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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IPD22N08S2L50ATMA1	1.3000	RFQ	5376	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD22N08		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			75 v	27a（TC）	5V，10V	50MOHM @ 50a，10v	2V @ 31µA	33 NC @ 10 V	±20V	630 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IGZ75N65H5XKSA1	6.9500	RFQ	240	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IGZ75N65	标准		395 w		pg-to247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				400V，37.5A，10欧姆，15V																			沟	650 v	119 a	300 a	2.1V @ 15V，75a	（680µJ）（在430µJ上）	166 NC	26NS/347NS
BSL296SNH6327XTSA1	-	RFQ	2001	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6			MOSFET （金属 o化物）			PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			100 v	1.4a（ta）	4.5V，10V	460MOHM @ 1.26A，10V	1.8V @ 100µA	4 NC @ 5 V	±20V	152.7 pf @ 25 V	-	2W（TA）
FS50R12U1T4BPSA1	-	RFQ	8439	Infineon技术	SmartPack1	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS50R12			250 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	三相逆变器																						沟渠场停止	1200 v	90 a		2.15V @ 15V，50a				1 MA	是的	100 pf @ 25 V
IPB65R190CFDATMA1	2.0368	RFQ	7727	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R190		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			650 v	17.5A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	4.5V @ 730µA	68 NC @ 10 V	±20V	1850 pf @ 100 V	-	151W（TC）
IPW60R070P6XKSA1	8.7100	RFQ	146	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R070		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			600 v	53.5a（TC）	10V	70mohm @ 20.6a，10v	4.5V @ 1.72mA	100 nc @ 10 V	±20V	4750 PF @ 100 V	-	391W（TC）
BSC096N10LS5ATMA1	2.4900	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC096		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			100 v	40a（TC）	4.5V，10V	9.6mohm @ 20a，10v	2.3V @ 36µA	14.6 NC @ 4.5 V	±20V	2100 PF @ 50 V	-	3W（3W），83W（tc）
IPP08CN10N g	-	RFQ	3446	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP08C		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			100 v	95A（TC）	10V	8.5MOHM @ 95A，10V	4V @ 130µA	100 nc @ 10 V	±20V	6660 pf @ 50 V	-	167W（TC）
6MS10017E41W36460BOSA1	-	RFQ	4771	Infineon技术	MODSTACK™	大部分	过时的	-25°C〜55°C	底盘安装	模块	6ms10017				标准	模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器																						-	1700 v			-					是的
BFS 17p E8211	-	RFQ	2219	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BFS 17			280MW		PG-SOT23	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					-																			15V	25mA									NPN	40 @ 2mA，1V	1.4GHz	3.5db @ 800MHz
IPD30N03S2L07ATMA1	-	RFQ	1531年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD30N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRF7606TRPBF	0.9600	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）	IRF7606		MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道			30 V	3.6a（ta）	4.5V，10V	90MOHM @ 2.4a，10V	1V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	520 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BSD816SNL6327HTSA1	-	RFQ	2703	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道			20 v	1.4a（ta）	1.8V，2.5V	160MOHM @ 1.4A，2.5V	950mv @ 3.7µA	0.6 NC @ 2.5 V	±8V	180 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IPW65R018CFD7XKSA1	24.9500	RFQ	9651	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	106a（TC）	10V	18mohm @ 58.2a，10v	4.5V @ 2.91ma	234 NC @ 10 V	±20V	11659 PF @ 400 V	-	446W（TC）
IRFZ44NSTRLPBF	1.7300	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRF1405Z	-	RFQ	9102	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF1405Z	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	75A（TC）	10V	4.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4780 pf @ 25 V	-	230W（TC）
BSM75GD60DLCBOSA1	-	RFQ	1238	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM75G			330 w	标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																						-	600 v	95 a		2.45V @ 15V，75A				500 µA	不	3.3 NF @ 25 V
IRG4BC20UDSTRLP	-	RFQ	5762	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800				480V，6.5a，50ohm，15V														37 ns					-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRG6S320UTRRPBF	-	RFQ	2055	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG6S320U	标准		114 W		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				196V，12a，10ohm																			沟	330 v	50 a		1.65V @ 15V，24a	-	46 NC	24NS/89NS
FF200R12KT3HOSA1	168.1200	RFQ	10	Infineon技术	c	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF200R12			1050 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																						沟渠场停止	1200 v			2.15V @ 15V，200a				5 ma	不	14 NF @ 25 V
IPS70R900P7SAKMA1	0.8500	RFQ	964	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS70R900		MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道			700 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 60µA	6.8 NC @ 10 V	±16V	211 PF @ 400 V	-	30.5W（TC）
IMW65R027M1HXKSA1	25.7200	RFQ	4354	Infineon技术	COOLSIC™M1	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R027		sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			650 v	47A（TC）	18V	34mohm @ 38.3a，18v	5.7V @ 11mA	62 NC @ 18 V	+23V，-5V	2131 PF @ 400 V	-	189W（TC）
AUIRFS3307Z	-	RFQ	1679年	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519782	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			75 v	120A（TC）	10V	5.8MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V	±20V	4750 PF @ 50 V	-	230W（TC）
IRLS4030TRLPBF	4.3400	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRLS4030		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			100 v	180a（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 110A，10V	2.5V @ 250µA	130 NC @ 4.5 V	±16V	11360 pf @ 50 V	-	370W（TC）
IRG4BC20KDPBF	-	RFQ	3228	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，9a，50ohm，15V														37 ns					-	600 v	16 a	32 a	2.8V @ 15V，9a	（340µJ）（300µJ（）	34 NC	54NS/180NS
IDD05SG60CXTMA2	1.9507	RFQ	6564	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD05SG60		SIC （碳化硅）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500		没有恢复t> 500mA（IO）														600 v	2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	110pf @ 1V，1MHz
IRF7726TR	-	RFQ	5234	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道			30 V	7a（ta）	4.5V，10V	26mohm @ 7a，10v	2.5V @ 250µA	69 NC @ 10 V	±20V	2204 PF @ 25 V	-	1.79W（TA）
IPP80P03P4L07AKSA1	-	RFQ	6389	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80p		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			P通道			30 V	80A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 80A，10V	2V @ 130µA	80 NC @ 10 V	+5V，-16V	5700 PF @ 25 V	-	88W（TC）
SPD14N06S2-80	-	RFQ	1611	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD14N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			55 v	17a（TC）	10V	80MOHM @ 7A，10V	4V @ 14µA	10 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	30W（TC）
IPB60R385CP	-	RFQ	2745	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²