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6390）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
STGW30NC60W	-	RFQ	5692	Stmicroelectronics	PowerMesh™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGW30	标准			200 w	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-5009-5	Ear99	8541.29.0095	30				390V，20a，10ohm，15V																								-	600 v	60 a	150 a	2.5V @ 15V，20A	305µJ（在）上，181µJ（OFF）	102 NC	29.5NS/118NS
BAS70-06FILM	0.4700	RFQ	15	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70			肖特基		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度																		1对公共阳极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		10 µA @ 70 V	150°C （最大）
2STW1695	-	RFQ	6519	Stmicroelectronics	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	2STW				100 W	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30																													140 v	10 a							100NA（ICBO）	PNP	700mv @ 700mA，7a	70 @ 3A，4V	20MHz
STPS20M120STN	-	RFQ	3644	Stmicroelectronics	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3	STPS20			肖特基		TO-220AB狭窄的铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			120 v		840 mv @ 20 a		275 µA @ 120 V	150°C （最大）	20a	-
ULN2064B	6.8000	RFQ	8430	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-20°C〜85°C（TA）	通过洞	16-PowerDip （0.300英寸，7.62mm）	ULN2064				1W	16-PowerDip （20x7.10）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																													50V	1.75a							-	4 npn darlington（四Quad）	1.4V @ 2mA，1.25a	-	-
STD4N52K3	0.6225	RFQ	2557	Stmicroelectronics	SuperMesh3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD4			MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-10647-2	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						525 v	2.5A（TC）	10V	2.6ohm @ 1.25a，10V	4.5V @ 50µA	2 NC @ 10 V	±30V	334 pf @ 100 V	-	45W（TC）
STL42P6LLF6	1.9100	RFQ	9744	Stmicroelectronics	StripFet™F6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL42			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-15479-1	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道						60 V	42A（TC）	4.5V，10V	26mohm @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	30 NC @ 4.5 V	±20V	3780 pf @ 25 V	-	100W（TC）
STW70N60M2-4	7.9236	RFQ	9704	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	STW70			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道						600 v	68A（TC）	10V	40mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	118 NC @ 10 V	±25V	5200 PF @ 100 V	-	450W（TC）
RF2L36075CF2	127.0500	RFQ	27	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	60 V		表面安装	B2			3.6GHz	ldmos		B2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-RF2L36075CF2TR	Ear99	8541.29.0095	120			1µA		600 MA	75W	12.5db											-																		28 V
STW70N65M2	8.6953	RFQ	2833	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW70			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600		n通道						650 v	63A（TC）	10V	46mohm @ 31.5a，10v	4V @ 250µA	117 NC @ 10 V	±25V	5140 pf @ 100 V	-	446W（TC）
STGB20M65DF2	2.3800	RFQ	530	Stmicroelectronics	m	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB20	标准			166 w	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，20A，12OHM，15V																			166 ns					沟渠场停止	650 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（140µJ）（在560µJ上）	63 NC	26NS/108NS
stth30rq06wy	3.0300	RFQ	8307	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	管子	积极的			通过洞	DO-247-2 （直线直线）	stth30			标准		DO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-17593	Ear99	8541.10.0080	600	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			600 v		2.95 V @ 30 A	55 ns	40 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	30a	-
STGB25N40LZAG	2.6200	RFQ	2745	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STGB25	逻辑			150 w	d²pak（to-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				300V，10a，1KOHM，5V																								-	435 v	25 a	50 a	1.25V @ 4V，6A	-	26 NC	1.1µs/4.6µs
STH47N60DM6-2AG	7.2900	RFQ	6574	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	STH47			MOSFET （金属 o化物）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	36a（TC）	10V	80MOHM @ 18A，10V	4.75V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±25V	2350 pf @ 100 V	-	250W（TC）
STL7LN65K5AG	3.0000	RFQ	5270	Stmicroelectronics	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	STL7LN65			MOSFET （金属 o化物）		PowerFlat™（5x6）VHV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						650 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 100µA	11.7 NC @ 10 V	±30V	270 pf @ 100 V	-	79W（TC）
