RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -测试
IRF7749L2TR1PBF	-	RFQ	5676	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距l8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道					60 V	33A（33A），375a（tc）	10V	1.5MOHM @ 120A，10V	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	12320 PF @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRLML2030TRPBF	0.3900	RFQ	56	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML2030		MOSFET （金属 o化物）	Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道					30 V	2.7a（ta）	4.5V，10V	100mohm @ 2.7a，10v	2.3V @ 25µA	1 NC @ 4.5 V	±20V	110 pf @ 15 V	-	1.3W（TA）
IRF7815TRPBF	1.3600	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7815		MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道					150 v	5.1a（ta）	10V	43mohm @ 3.1a，10v	5V @ 100µA	38 NC @ 10 V	±20V	1647 PF @ 75 V	-	2.5W（TA）
IRFH5306TR2PBF	-	RFQ	3012	Infineon技术	-	（CT）	过时的			表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）	PQFN（5x6）单个死亡	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道					30 V	（15A）（TA），44A （TC）		8.1MOHM @ 15A，10V	2.35V @ 25µA	12 nc @ 4.5 V		1125 PF @ 15 V	-
IPP023NE7N3GXKSA1	6.6600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP023		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道					75 v	120A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
IRF7769L2TRPBF	-	RFQ	7954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距l8			MOSFET （金属 o化物）	DirectFet™等距l8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道					100 v	375a（TC）	10V	3.5mohm @ 74a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 10 V	±20V	11560 pf @ 25 V	-	3.3W（TA），125W（tc）
IRF9310pbf	-	RFQ	8118	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566550	Ear99	8541.29.0095	95	P通道					30 V	20A（TC）	4.5V，10V	4.6mohm @ 20a，10v	2.4V @ 100µA	165 NC @ 10 V	±20V	5250 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
SPA11N60CFDXKSA1	2.5347	RFQ	6513	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N60		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道					600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 1.9mA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
SPA15N65C3XKSA1	-	RFQ	2200	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA15N65		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道					650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9.4a，10V	3.9V @ 675µA	63 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	34W（TC）
SPA20N60CFDXKSA1	3.9983	RFQ	3369	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA20N60		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道					600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	35W（TC）
SPD04P10PGBTMA1	0.9800	RFQ	22	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SPD04P10		MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道					100 v	4A（TC）	10V	1欧姆 @ 2.8A，10V	4V @ 380µA	12 nc @ 10 V	±20V	319 pf @ 25 V	-	38W（TC）
SPD15P10PLGBTMA1	2.2600	RFQ	9	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	SPD15P10		MOSFET （金属 o化物）	pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	P通道					100 v	15A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 11.3a，10v	2V @ 1.54mA	62 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	128W（TC）
SPI20N60CFDHKSA1	-	RFQ	3820	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI20N		MOSFET （金属 o化物）	pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道					650 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
spp08p06phxksa1	-	RFQ	5450	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp08p		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道					60 V	8.8A（TC）	10V	300mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 25 V	-	42W（TC）
SPP15N65C3HKSA1	-	RFQ	2067	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP15N		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道					650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9.4a，10V	3.9V @ 675µA	63 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	156W（TC）
SPP15P10PGHKSA1	-	RFQ	9018	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp15p		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道					100 v	15A（TC）	10V	240mohm @ 10.6a，10V	2.1V @ 1.54mA	48 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	128W（TC）
SPP15P10PLGHKSA1	-	RFQ	1951年	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp15p		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	P通道					100 v	15A（TC）	4.5V，10V	200mohm @ 11.3a，10v	2V @ 1.54mA	62 NC @ 10 V	±20V	1490 pf @ 25 V	-	128W（TC）
spp80p06phxksa1	5.9100	RFQ	3	Infineon技术	Sipmos®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80P06		MOSFET （金属 o化物）	pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道					60 V	80A（TC）	10V	23mohm @ 64a，10v	4V @ 5.5mA	173 NC @ 10 V	±20V	5033 PF @ 25 V	-	340W（TC）
SPW07N60CFDFKSA1	-	RFQ	8173	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW07N		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240	n通道					650 v	6.6A（TC）	10V	700MOHM @ 4.6A，10V	5V @ 300µA	47 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SPW15N60CFDFKSA1	-	RFQ	9495	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW15N		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240	n通道					650 v	13.4A（TC）	10V	330mohm @ 9.4a，10v	5V @ 750µA	84 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	156W（TC）
SPW24N60CFDFKSA1	5.6670	RFQ	2847	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SPW24N60		MOSFET （金属 o化物）	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240	n通道					650 v	21.7A（TC）	10V	185mohm @ 15.4a，10v	5V @ 1.2mA	143 NC @ 10 V	±20V	3160 pf @ 25 V	-	240W（TC）
PTF210451E V1	-	RFQ	7788	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线		2.17GHz	ldmos	H-30265-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		1µA	500 MA	45W	14dB											-	28 V
PTF210451F V1	-	RFQ	4361	Infineon技术	Goldmos®	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		2.17GHz	ldmos	H-31265-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		1µA	500 MA	45W	14dB											-	28 V
PTFA041501GL V1	-	RFQ	8709	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFA041501	470MHz	ldmos	PG-63248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		1µA	900 MA	150W	21dB											-	28 V
PTFA041501GL V1 R250	-	RFQ	3714	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线	PTFA041501	470MHz	ldmos	PG-63248-2	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		1µA	900 MA	150W	21dB											-	28 V
PTFA043002E V1	-	RFQ	3273	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线		800MHz	ldmos	H-30275-4	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		10µA	1.55 a	100W	16dB											-	32 v
PTFA081501F V1	-	RFQ	9511	Infineon技术	Goldmos®	托盘	在sic中停产	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍线		900MHz	ldmos	H-31248-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		10µA	950 MA	150W	18db											-	28 V
PTFA082201EV4R250XTMA1	-	RFQ	1598年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	H-36260-2	PTFA082201	894MHz	ldmos	H-36260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		10µA	1.95 a	220W	18db											-	30 V
PTFA092201FV4XWSA1	-	RFQ	7866	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰	PTFA092201	960MHz	ldmos	H-37260-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		10µA	1.85 a	220W	18.5db											-	30 V
PTFA142401ELV4XWSA1	-	RFQ	2373	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	H-33288-2		1.5GHz	ldmos	H-33288-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40		10µA	2 a	240W	16.5db											-	30 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²