电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G4S12020PM | 30.5100 | ![]() | 4007 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 64.5a | 2600pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06503A | 2.7300 | ![]() | 400 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 11.5A | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12015PM | 16.5000 | ![]() | 6923 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 55a | 1370pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | G4S06515CT | 8.3300 | ![]() | 4595 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 35.8a | 645pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06510HT | 5.7300 | ![]() | 7291 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 23.8a | - | ||||
![]() | G3S06508D | 4.8000 | ![]() | 9492 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 25.5A | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06506CT | 4.8300 | ![]() | 2358 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12020H | 26.0000 | ![]() | 3136 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 24.6a | 1320pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06540B | 30.6100 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 60a(DC) | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S12015H | 20.6800 | ![]() | 8064 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 21a | 1700pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06506C | 4.0700 | ![]() | 4536 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 6 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 22.5a | 424pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12010P | 13.9300 | ![]() | 3811 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 110 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 37a | 765pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12015P | 20.6800 | ![]() | 6095 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 42a | 1379pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12020BM | 21.7500 | ![]() | 2082 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 33A(DC) | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||
![]() | g51xt | 2.1900 | ![]() | 1897年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123F | SIC (碳化硅) | SOD-123FL | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 1 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 1.84a | 57.5pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06508AT | 5.3200 | ![]() | 9245 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 30.5a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06508CT | 4.6900 | ![]() | 1563年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06508J | 6.2800 | ![]() | 4678 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2隔离选项卡 | SIC (碳化硅) | TO-220ISO | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 23a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12015L | 15.2900 | ![]() | 4965 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 55a | 1370pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06508CT | 5.3200 | ![]() | 5536 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 31a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S17005A | 25.7200 | ![]() | 1837年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 28a | 800pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12005A | 7.6200 | ![]() | 3236 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 22a | 475pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06530BT | 16.1800 | ![]() | 4468 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 39A(DC) | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S06505C | 4.3100 | ![]() | 3183 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 22.6a | 424pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12002C | 2.8400 | ![]() | 7902 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 8.8a | 170pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12003H | 4.5600 | ![]() | 4100 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 9a | 260pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | GAS06520p | 11.1000 | ![]() | 4087 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 66.5A | 1390pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12003C | 4.5600 | ![]() | 8435 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 12a | 260pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12010A | 17.2000 | ![]() | 2786 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 34.8a | 770pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12002A | 2.8400 | ![]() | 9027 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 10a | 170pf @ 0v,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库