电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G3S12020P | 25.0100 | ![]() | 4068 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 64.5a | 2600pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S12020P | 33.5600 | ![]() | 3260 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | - | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 64.5a | 2600pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12010A | 12.6300 | ![]() | 5409 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 37a | - | |||||
![]() | G4S06510CT | 4.8600 | ![]() | 9621 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 31a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06506CT | 3.9000 | ![]() | 2101 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.8 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 13.8a | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S065100P | 59.4300 | ![]() | 6372 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 13500pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S6504Z | 3.1900 | ![]() | 1707年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIC (碳化硅) | 8-DFN(4.9x5.75) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 15.45a | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06510AT | 4.8600 | ![]() | 7642 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 30.5a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06510P | 8.2400 | ![]() | 9429 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 32.8a | 690pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06508DT | 4.6900 | ![]() | 5576 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S6506Z | 5.5400 | ![]() | 8309 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 8-POWERTDFN | SIC (碳化硅) | 8-DFN(4.9x5.75) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 30.5a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06508DT | 5.3200 | ![]() | 7962 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 32a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S17005C | 25.7200 | ![]() | 2406 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 27a | 780pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06505CT | 4.6400 | ![]() | 7560 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12015A | 20.6800 | ![]() | 4387 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 57a | 1700pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06506QT | 5.5400 | ![]() | 4125 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 34a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S17020B | 48.6200 | ![]() | 1387 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1700 v | 24A(DC) | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S06512B | 6.6700 | ![]() | 9433 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 27A(DC) | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G5S06505AT | 4.6400 | ![]() | 7102 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24.5A | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12002D | 3.8200 | ![]() | 2563 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 7a | 136pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06515QT | 8.6300 | ![]() | 2458 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 53a | 645pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06520H | 11.9400 | ![]() | 1681年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 26a | 1170pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06504A | 3.0800 | ![]() | 2311 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (TB) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 11.5A | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06515HT | 8.3300 | ![]() | 1776年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 23.8a | 645pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S17010B | 33.3200 | ![]() | 2827 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1700 v | 29.5A(DC) | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G4S06510PT | 4.8600 | ![]() | 7075 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 31.2a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06504AT | 3.6600 | ![]() | 4724 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 11.6a | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12008D | 8.0700 | ![]() | 8712 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 26.1a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06540PT | 24.1500 | ![]() | 8892 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 40 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 81.8A | 1860pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12002H | 3.8200 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 7.3a | 136pf @ 0v,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库