SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
G3S12020P Global Power Technology-GPT G3S12020P 25.0100
RFQ
ECAD 4068 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 64.5a 2600pf @ 0v,1MHz
G4S12020P Global Power Technology-GPT G4S12020P 33.5600
RFQ
ECAD 3260 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC - (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 64.5a 2600pf @ 0v,1MHz
G5S12010A Global Power Technology-GPT G5S12010A 12.6300
RFQ
ECAD 5409 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 37a -
G4S06510CT Global Power Technology-GPT G4S06510CT 4.8600
RFQ
ECAD 9621 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 31a 550pf @ 0v,1MHz
G4S06506CT Global Power Technology-GPT G4S06506CT 3.9000
RFQ
ECAD 2101 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.8 V @ 6 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 13.8a 181pf @ 0v,1MHz
G3S065100P Global Power Technology-GPT G3S065100P 59.4300
RFQ
ECAD 6372 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 40 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 20a 13500pf @ 0v,1MHz
G5S6504Z Global Power Technology-GPT G5S6504Z 3.1900
RFQ
ECAD 1707年 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN SIC (碳化硅) 8-DFN(4.9x5.75) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.6 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 15.45a 181pf @ 0v,1MHz
G4S06510AT Global Power Technology-GPT G4S06510AT 4.8600
RFQ
ECAD 7642 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 30.5a 550pf @ 0v,1MHz
G3S06510P Global Power Technology-GPT G3S06510P 8.2400
RFQ
ECAD 9429 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 32.8a 690pf @ 0v,1MHz
G4S06508DT Global Power Technology-GPT G4S06508DT 4.6900
RFQ
ECAD 5576 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 24a 395pf @ 0v,1MHz
G5S6506Z Global Power Technology-GPT G5S6506Z 5.5400
RFQ
ECAD 8309 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN SIC (碳化硅) 8-DFN(4.9x5.75) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 6 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 30.5a 395pf @ 0v,1MHz
G5S06508DT Global Power Technology-GPT G5S06508DT 5.3200
RFQ
ECAD 7962 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 32a 550pf @ 0v,1MHz
G3S17005C Global Power Technology-GPT G3S17005C 25.7200
RFQ
ECAD 2406 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1700 v 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 27a 780pf @ 0v,1MHz
G5S06505CT Global Power Technology-GPT G5S06505CT 4.6400
RFQ
ECAD 7560 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 24a 395pf @ 0v,1MHz
G3S12015A Global Power Technology-GPT G3S12015A 20.6800
RFQ
ECAD 4387 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 57a 1700pf @ 0v,1MHz
G5S06506QT Global Power Technology-GPT G5S06506QT 5.5400
RFQ
ECAD 4125 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 4-POWERTSFN SIC (碳化硅) 4-DFN(8x8) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 6 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 34a 395pf @ 0v,1MHz
G3S17020B Global Power Technology-GPT G3S17020B 48.6200
RFQ
ECAD 1387 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1700 v 24A(DC) 1.7 V @ 10 A 0 ns 100 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C
G3S06512B Global Power Technology-GPT G3S06512B 6.6700
RFQ
ECAD 9433 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 27A(DC) 1.7 V @ 6 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
G5S06505AT Global Power Technology-GPT G5S06505AT 4.6400
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 24.5A 395pf @ 0v,1MHz
G3S12002D Global Power Technology-GPT G3S12002D 3.8200
RFQ
ECAD 2563 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 7a 136pf @ 0v,1MHz
G4S06515QT Global Power Technology-GPT G4S06515QT 8.6300
RFQ
ECAD 2458 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 4-POWERTSFN SIC (碳化硅) 4-DFN(8x8) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 53a 645pf @ 0v,1MHz
G3S06520H Global Power Technology-GPT G3S06520H 11.9400
RFQ
ECAD 1681年 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 26a 1170pf @ 0v,1MHz
G3S06504A Global Power Technology-GPT G3S06504A 3.0800
RFQ
ECAD 2311 0.00000000 全球电力技术-GPT - (TB) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 11.5A 181pf @ 0v,1MHz
G4S06515HT Global Power Technology-GPT G4S06515HT 8.3300
RFQ
ECAD 1776年 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 23.8a 645pf @ 0v,1MHz
G3S17010B Global Power Technology-GPT G3S17010B 33.3200
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1700 v 29.5A(DC) 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C
G4S06510PT Global Power Technology-GPT G4S06510PT 4.8600
RFQ
ECAD 7075 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 31.2a 550pf @ 0v,1MHz
G5S06504AT Global Power Technology-GPT G5S06504AT 3.6600
RFQ
ECAD 4724 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.6 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 11.6a 181pf @ 0v,1MHz
G5S12008D Global Power Technology-GPT G5S12008D 8.0700
RFQ
ECAD 8712 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 26.1a 550pf @ 0v,1MHz
G4S06540PT Global Power Technology-GPT G4S06540PT 24.1500
RFQ
ECAD 8892 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 40 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 81.8A 1860pf @ 0v,1MHz
G3S12002H Global Power Technology-GPT G3S12002H 3.8200
RFQ
ECAD 8263 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 7.3a 136pf @ 0v,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库