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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	trr）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IPA65R190C6XKSA1	-	RFQ	3325	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	ipa65r		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道			650 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 7.3A，10V	3.5V @ 730µA	73 NC @ 10 V	±20V	1620 PF @ 100 V	-	34W（TC）
BC846SH6327XTSA1	0.4000	RFQ	8910	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC846S			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								65V	100mA								15NA（icbo）	2 NPN （双）	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V	250MHz
IPP80N06S2LH5AKSA2	-	RFQ	5452	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp80n		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道			55 v	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRL5602S	-	RFQ	7966	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	P通道			20 v	24A（TC）	2.5V，4.5V	42mohm @ 12a，4.5V	1V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±8V	1460 pf @ 15 V	-	75W（TC）
IRF7811AVPBF	-	RFQ	6152	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n通道			30 V	10.8a（ta）	4.5V	14mohm @ 15a，4.5V	3V @ 250µA	26 NC @ 5 V	±20V	1801 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
ipd64cn10n g	-	RFQ	7195	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd64c		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			100 v	17a（TC）	10V	64mohm @ 17a，10v	4V @ 20µA	9 NC @ 10 V	±20V	569 pf @ 50 V	-	44W（TC）
SIPC26N50C3X1SA2	-	RFQ	3919	Infineon技术	-	大部分	积极的				SIPC26						-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000956996		0000.00.0000	1					-
IRF9530NL	-	RFQ	1328	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9530NL	Ear99	8541.29.0095	50	P通道			100 v	14A（TC）	10V	200mohm @ 8.4a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），79w（tc）
SIPC06N60C3	-	RFQ	9481	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP000013362	Ear99	8541.29.0040	1
IPD50N10S3L16ATMA1	2.0500	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n通道			100 v	50A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 50a，10v	2.4V @ 60µA	64 NC @ 10 V	±20V	4180 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IPB60R385CPATMA1	-	RFQ	4600	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			600 v	9A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	83W（TC）
IRF3415S	-	RFQ	6790	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3415S	Ear99	8541.29.0095	50	n通道			150 v	43A（TC）	10V	42mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
SPB02N60S5ATMA1	0.6700	RFQ	87	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB02N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFSL3004PBF	-	RFQ	8644	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001578466	Ear99	8541.29.0095	50	n通道			40 V	（195a）（ta）	10V	1.75MOHM @ 195a，10V	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	380W（TC）
IRF7822PBF	-	RFQ	5853	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF7822		MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001572268	Ear99	8541.29.0095	95	n通道			30 V	18A（18A）	4.5V	6.5MOHM @ 15A，4.5V	1V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±12V	5500 pf @ 16 V	-	3.1W（TA）
BSS126 E6906	-	RFQ	4081	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			600 v	21ma（ta）	0V，10V	500ohm @ 16mA，10v	1.6V @ 8µA	2.1 NC @ 5 V	±20V	28 PF @ 25 V	耗尽模式	500MW（TA）
TT61N16KOFKHPSA1	-	RFQ	3611	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TT61N				普通阴极 -scr		下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15		200 ma												1.6 kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a			2 scr
IRF6604TR1	-	RFQ	4463	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MQ			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MQ	下载		3（168））	到达不受影响	SP001525412	Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			30 V	（12A）（ta），49a （TC）	4.5V，7V	11.5MOHM @ 12A，7V	2.1V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±12V	2270 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
IPA045N10N3GXKSA1	2.8100	RFQ	419	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA045		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			100 v	64A（TC）	6V，10V	4.5MOHM @ 64A，10V	3.5V @ 150µA	117 NC @ 10 V	±20V	8410 PF @ 50 V	-	39W（TC）
IRG4IBC30KDPBF	-	RFQ	8225	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		45 W		TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			480V，16a，23ohm，15v																	42 ns			-	600 v	17 a	34 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
PX8143JDMG029XTMA1	-	RFQ	1713年	Infineon技术	-	托盘	过时的				PX8143JD						-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IRL2505SPBF	-	RFQ	9249	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
BBY 56-02W E6127	-	RFQ	8952	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-80	BBY 56					SCD-80	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000																					12.1pf @ 4V，1MHz										单身的	10 v						3.3	C1/C3	-
IPB80N06S205ATMA1	-	RFQ	4265	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道			55 v	80A（TC）	10V	4.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF1010NSTRRPBF	-	RFQ	6510	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1010		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570042	Ear99	8541.29.0095	800	n通道			55 v	85A（TC）	10V	11MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	180W（TC）
AUIRFR4104	-	RFQ	7096	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道			40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF6668TRPBF	2.1200	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz	IRF6668		MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™MZ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道			80 V	55A（TC）	10V	15mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
BSC022N04LS6ATMA1	1.8200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC022		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道			40 V	27a（27A），100A（tc（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 20 V	-	（3W）（ta），79w（tc）
IPB120P04P404ATMA1	3.9200	RFQ	5	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	P通道			40 V	120A（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 340µA	205 NC @ 10 V	±20V	14790 pf @ 25 V	-	136W（TC）
SPI11N60S5BKSA1	-	RFQ	4453	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI11N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	n通道			600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²