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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BAR66E6433HTMA1	-	RFQ	1759年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAR66					PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000				200 ma												250兆													0.6pf @ 35V，1MHz						引脚-1对系列连接	150V				1.8OHM @ 5mA，100MHz
IDL04G65C5XUMA2	2.8000	RFQ	3	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	4-POWERTSFN	IDL04G65	SIC （碳化硅）				PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000		没有恢复t> 500mA（IO）																					650 v	1.7 V @ 4 A	0 ns	70 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	4a	130pf @ 1V，1MHz
FZ1600R17KF6CB2NOSA1	-	RFQ	3799	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ1600		12500 w		标准	模块	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																														-	1700 v	2600 a	3.1V @ 15V，1600a			3 ma	不	105 NF @ 25 V
IPG20N10S4L22AATMA1	1.7600	RFQ	5357	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn	IPG20N	MOSFET （金属 o化物）	60W			PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						100V	20a		22mohm @ 17a，10v	2.1V @ 25µA	27nc @ 10V		1755pf @ 25V	逻辑级别门
IRF8736TRPBF	0.7800	RFQ	2845	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF8736	MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				30 V	18A（18A）	4.5V，10V	4.8mohm @ 18a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2315 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
SPW11N60S5FKSA1	-	RFQ	4654	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW11N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			n通道				600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPU50R950CEAKMA2	-	RFQ	9807	Infineon技术	CoolMos™CE	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU50R	MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				500 v	4.3A（TC）	13V	950MOHM @ 1.2A，13V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	231 PF @ 100 V	-	53W（TC）
IRF3711ZSTRR	-	RFQ	8460	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				20 v	92A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	79W（TC）
BCR133WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	1080	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR133		250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	100 ma				100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
BCR 133F B6327	-	RFQ	8399	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 133		250兆			PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																																50 V	100 ma				100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130 MHz	10 kohms	10 kohms
BFP 640FESD E6327	-	RFQ	5415	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	表面安装	4-SMD，平坦的铅	BFP 640		200MW			4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						8b〜30.5dB																										4.7V	50mA								NPN		110 @ 30mA，3v	46GHz			0.55db〜1.7dB @ 150MHz〜10GHz
BCR 142F E6327	-	RFQ	8942	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 142		250兆			PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	100 ma				100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
IPB160N04S2L03ATMA1	-	RFQ	5621	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160N	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				40 V	160a（TC）	4.5V，10V	2.7MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	230 NC @ 5 V	±20V	6000 pf @ 15 V	-	300W（TC）
BSO303SPNTMA1	-	RFQ	7150	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）				PG-DSO-8	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道				30 V	8.9a（ta）	4.5V，10V	21mohm @ 8.9a，10v	2V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	1754 PF @ 25 V	-	2.35W（TA）
IPB160N04S203ATMA1	-	RFQ	5720	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB160N	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				40 V	160a（TC）	10V	2.9MOHM @ 60a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRFR1018EtrPBF	1.6600	RFQ	36	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR1018	MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				60 V	56A（TC）	10V	8.4mohm @ 47a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 50 V	-	110W（TC）
64-2082pbf	-	RFQ	5191	Infineon技术	-	管子	过时的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1								-
IRFH7932TRPBF	1.2100	RFQ	19	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IRFH7932	MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）单个死亡	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道				30 V	24A（24A），104A （TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 25a，10v	2.35V @ 100µA	51 NC @ 4.5 V	±20V	4270 pf @ 15 V	-	3.4W（TA）
IPU10N03LA	-	RFQ	2304	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPU10N	MOSFET （金属 o化物）				P-TO251-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000014984	Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道				25 v	30A（TC）	4.5V，10V	10.4mohm @ 30a，10v	2V @ 20µA	11 NC @ 5 V	±20V	1358 pf @ 15 V	-	52W（TC）
2SP0320T2C017NPSA1	-	RFQ	2372	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IRLHS6342TR2PBF	-	RFQ	9864	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	6-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）				6-PQFN （2x2）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道				30 V	8.7a（ta），19a（tc）		15.5MOHM @ 8.5A，4.5V	1.1V @ 10µA	11 NC @ 4.5 V		1019 pf @ 25 V	-
FZ800R12KF5NOSA1	640.9100	RFQ	92	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
TTB6C95N16LOF	102.7900	RFQ	239	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块				桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					200 ma												1.6 kV	75 a	2.5 v	720a @ 50Hz	150 ma	130 a								6 scr
BCR 191F E6327	-	RFQ	1536年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOT-723	BCR 191		250兆			PG-TSFP-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																50 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
IPP80N08S2L07AKSA1	4.4400	RFQ	400	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP80N08	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				75 v	80A（TC）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 80A，10V	2V @ 250µA	233 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF1010EZLPBF	-	RFQ	3388	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道				60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRL3705NSTRR	-	RFQ	3435	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道				55 v	89A（TC）	4V，10V	10mohm @ 46a，10v	2V @ 250µA	98 NC @ 5 V	±16V	3600 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），170W（TC）
IPP029N06NAK5A1	-	RFQ	3689	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				60 V	（24A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.9MOHM @ 100A，10V	2.8V @ 75µA	56 NC @ 10 V	±20V	4100 PF @ 30 V	-	（3W）（136w（ta）（TC）
IDH05G65C5XKSA1	-	RFQ	8461	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-220-2	IDH05G65	SIC （碳化硅）				PG-TO220-2-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																					650 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	170 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C	5a	160pf @ 1V，1MHz
BSZ009NE2LS5ATMA1	2.9200	RFQ	1139	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ009	MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道				25 v	39a（ta），40a tc（TC）	4.5V，10V	900mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±16V	5500 pf @ 12 V	-	2.1W（ta），69W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²