Plus	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		STF6			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									600 v	4.5A（ta）	10V	1.2OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±25V	232 PF @ 100 V	-	20W（TC）
STPS30H60CFP	1.6000	RFQ	918	Stmicroelectronics	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包		STPS30			肖特基		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	60 V	15a	660 mv @ 15 A		60 µA @ 60 V	175°c （最大）
STPS20SM60CFP	2.9200	RFQ	989	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包		STPS20			肖特基		TO-220FPAB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	60 V	10a	645 mv @ 10 a		40 µA @ 60 V	150°C （最大）
STD127DT4	-	RFQ	6058	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STD12				35 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500																																	400 v	4 a							250µA	NPN	1.3V @ 1A，4A	10 @ 1A，5V	-
STF4N90K5	2.1200	RFQ	922	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STF4N90			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17071	Ear99	8541.29.0095	50			n通道									900 v	4A（TC）	10V	2.1OHM @ 1A，10V	5V @ 100µA	5.3 NC @ 10 V	±30V	173 PF @ 100 V	-	20W（TC）
SCTH90N65G2V-7	35.0600	RFQ	87	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		SCTH90			sicfet （碳化硅）		H2PAK-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									650 v	90A（TC）	18V	26mohm @ 50a，18v	5V @ 1mA	157 NC @ 18 V	+22V，-10V	3300 PF @ 400 V	-	330W（TC）
STGIB20M60S-L	18.2478	RFQ	4857	Stmicroelectronics	Sllimm™	管子	积极的			通过洞	26-PowerDip 模块（1.146英寸，29.10mm）	IGBT	STGIB20						下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	156	3相逆变器								25 a	600 v	1500vrms
STD9NM50N-1	-	RFQ	1448	Stmicroelectronics	MDMESH™	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		STD9			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道									500 v	5A（TC）	10V	560MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	570 pf @ 50 V	-	70W（TC）
STGWT60H60DLFB	-	RFQ	6845	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		STGWT60	标准			375 w	to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，60a，5ohm，15V																											沟渠场停止	600 v	80 a	240 a	2V @ 15V，60a	626µJ（OFF）	306 NC	- /160NS
SD2903	-	RFQ	5164	Stmicroelectronics	-	盒子	过时的	65 v			M229		SD2903		400MHz	MOSFET		M229	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n通道			5a		100 ma	30W	15DB														-																		28 V
STPS30M120SR	1.6900	RFQ	966	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		STPS30			肖特基		i2pak	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						120 v		900 mv @ 30 a		275 µA @ 120 V	150°C （最大）	30a	-
STPS8L30BY-TR	1.4100	RFQ	1	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		STPS8			肖特基		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						30 V		490 mv @ 8 a		1 ma @ 30 V	-40°C〜150°C	8a	-
STAC3932B	117.9750	RFQ	8680	Stmicroelectronics	-	托盘	积极的	250 v			STAC244B		STAC3932		123MHz	MOSFET		STAC244B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	n通道			20a		250 MA	580W	-														-																		100 v
STGP10NC60HD	1.7400	RFQ	6488	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		STGP10	标准			65 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5118-5	Ear99	8541.29.0095	50					390V，5A，10欧姆，15V																						22 ns					-	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，5A	31.8µJ（在）上，95µJ（（）	19.2 NC	14.2NS/72NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²