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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IPB13N03LBG	0.4000	RFQ	999	Infineon技术	*	大部分	积极的				IPB13N		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1														-
BB640	1.0000	RFQ	8265	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	3,000
IPP50R350CP	-	RFQ	2361	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道				500 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
BFR949TE6327	-	RFQ	5488	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416				250MW		PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000					20dB														10V	35mA												NPN	100 @ 5mA，6v	9GHz	1db〜1.5dB @ 1GHz〜1.8GHz
IPU80R750P7AKMA1-ND	0.7700	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™P7	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			PG至251-3-341	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		n通道				800 v	7A（TJ）	10V	750MOHM @ 2.7A，10V	3.5V @ 140µA	17 NC @ 10 V	±20V	460 pf @ 500 V	-	51W（TC）
BA892E6770	0.0400	RFQ	5195	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-80						PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	6,000			100 ma														1.1pf @ 3V，1MHz									标准 -单个	35V				500MOHM @ 10mA，100MHz
SP000629364	0.4600	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1		n通道				600 v	4.4A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	37W（TC）
IRGP50B60PDPBF-INF	1.0000	RFQ	8061	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		370 w		TO-247AC	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1				390V，33a，3.3孔，15V												50 ns		npt	600 v	75 a	150 a	2.6V @ 15V，33a	（360µJ）（在380µJ上）	240 NC	34NS/130NS
IRG4IBC30WPBF-INF	1.5600	RFQ	844	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W		到220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1				480V，12a，23ohm，15V														-	600 v	17 a	92 a	2.7V @ 15V，12A	（130µJ）（在130µJ上）	51 NC	25NS/99NS
AUIRFS3207Z-INF	-	RFQ	5796	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	100		n通道				75 v	120A（TC）		4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
IRFR18N15DTRLP-INF	-	RFQ	9284	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000		n通道				150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
IRGB15B60KDPBF-INF	2.1400	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		208 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1				400V，15A，22OHM，15V												92 ns		npt	600 v	31 a	62 a	2.2V @ 15V，15a	（220µJ）（在340µJ上）	84 NC	34NS/184NS
IRLL024NPBF-INF	-	RFQ	2619	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	181		n通道				55 v	3.1a（ta）		65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
IRFHM8334TRPBF-INF	-	RFQ	4457	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道				30 V	（13A）（TA），43A （TC）		9mohm @ 20a，10v	2.35V @ 25µA	15 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 10 V	-	2.7W（28W），28W（TC）
IRL2203NPBF-INF	1.0000	RFQ	2638	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道				30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
FS50R12KT4B15BOSA1	-	RFQ	2902	Infineon技术	Econopack™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS50R12			280 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																	沟渠场停止	1200 v	50 a		2.15V @ 15V，50a						1 MA	是的	2.8 nf @ 25 V
BSM300GA120DN2S2HDLA1	-	RFQ	1190	Infineon技术	-	托盘	过时的				BSM300						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10
CSD172NPSA1	-	RFQ	3645	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
board29524NOSA1	-	RFQ	1286	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
1SD210F2FZ600R65KF1NPSA1	-	RFQ	7903	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
DR21026642NOSA1	-	RFQ	8954	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
CSD106ANPSA1	-	RFQ	8925	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
2SP0430T2A0CFF18R17NPSA1	-	RFQ	5876	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
DR11244159NDSA1	-	RFQ	6154	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
1SD418F2FX800R33KF2NPSA1	-	RFQ	2529	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
EB01FS450R17KE3NPSA1	-	RFQ	6587	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
CSD127BNPSA1	-	RFQ	2642	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
2SP0115T2A0FF300R12NPSA1	-	RFQ	1032	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
DR11140115NDSA1	-	RFQ	4566	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1
附件27350NOSA1	-	RFQ	4011	Infineon技术	-	托盘	过时的				附件2						-			到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²