电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | G5S12020B | 23.8000 | ![]() | 3557 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 33A(DC) | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S12010BM | 14.7900 | ![]() | 5239 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 19.8A(DC) | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S06510B | 7.1800 | ![]() | 7126 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 27A(DC) | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | GAS06520D | 11.1000 | ![]() | 1265 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 79.5a | 1390pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06520AT | 12.1800 | ![]() | 9308 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 68.8a | 1600pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12008H | 8.0700 | ![]() | 1340 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 16a | 550pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | G3S06505D | 3.2200 | ![]() | 3256 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 22.6a | 424pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06503C | 2.7300 | ![]() | 3004 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 11.5A | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06502D | 2.2800 | ![]() | 4941 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 9a | 123pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12005H | 7.6200 | ![]() | 5288 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 21a | 475pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06510H | 5.3000 | ![]() | 6225 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 20a | 690pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06505HT | 4.6400 | ![]() | 7344 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 18.5a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06508AT | 4.6900 | ![]() | 3519 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24.5A | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06505DT | 4.6400 | ![]() | 1517年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 24a | 395pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S12020D | 19.1600 | ![]() | 4685 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | SIC (碳化硅) | TO-263 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 75a | 2600pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S12040BM | 53.2300 | ![]() | 3643 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 64.5A(DC) | 1.6 V @ 20 A | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S06505H | 3.3300 | ![]() | 1856年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 15.4a | 424pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06506B | 5.0200 | ![]() | 1251 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 650 v | 14A(DC) | 1.7 V @ 3 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | |||
![]() | G3S06502A | 2.2800 | ![]() | 2507 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 9a | 123pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06502H | 2.2800 | ![]() | 3507 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2完整包 | SIC (碳化硅) | TO-220F | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 9a | 123pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S12010C | 12.6300 | ![]() | 7490 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 34.2a | 825pf @ 0v,1MHz | ||||
![]() | G3S12005C | 7.6200 | ![]() | 7511 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 5 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 34a | 475pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06520A | 11.9400 | ![]() | 1774年 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 20 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 56.5A | 1170pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06508QT | 6.2000 | ![]() | 7166 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | 4-POWERTSFN | SIC (碳化硅) | 4-DFN(8x8) | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.5 V @ 8 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 44.9a | 550pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12002C | 3.8200 | ![]() | 5093 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 8.8a | 170pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G5S06504CT | 3.6600 | ![]() | 7292 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252 | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.6 V @ 4 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 13.8a | 181pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S06550p | 37.4900 | ![]() | 7840 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 50 A | 0 ns | 100 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 105a | 4400pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G4S06515PT | 8.3300 | ![]() | 2725 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 39a | 645pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S17010A | 33.3600 | ![]() | 3150 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220AC | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1700 v | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 100 µA @ 1700 V | -55°C 〜175°C | 24a | 1500pf @ 0v,1MHz | |||
![]() | G3S12004B | 6.7200 | ![]() | 3127 | 0.00000000 | 全球电力技术-GPT | - | (CT) | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247AB | 下载 | (1 (无限) | 根据要求获得可用的信息 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 8.5A(DC) | 1.7 V @ 2 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库