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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
2SP0115T2B060017E4NPSA1	-	RFQ	7969	Infineon技术	-	托盘	过时的									-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
2SP0320T2C017NPSA1	-	RFQ	2372	Infineon技术	-	托盘	过时的									-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
附件27342NOSA1	-	RFQ	7878	Infineon技术	-	托盘	过时的				附件2					-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
2SP0115T2A0FF300R17NPSA1	-	RFQ	5800	Infineon技术	-	托盘	过时的									-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
附件34362NOSA1	-	RFQ	8979	Infineon技术	-	托盘	过时的				附件3					-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
TR10228002NOSA1	-	RFQ	4794	Infineon技术	-	托盘	过时的									-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
DR11242513NDSA1	-	RFQ	4912	Infineon技术	-	托盘	过时的									-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
FB20R06W1E3B11BPSA1	41.1200	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			94 W	标准	ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																			沟渠场停止	600 v	29 a	2V @ 15V，20A			1 MA	是的	1.1 NF @ 25 V
IPB65R041CFD7ATMA1	12.0400	RFQ	3459	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	650 v	50A（TC）	10V	41MOHM @ 24.8A，10V	4.5V @ 1.24mA	102 NC @ 10 V	±20V	4975 PF @ 400 V	-	227W（TC）
IPB65R110CFD7ATMA1	6.0500	RFQ	5667	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	650 v	22a（TC）	10V	110MOHM @ 9.7a，10V	4.5V @ 480µA	41 NC @ 10 V	±20V	1942 PF @ 400 V	-	114W（TC）
IPB65R090CFD7ATMA1	6.3700	RFQ	9200	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	650 v	25A（TC）	10V	90MOHM @ 12.5A，10V	4.5V @ 630µA	53 NC @ 10 V	±20V	2513 PF @ 400 V	-	127W（TC）
IPP65R110CFD7XKSA1	5.7700	RFQ	107	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp65r	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	22a（TC）	10V	110MOHM @ 9.7a，10V	4.5V @ 480µA	41 NC @ 10 V	±20V	1942 PF @ 400 V	-	114W（TC）
BSC004NE2LS5ATMA1	2.6400	RFQ	1416	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	25 v	40A（479A）（479A）TC）	4.5V，10V	0.45MOHM @ 30a，10V	2V @ 10mA	238 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 12.5 V	-	2.5W（ta），188W（tc）
IPW65R125CFD7XKSA1	6.2500	RFQ	6162	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	19a（tc）	10V	125MOHM @ 8.5A，10V	4.5V @ 420µA	36 NC @ 10 V	±20V	1694 PF @ 400 V	-	98W（TC）
BSC005N03LS5ATMA1	2.6400	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	30 V	42a（ta），433a （TC）	4.5V，10V	0.55MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	122 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 15 V	-	3W（3W），188w（tc）
IAUS260N10S5N019TATMA1	7.6600	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	16-Powersop模块		MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-16-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	100 v	260a（TJ）	6V，10V	1.9MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 210µA	166 NC @ 10 V	±20V	11830 PF @ 50 V	-	300W（TC）
F3L11MR12W2M1B74BOMA1	198.0200	RFQ	21	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L11MR12		20兆	标准	AG-EASY2B-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器																			沟渠场停止	1200 v	100 a	1.5V @ 15V，100a			9 µA	是的	21.7 NF @ 25 V
IPP082N10NF2SAKMA1	1.7200	RFQ	133	Infineon技术	strongirfet™2	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP082N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	50			n通道	100 v	（15a）（ta），77a（tc）	6V，10V	8.2MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 46µA	42 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），100W（TC）
IAUS300N08S5N014TATMA1	7.6200	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	16-Powersop模块		MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-16-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	80 V	300A（TJ）	6V，10V	1.4MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 230µA	187 NC @ 10 V	±20V	13178 PF @ 40 V	-	300W（TC）
ISC007N04NM6ATMA1	3.3300	RFQ	3685	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC007N	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	40 V	48A（TA），381A （TC）	6V，10V	0.7MOHM @ 50a，10v	2.8V @ 1.05mA	117 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 20 V	-	3W（3W），188w（tc）
IPTG111N20NM3FDATMA1	8.3200	RFQ	59	Infineon技术	Optimos™3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG111N	MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	200 v	10.8a（ta），108a tc）	10V	11.1MOHM @ 96A，10V	4V @ 267µA	81 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 100 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
IPTG014N10NM5ATMA1	8.7200	RFQ	5658	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-powersmd，鸥翼	IPTG014N	MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOG-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道	100 v	37A（ta），366a（tc）	6V，10V	1.4mohm @ 150a，10v	3.8V @ 280µA	211 NC @ 10 V	±20V	16000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
DDB2U60N12W1RFB11BPSA1	132.7200	RFQ	2	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		标准			Ag-Easy1b-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	24															1.85 V @ 60 A	174 µA @ 1200 V		60 a						单相	1.2 kV
F411MR12W2M1B76BOMA1	-	RFQ	1921年	Infineon技术	EASYPACK™COOLSIC™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F411MR	（SIC）	-		Ag-Easy1b-2	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	15	4（n n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	100A（TJ）		11.3MOHM @ 100A，15V	5.55V @ 40mA	248nc @ 15V		7360pf @ 800V	-
F445MR12W1M1B76BPSA1	-	RFQ	1455	Infineon技术	EASYPACK™COOLSIC™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F445MR	（SIC）	-		Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	24	4（n n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
FF11MR12W1M1B70BPSA1	185.0800	RFQ	15	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF11MR12	（SIC）	20MW（TC）		ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	24	2 n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	100A（TJ）		11.3MOHM @ 100A，15V	5.55V @ 40mA	248nc @ 15V		7360pf @ 800V	-
BSS123IXTSA1	0.3700	RFQ	30	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道	100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	1.8V @ 13µA	0.63 NC @ 10 V	±20V	15 pf @ 50 V	-	500MW（TA）
FZ2400R33HE4BPSA1	2.0000	RFQ	2	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ2400		5400000 w	标准	AG-IHVB190-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																			沟渠场停止	3300 v	2400 a	2.65V @ 15V，2.4KA			5 ma	不	280 NF @ 25 V
38DN06B02ELEMXPSA1	232.6400	RFQ	19	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	38DN06	标准			BG-D-Elem-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	20		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												600 v	960 MV @ 4500 A	50 ma @ 600 V	180°C （最大）	5140a	-
AIMW120R035M1HXKSA1	42.4400	RFQ	7547	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	30			n通道	1200 v	52A（TC）	18V	46mohm @ 25a，18v	5.7V @ 10mA	59 NC @ 18 V	+23V，-7V	2130 PF @ 800 V	-	228W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²