SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
G5S12020B Global Power Technology-GPT G5S12020B 23.8000
RFQ
ECAD 3557 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 33A(DC) 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
G3S12010BM Global Power Technology-GPT G3S12010BM 14.7900
RFQ
ECAD 5239 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 19.8A(DC) 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
G3S06510B Global Power Technology-GPT G3S06510B 7.1800
RFQ
ECAD 7126 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 27A(DC) 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
GAS06520D Global Power Technology-GPT GAS06520D 11.1000
RFQ
ECAD 1265 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 79.5a 1390pf @ 0v,1MHz
G5S06520AT Global Power Technology-GPT G5S06520AT 12.1800
RFQ
ECAD 9308 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 68.8a 1600pf @ 0v,1MHz
G5S12008H Global Power Technology-GPT G5S12008H 8.0700
RFQ
ECAD 1340 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 16a 550pf @ 0v,1MHz
G3S06505D Global Power Technology-GPT G3S06505D 3.2200
RFQ
ECAD 3256 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 22.6a 424pf @ 0v,1MHz
G3S06503C Global Power Technology-GPT G3S06503C 2.7300
RFQ
ECAD 3004 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 3 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 11.5A 181pf @ 0v,1MHz
G3S06502D Global Power Technology-GPT G3S06502D 2.2800
RFQ
ECAD 4941 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 9a 123pf @ 0v,1MHz
G3S12005H Global Power Technology-GPT G3S12005H 7.6200
RFQ
ECAD 5288 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 21a 475pf @ 0v,1MHz
G3S06510H Global Power Technology-GPT G3S06510H 5.3000
RFQ
ECAD 6225 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 20a 690pf @ 0v,1MHz
G5S06505HT Global Power Technology-GPT G5S06505HT 4.6400
RFQ
ECAD 7344 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 18.5a 395pf @ 0v,1MHz
G4S06508AT Global Power Technology-GPT G4S06508AT 4.6900
RFQ
ECAD 3519 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 24.5A 395pf @ 0v,1MHz
G5S06505DT Global Power Technology-GPT G5S06505DT 4.6400
RFQ
ECAD 1517年 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 24a 395pf @ 0v,1MHz
G4S12020D Global Power Technology-GPT G4S12020D 19.1600
RFQ
ECAD 4685 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SIC (碳化硅) TO-263 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 75a 2600pf @ 0v,1MHz
G4S12040BM Global Power Technology-GPT G4S12040BM 53.2300
RFQ
ECAD 3643 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 64.5A(DC) 1.6 V @ 20 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
G3S06505H Global Power Technology-GPT G3S06505H 3.3300
RFQ
ECAD 1856年 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 15.4a 424pf @ 0v,1MHz
G3S06506B Global Power Technology-GPT G3S06506B 5.0200
RFQ
ECAD 1251 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 650 v 14A(DC) 1.7 V @ 3 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C
G3S06502A Global Power Technology-GPT G3S06502A 2.2800
RFQ
ECAD 2507 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 9a 123pf @ 0v,1MHz
G3S06502H Global Power Technology-GPT G3S06502H 2.2800
RFQ
ECAD 3507 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 SIC (碳化硅) TO-220F 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 9a 123pf @ 0v,1MHz
G5S12010C Global Power Technology-GPT G5S12010C 12.6300
RFQ
ECAD 7490 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 34.2a 825pf @ 0v,1MHz
G3S12005C Global Power Technology-GPT G3S12005C 7.6200
RFQ
ECAD 7511 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 5 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 34a 475pf @ 0v,1MHz
G3S06520A Global Power Technology-GPT G3S06520A 11.9400
RFQ
ECAD 1774年 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 20 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 56.5A 1170pf @ 0v,1MHz
G5S06508QT Global Power Technology-GPT G5S06508QT 6.2000
RFQ
ECAD 7166 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 4-POWERTSFN SIC (碳化硅) 4-DFN(8x8) 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.5 V @ 8 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 44.9a 550pf @ 0v,1MHz
G3S12002C Global Power Technology-GPT G3S12002C 3.8200
RFQ
ECAD 5093 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 8.8a 170pf @ 0v,1MHz
G5S06504CT Global Power Technology-GPT G5S06504CT 3.6600
RFQ
ECAD 7292 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.6 V @ 4 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 13.8a 181pf @ 0v,1MHz
G3S06550P Global Power Technology-GPT G3S06550p 37.4900
RFQ
ECAD 7840 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 50 A 0 ns 100 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 105a 4400pf @ 0v,1MHz
G4S06515PT Global Power Technology-GPT G4S06515PT 8.3300
RFQ
ECAD 2725 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.7 V @ 15 A 0 ns 50 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 39a 645pf @ 0v,1MHz
G3S17010A Global Power Technology-GPT G3S17010A 33.3600
RFQ
ECAD 3150 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1700 v 1.7 V @ 10 A 0 ns 100 µA @ 1700 V -55°C 〜175°C 24a 1500pf @ 0v,1MHz
G3S12004B Global Power Technology-GPT G3S12004B 6.7200
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 全球电力技术-GPT - (CT) 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247AB 下载 (1 (无限) 根据要求获得可用的信息 Ear99 8541.10.0080 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 8.5A(DC) 1.7 V @ 2 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库