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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BAT15099RE6327HTSA1	1.0200	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）		TO-253-4，TO-253AA	BAT15099					PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			110 MA											100兆		0.5pf @ 0v，1MHz									肖特基 -交叉	4V				-
FD1200R12IE4B1S1BDMA1	1.0000	RFQ	156	Infineon技术	*	大部分	过时的				FD1200R						下载	Rohs不合规		供应商不确定	2156-FD1200R12IE4B1S1BDMA1	Ear99	8541.29.0095	1
FF900R12IP4VBOSA1	726.5567	RFQ	1298	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	不适合新设计	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF900R12			5100 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																沟渠场停止	1200 v	900 a		2.05V @ 15V，900A						5 ma	是的	54 NF @ 25 V
BSM35GD120DN2E3224BPSA1	136.8500	RFQ	2504	Infineon技术	-	托盘	上次购买	150°C（TJ）	底盘安装	模块	BSM35G			280 w	标准	Ag-Econo2b	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	全桥																-	1200 v	50 a		3.2V @ 15V，35a						1 MA	不	2 NF @ 25 V
BSD314SPE L6327	-	RFQ	5959	Infineon技术	Optimos™-P 3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT363-6-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	790		P通道			30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
IRFS4410pbf	-	RFQ	9954	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573484	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
IPI50R299CPXKSA1	-	RFQ	5899	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI50R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			500 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BTS244Z	1.8100	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	过时的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
IRF100P219AKMA1	7.5600	RFQ	5882	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道			100 v	203A（TC）	6V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 278µA	210 NC @ 10 V	±20V	12020 PF @ 50 V	-	3.8W（341W）（TC）
IRGP4269DPBF	-	RFQ	8626	Infineon技术	-	管子	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546196	Ear99	8541.29.0095	240
IRFB7446GPBF	-	RFQ	2478	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566710	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			40 V	120A（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRG4BC30K	-	RFQ	2677	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		100 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC30K	Ear99	8541.29.0095	50				480V，16a，23ohm，15v													-	600 v	28 a	58 a	2.7V @ 15V，16a	360µJ（在）上，510µJ（OFF）	67 NC	26NS/130NS
BA 892 E6433	-	RFQ	8071	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-80	BA 892					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000			100 ma													1.1pf @ 3V，1MHz									标准 -单个	35V				500MOHM @ 10mA，100MHz
IKFW50N60DH3XKSA1	8.3000	RFQ	1089	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKFW50	标准		145 w		pg-to247-3-ai	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，40a，8ohm，15V											64 ns		沟渠场停止	600 v	53 a	160 a	2.3V @ 15V，40a	1.22mj（在）上，610µJ off）	210 NC	25NS/212NS
IPW65R15OCFDAFKSA1	-	RFQ	5270	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SIGC25T60SNCX1SA2	-	RFQ	6401	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	SIGC25	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				400V，30a，11ohm，15V													npt	600 v	30 a	90 a	2.5V @ 15V，30a	-		44NS/324NS
BSO303Phxuma1	-	RFQ	4185	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO303		MOSFET （金属 o化物）	2W		PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2（p 通道（双）				30V	7a		21mohm @ 8.2a，10v	2V @ 100µA	49nc @ 10V		2678pf @ 25V	逻辑级别门
IRG8CH10K10F	-	RFQ	1362	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	IRG8CH	标准				死	下载		不适用	到达不受影响	SP001537442	过时的	0000.00.0000	1				600V，5A，47OHM，15V													-	1200 v			2V @ 15V，5A	-	30 NC	20N/160NS
SIGC15T60SEX7SA1	-	RFQ	2648	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	死	SIGC15	标准				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1				-													沟渠场停止	600 v	30 a	90 a	2.05V @ 15V，30a	-		-
BAT 62-02W E6327	-	RFQ	8675	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-80	蝙蝠62-02					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			20 ma											100兆		0.6pf @ 0v，1MHz									肖特基 -单身	40V				-
IPA60R520C6XKSA1	-	RFQ	2005	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	29W（TC）
ISP20EP10LMXTSA1	0.7900	RFQ	7724	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP20E		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			100 v	650mA（ta），990mA（tc）	4.5V，10V	2ohm @ 600mA，10v	2V @ 78µA	3.5 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 50 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
BSP125 E6433	-	RFQ	5008	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道			600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BC858BE6433HTMA1	0.0489	RFQ	8440	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC858			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																		30 V	100 ma								15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IPB50R250CP	-	RFQ	4955	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
IRG6I330U-168P	-	RFQ	9621	Infineon技术	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IRG6I330U	标准		43 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001544728	Ear99	8541.29.0095	50				-													-	330 v	28 a		1.55V @ 15V，28a	-		-
IWM013N06NM5XUMA1	2.3184	RFQ	8180	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										下载	rohs3符合条件		到达不受影响				4,800
BUZ323	3.0100	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPT60R075CFD7XTMA1	7.6500	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R075		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			600 v	33A（TC）	10V	75mohm @ 11.4a，10v	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	188W（TC）
IPB04N03LB g	-	RFQ	9872	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB04N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.5MOHM @ 55A，10V	2V @ 70µA	40 NC @ 5 V	±20V	5203 PF @ 15 V	-	107W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²