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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IPD60R360PFD7SAUMA1	1.4100	RFQ	9676	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-344	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		600 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IPN60R2K0PFD7SATMA1	0.7500	RFQ	5	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	IPN60R2		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		600 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 30µA	3.8 NC @ 10 V	±20V	134 PF @ 400 V	-	6W（TC）
IPS60R360PFD7SAKMA1	1.4100	RFQ	982	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IPN60R360PFD7SATMA1	1.3100	RFQ	14	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	IPN60R		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		600 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	7W（TC）
IPS60R210PFD7SAKMA1	2.0900	RFQ	308	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道		650 v	16A（TC）	10V	210MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 V	-	64W（TC）
IPN60R1K5PFD7SATMA1	0.7900	RFQ	7569	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN60R1		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		600 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 700mA，10V	4.5V @ 40µA	4.6 NC @ 10 V	±20V	169 PF @ 400 V	-	6W（TC）
AIDW12S65C5XKSA1	3.1292	RFQ	8315	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW12		SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.7 V @ 12 A	0 ns	70 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	12a	363pf @ 1V，1MHz
AIDW16S65C5XKSA1	4.5924	RFQ	9632	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW16		SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.7 V @ 16 A	0 ns	90 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	16a	471pf @ 1V，1MHz
AIDW20S65C5XKSA1	5.5332	RFQ	6411	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW20		SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.7 V @ 20 A	0 ns	120 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	20a	584pf @ 1V，1MHz
D841S45TS01XDLA1	-	RFQ	2244	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	D841S45		标准			BG-D7514-1	-			到达不受影响	SP000091296	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														4500 v		3.5 V @ 2500 A		140 ma @ 4500 V	125°c （最大）	1080a	-
FS20R06XL4BOMA1	-	RFQ	8880	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS20R06			89 w	标准	Ag-Easy750-1	-		供应商不确定	到达不受影响	SP000100283	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																							-	600 v	26 a		2.55V @ 15V，20A				5 ma	是的	900 pf @ 25 V
FF45MR12W1M1B11BOMA1	65.9800	RFQ	9	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF45MR12		（SIC）	20MW（TC）		Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	24	2 n 通道（双）				1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v（typ（typ））	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
BSC021N08NS5ATMA1	4.0900	RFQ	5214	Infineon技术	Optimos™，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC021		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		80 V	100A（TC）	6V，10V	2.1MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 146µA	29 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 40 V	标准	214W（TC）
BSC022N04LS6ATMA1	1.8200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC022		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		40 V	27a（27A），100A（tc（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 20 V	-	（3W）（ta），79w（tc）
BSC027N10NS5ATMA1	5.1500	RFQ	7365	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	3.8V @ 146µA	111 NC @ 10 V	±20V	8200 PF @ 50 V	-	（3W（ta），214w（tc）
DZ1100N22KTIMHPSA1	673.1900	RFQ	8430	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DZ1100		标准			BG-PB70AT-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														2200 v		1.11 V @ 3000 A		80 ma @ 2200 V	150°C （最大）	1100a	-
FF1500R12IE5PBPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3+ b	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块	FF1500R			20兆	标准	Ag-Prime3+-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																							沟渠场停止	1200 v	1500 a		2.15V @ 15V，1.5KA				5 ma	是的
FF1500R17IP5PBPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3+ b	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块	FF1500R			1500 w	标准	Ag-Prime3+-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																							沟渠场停止	1700 v	1500 a		2.2V @ 15V，1.5KA				5 ma	是的
FF450R33T3E3BPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33			1000000 w	标准	AG-XHP100-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	半桥																							沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a				5 ma	不
FF450R33T3E3P2BPSA1	1.0000	RFQ	6115	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33			1000000 w	标准	AG-XHP100-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	2	半桥																							沟渠场停止	3300 v	450 a		2.75V @ 15V，450a				5 ma	不
FS100R12N2T4B11BOSA1	-	RFQ	4721	Infineon技术	Econopack™2	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS100R12			20兆	标准	AG-ECONO2-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001723592	Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																							沟渠场停止	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，100a				1 MA	是的
IAUA200N04S5N010AUMA1	2.9800	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IAUA200		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道		40 V	200a（TC）	7V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.4V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	7650 pf @ 25 V	-	167W（TC）
IAUC100N10S5N040ATMA1	3.1900	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC100		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道		100 v	100A（TC）	6V，10V	4mohm @ 50a，10v	3.8V @ 90µA	78 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 50 V	-	167W（TC）
IDC50S120C5X7SA1	55.0800	RFQ	1333	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	IDC50S120		-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响			0000.00.0000	1		-																			-	-	-
IDFW60C65D1XKSA1	5.1120	RFQ	9423	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	IDFW60		标准			pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	650 v	56A（DC）	1.75 V @ 30 A	112 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
IEWS20R5135IPBXKLA1	-	RFQ	6258	Infineon技术	Trenchstop™	管子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-6		逻辑		288 w		pg-to247-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001778868	Ear99	8541.29.0095	1,000				-																				沟渠场停止	1350 v	40 a	60 a	1.85V @ 0v，20a	- （1.2MJ））		668NS/2.034µs
IKFW75N60ETXKSA1	8.2497	RFQ	3329	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKFW75	标准		178 w		pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，75A，5OHM，15V															107 ns					沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2V @ 15V，75a	2.7MJ（在）上，2.35J off）	440 NC	33NS/340NS
IKFW90N60EH3XKSA1	12.7500	RFQ	248	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKFW90	标准		178 w		pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，75A，5OHM，15V															107 ns					沟渠场停止	600 v	77 a	300 a	2.3V @ 15V，75a	2.65MJ（在）上，1.3MJ off）	440 NC	32NS/210NS
IPA65R190CFDXKSA2	4.0800	RFQ	461	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipa65r		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 700µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IPAN60R180P7SXKSA1	2.1800	RFQ	488	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN60		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	18A（TC）	10V	-	4V @ 280µA	25 NC @ 10 V	±20V	1081 PF @ 400 V	-	26W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²