SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
G5S06502AT Global Power Technology-GPT G5S06502AT 2.4300
RFQ
ECAD 9761 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 9.6a 124pf @ 0v,1MHz
G3S12050P Global Power Technology-GPT G3S12050p 44.0600
RFQ
ECAD 8536 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 150 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 117a 7500pf @ 0v,1MHz
G3S12010D Global Power Technology-GPT G3S12010D 11.2500
RFQ
ECAD 5257 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 33.2a 765pf @ 0v,1MHz
G3S06502C Global Power Technology-GPT G3S06502C 2.2800
RFQ
ECAD 6993 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 9a 123pf @ 0v,1MHz
G3S06530P Global Power Technology-GPT G3S06530P 15.4900
RFQ
ECAD 3036 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 30 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 95a 2150pf @ 0v,1MHz
G5S06510AT Global Power Technology-GPT G5S06510AT 6.3000
RFQ
ECAD 6640 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 36a 645pf @ 0v,1MHz
G3S06504D Global Power Technology-GPT G3S06504D 3.0800
RFQ
ECAD 2828 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 11.5A 181pf @ 0v,1MHz
G3S06510C Global Power Technology-GPT G3S06510C 5.3000
RFQ
ECAD 2289 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 34a 690pf @ 0v,1MHz
G3S06504H Global Power Technology-GPT G3S06504H 3.0800
RFQ
ECAD 2030 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10a 181pf @ 0v,1MHz
G3S06504C Global Power Technology-GPT G3S06504C 3.0800
RFQ
ECAD 30 0.00000000 全球电力技术-GPT - 大部分 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 11.5A 181pf @ 0v,1MHz
G4S6508Z Global Power Technology-GPT G4S6508Z 4.8300
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 8-POWERTDFN SIC (碳化硅) 8-DFN(4.9x5.75) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 30.5a 395pf @ 0v,1MHz
G3S12010C Global Power Technology-GPT G3S12010C 10.8200
RFQ
ECAD 8007 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 33.2a 765pf @ 0v,1MHz
G3S06520B Global Power Technology-GPT G3S06520B 12.7000
RFQ
ECAD 5244 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 40a 690pf @ 0v,1MHz
G3S06506H Global Power Technology-GPT G3S06506H 4.0700
RFQ
ECAD 2999 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 6 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 15.4a 424pf @ 0v,1MHz
G3S06505A Global Power Technology-GPT G3S06505A 4.8600
RFQ
ECAD 3839 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 22.6a 424pf @ 0v,1MHz
G5S12008C Global Power Technology-GPT G5S12008C 8.0700
RFQ
ECAD 3987 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 28.9a 550pf @ 0v,1MHz
G3S12030B Global Power Technology-GPT G3S12030B 38.3700
RFQ
ECAD 1386 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 42A(DC) 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
G3S06510A Global Power Technology-GPT G3S06510A 5.3000
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 35a 690pf @ 0v,1MHz
G5S12040BM Global Power Technology-GPT G5S12040BM 43.4000
RFQ
ECAD 7005 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 62A(DC) 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
G5S12030BM Global Power Technology-GPT G5S12030BM 31.2300
RFQ
ECAD 6964 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 55A(DC) 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
G3S12006B Global Power Technology-GPT G3S12006B 9.7600
RFQ
ECAD 5148 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 14A(DC) 1.7 V @ 3 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
G4S06510JT Global Power Technology-GPT G4S06510JT 4.8600
RFQ
ECAD 8183 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2隔离选项卡 SIC (碳化硅) TO-220ISO 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 31.2a 550pf @ 0v,1MHz
G3S06560B Global Power Technology-GPT G3S06560B 37.5400
RFQ
ECAD 2593 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 95A(DC) 1.7 V @ 30 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
G3S06503H Global Power Technology-GPT G3S06503H 2.7300
RFQ
ECAD 1027 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 3 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10a 181pf @ 0v,1MHz
G5S06504QT Global Power Technology-GPT G5S06504QT 3.0800
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 4-POWERTSFN SIC (碳化硅) 4-DFN(8x8) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.55 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 14a 181pf @ 0v,1MHz
G4S06508HT Global Power Technology-GPT G4S06508HT 4.6900
RFQ
ECAD 4952 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 18.5a 395pf @ 0v,1MHz
G5S06510QT Global Power Technology-GPT G5S06510QT 6.1800
RFQ
ECAD 2141 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 4-POWERTSFN SIC (碳化硅) 4-DFN(8x8) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 53a 645pf @ 0v,1MHz
G3S06504B Global Power Technology-GPT G3S06504B 3.0800
RFQ
ECAD 9334 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 9A(DC) 1.7 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
G3S12010M Global Power Technology-GPT G3S12010M 15.1400
RFQ
ECAD 7383 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 23.5a 765pf @ 0v,1MHz
G5S12040PP Global Power Technology-GPT G5S12040pp 43.3800
RFQ
ECAD 8307 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对公共阳极 1200 v 115a(DC) 1.7 V @ 40 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库