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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SPI11N60S5BKSA1	-	RFQ	4453	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI11N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BAT6202WH6327XTSA1	-	RFQ	6095	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-80	BAT62					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000			20 ma													100兆								0.6pf @ 0v，1MHz										肖特基 -单身	40V		-
DR21026642NOSA1	-	RFQ	8954	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
BCV62BE6327HTSA1	0.4400	RFQ	19	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA	BCV62			300MW		PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																											30V	100mA								15NA（icbo）		2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IPB120N08S403ATMA1	6.1900	RFQ	8870	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					80 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 223µA	167 NC @ 10 V	±20V	11550 PF @ 25 V	-	278W（TC）
IRFS4610TRRPBF	-	RFQ	1037	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001573460	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
AUIRF6218S	-	RFQ	2588	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPP22N03S4L15AKSA1	-	RFQ	4293	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp22n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.9mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
BSS119NH6327XTSA1	0.4200	RFQ	61	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS119		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					100 v	（190ma ta）	4.5V，10V	6ohm @ 190mA，10v	2.3V @ 13µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20.9 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IRG4PC40UDPBF	-	RFQ	9586	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		160 w		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					480V，20A，10欧姆，15V																		42 ns			-	600 v	40 a	160 a	2.1V @ 15V，20A	（710µJ）（在350µJ上）	100 NC	54NS/110NS
TT310N20KOFHPSA1	458.4500	RFQ	2608	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT310N20				系列连接 -scr		下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2				300 MA													2 kV	700 a	1.5 v	10000a @ 50Hz	250 MA	446 a			2 scr
DD25DS2016KKHPSA1	-	RFQ	7817	Infineon技术	*	托盘	过时的				DD25DS						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
AUIRF7416QTR	-	RFQ	8954	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					30 V	10a（10a）	4.5V，10V	20mohm @ 5.6a，10v	2.04V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRF7103PBF	-	RFQ	9067	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF71		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2 n 通道（双）						50V	3a		130MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	30nc @ 10V		290pf @ 25V	-
IRF9410	-	RFQ	7452	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9410	Ear99	8541.29.0095	95		n通道					30 V	7a（ta）	4.5V，10V	30mohm @ 7a，10v	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
BSP372 E6327	-	RFQ	4674	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	1.7A（TA）	5V	310MOHM @ 1.7A，5V	2V @ 1mA		±14V	520 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BFR360FH6765XTSA1	0.5000	RFQ	7	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	BFR360			210MW		PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000						15.5db																					9V	35mA										NPN		90 @ 15mA，3v	14GHz	1dB @ 1.8GHz
IRF9358PBF	-	RFQ	4534	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF9358		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）						30V	9.2a		16.3mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38nc @ 10V		1740pf @ 25V	逻辑级别门
BSP373L6327HTSA1	-	RFQ	6233	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					100 v	1.7A（TA）	10V	300MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 1mA		±20V	550 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRFR4104TRRPBF	-	RFQ	1464	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR4104		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7416TRPBF	1.2100	RFQ	28	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7416		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道					30 V	10a（10a）	4.5V，10V	20mohm @ 5.6a，10v	1V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	1700 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
auirfs8408-7trl	5.2200	RFQ	800	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB	AUIRF8408		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-900	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	240a（TC）	10V	1MOHM @ 100A，10V	3.9V @ 250µA	315 NC @ 10 V	±20V	10250 pf @ 25 V	-	294W（TC）
BSP88H6327XTSA1	0.6200	RFQ	39	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP88H6327		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					240 v	350mA（ta）	2.8V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1.4V @ 108µA	6.8 NC @ 10 V	±20V	95 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPW65R150CFDFKSA2	5.2300	RFQ	2547	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW65R150		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240		n通道					650 v	22.4a（TC）	10V	150MOHM @ 9.3a，10V	4.5V @ 900µA	86 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 100 V	-	195.3W（TC）
BTS244ZNKSA1	-	RFQ	9725	Infineon技术	tempfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-5			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-5-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道					55 v	35A（TC）	4.5V，10V	13mohm @ 19a，10v	2V @ 130µA	130 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 25 V	温度传感二极管	170W（TC）
IRF7413PBF	-	RFQ	3364	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95		n通道					30 V	13A（TA）	4.5V，10V	11mohm @ 7.3a，10v	3V @ 250µA	79 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
Auirfz44vzstrl	-	RFQ	5438	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522838	Ear99	8541.29.0095	800		n通道					60 V	57A（TC）	10V	12mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	92W（TC）
SPS04N60C3BKMA1	-	RFQ	7002	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	SPS04N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500		n通道					650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IQE065N10NM5ATMA1	2.9300	RFQ	29	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IQE065N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					100 v	（14a）（ta），85a tc（TC）	6V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	3.8V @ 48µA	42 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
SPD30N03S2L-20G	0.3000	RFQ	8	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²