STGWA100H65DFB2	7.1900	RFQ	4773	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA100	标准			441 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	497-STGWA100H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	30				400V，100A，2.2OHM，15V																			123 ns					沟渠场停止	650 v	145 a	300 a	2V @ 15V，100a	2.2MJ（在）上，1.4MJ off）	288 NC	30NS/130NS
STD16N60M6	2.4400	RFQ	1228	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD16			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	12A（TC）	10V	320MOHM @ 6A，10V	4.75V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±25V	575 PF @ 100 V	-	110W（TC）
STW50N65DM6	9.2200	RFQ	8855	Stmicroelectronics	MDMESH™DM6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STW50			MOSFET （金属 o化物）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STW50N65DM6	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	33A（TC）	10V	91MOHM @ 16.5A，10V	4.75V @ 250µA	52.5 NC @ 10 V	±25V	52500 PF @ 100 V	-	250W（TC）
SCTWA35N65G2V	18.6800	RFQ	5585	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SCTWA35			sicfet （碳化硅）		TO-247长铅	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-SCTWA35N65G2V	Ear99	8541.29.0095	30		n通道						650 v	45A（TC）	18V，20V	72MOHM @ 20a，20v	3.2V @ 1mA	73 NC @ 20 V	+20V，-5V	73000 PF @ 400 V	-	208W（TC）
SCT10N120H	-	RFQ	9829	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 200°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SCT10			sicfet （碳化硅）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						1200 v	12A（TC）	20V	690MOHM @ 6A，20V	3.5V @ 250µA	22 NC @ 20 V	+25V，-10V	290 pf @ 400 V	-	150W（TC）
SCT20N120H	16.5900	RFQ	5115	Stmicroelectronics	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 200°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SCT20			sicfet （碳化硅）		H2PAK-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						1200 v	20A（TC）	20V	290MOHM @ 10a，20v	3.5V @ 1mA	45 NC @ 20 V	+25V，-10V	650 pf @ 400 V	-	175W（TC）
STD18N60M6	2.4400	RFQ	2	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	STD18			MOSFET （金属 o化物）		D-pak（TO-252）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						600 v	13A（TC）	10V	280MOHM @ 6.5a，10V	4.75V @ 250µA	16.8 NC @ 10 V	±25V	650 pf @ 100 V	-	110W（TC）
STF22N60DM6	1.5867	RFQ	4226	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF22			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	15A（TC）	10V	230MOHM @ 7.5A，10V	4.75V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±25V	800 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STF36N60M6	6.3400	RFQ	6727	Stmicroelectronics	MDMESH™M6	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STF36			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	30A（TC）	10V	99mohm @ 15a，10v	4.75V @ 250µA	44.3 NC @ 10 V	±25V	1960 pf @ 100 V	-	40W（TC）
STFU25N60M2-EP	1.7165	RFQ	1674年	Stmicroelectronics	MDMESH™M2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STFU25			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						600 v	18A（TC）	10V	188MOHM @ 9A，10V	4.75V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±25V	1090 pf @ 100 V	-	30W（TC）
STGP8M120DF3	3.0492	RFQ	7985	Stmicroelectronics	-	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STGP8	标准				TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				600V，8a，33ohm，15V																			103 ns					沟渠场停止	1200 v	16 a	32 a	2.3V @ 15V，8a	390µJ（在）（370µJ）上	32 NC	20N/126NS
STGWA40HP65FB	2.2528	RFQ	9304	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	STGWA40	标准			230 w	TO-247长铅	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	600				400V，40a，4.7Ohm，15V																			140 ns					沟渠场停止	650 v	72 a	120 a	2V @ 15V，40a	410µJ（离）	153 NC	- /125ns
STP10N80K5	1.7574	RFQ	6104	Stmicroelectronics	MDMESH™K5	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	STP10			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道						800 v	9A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	5V @ 100µA	22 NC @ 10 V	±30V	635 pf @ 100 V	-	130W（TC）
Stu6n60dm2	0.6333	RFQ	9711	Stmicroelectronics	MDMESH™DM2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	Stu6n60			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						600 v	5A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.5A，10V	4.75V @ 250µA	6.2 NC @ 10 V	±25V	274 PF @ 100 V	-	60W（TC）
STGF20H65DFB2	2.5200	RFQ	8986	Stmicroelectronics	HB2	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	STGF20	标准			45 W	TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	497-STGF20H65DFB2	Ear99	8541.29.0095	50				400V，20a，10ohm，15V																			215 ns					沟渠场停止	650 v	40 a	60 a	2.1V @ 15V，20A	（265µJ）（在），214µJ（214µJ）中	56 NC	16ns/78.8ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6390）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²