SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
IPT60T040S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60T040S7XTMA1 4.8790
RFQ
ECAD 4897 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2,000
AIMZH120R120M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R120M1TXKSA1 10.1405
RFQ
ECAD 5639 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZH120R120M1TXKSA1 240
AIKBE50N65RF5ATMA1 Infineon Technologies AIKBE50N65RF5ATMA1 8.0195
RFQ
ECAD 8245 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIKBE50N65RF5ATMA1TR 1,000
IPDQ65R029CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R029CFD7AXTMA1 10.1322
RFQ
ECAD 3239 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 750
IQE018N06NM6SCATMA1 Infineon Technologies IQE018N06NM6SCATMA1 1.1992
RFQ
ECAD 5918 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IQE018N06NM6SCATMA1TR 6,000
AIMZA75R008M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R008M1HXKSA1 23.4800
RFQ
ECAD 6381 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R008M1HXKSA1 240
IPDQ60T017S7XTMA1 Infineon Technologies IPDQ60T017S7XTMA1 11.5917
RFQ
ECAD 6998 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IPDQ60T017S7XTMA1TR 750
IPQC65R125CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1 2.5642
RFQ
ECAD 6257 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,CoolMos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 22-Powerbsop模块 MOSFET (金属 o化物) PG-HDSOP-22-1 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 750 n通道 650 v 24A(TC) 10V 125mohm @ 7.8A,10V 4.5V @ 390µA 32 NC @ 10 V ±20V 1566 PF @ 400 V - 160W(TC)
F3L600R10W4S7FH11BPSA1 Infineon Technologies F3L600R10W4S7FH11BPSA1 225.1700
RFQ
ECAD 6798 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-F3L600R10W4S7FH11BPSA1 6
IPDQ65R060CFD7AXTMA1 Infineon Technologies IPDQ65R060CFD7AXTMA1 5.9223
RFQ
ECAD 7256 0.00000000 Infineon技术 汽车,AEC-Q101,CoolMos™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 表面安装 22-Powerbsop模块 MOSFET (金属 o化物) PG-HDSOP-22-1 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 750 n通道 650 v 45A(TC) 10V 60mohm @ 16.4a,10v 4.5V @ 820µA 65 NC @ 10 V ±20V 3288 PF @ 400 V - 272W(TC)
IQE036N08NM6CGSCATMA1 Infineon Technologies IQE036N08NM6CGSCATMA1 1.2170
RFQ
ECAD 5164 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IQE036N08NM6CGSCATMA1TR 6,000
AIMZH120R020M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZH120R020M1TXKSA1 29.1415
RFQ
ECAD 5359 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZH120R020M1TXKSA1 240
IQE036N08NM6ATMA1 Infineon Technologies IQE036N08NM6ATMA1 1.1064
RFQ
ECAD 2006 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IQE036N08NM6ATMA1TR 5,000
AIMZHN120R030M1TXKSA1 Infineon Technologies AIMZHN120R030M1TXKSA1 27.5217
RFQ
ECAD 6685 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZHN120R030M1TXKSA1 240
AIMZA75R016M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R016M1HXKSA1 18.9442
RFQ
ECAD 7664 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R016M1HXKSA1 240
F4250R07W2H5FB11BPSA1 Infineon Technologies F4250R07W2H5FB11BPSA1 52.0800
RFQ
ECAD 8201 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-F4250R07W2H5FB11BPSA1 15
IPQC60T017S7AXTMA1 Infineon Technologies IPQC60T017S7AXTMA1 12.7508
RFQ
ECAD 6892 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IPQC60T017S7AXTMA1TR 750
IQDH88N06LM5ATMA1 Infineon Technologies IQDH88N06LM5ATMA1 1.9670
RFQ
ECAD 3793 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IQDH88N06LM5ATMA1TR 5,000
IQD063N15NM5ATMA1 Infineon Technologies IQD063N15NM5ATMA1 2.2578
RFQ
ECAD 6779 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IQD063N15NM5ATMA1TR 5,000
AIMZA75R090M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R090M1HXKSA1 7.9761
RFQ
ECAD 2034 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R090M1HXKSA1 240
AIMZA75R020M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R020M1HXKSA1 17.0765
RFQ
ECAD 7974 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R020M1HXKSA1 240
ISC0605NLSATMA1 Infineon Technologies ISC0605NLSATMA1 1.4175
RFQ
ECAD 8427 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-ISC0605NLSATMA1TR 5,000
IPTC020N13NM6ATMA1 Infineon Technologies IPTC020N13NM6ATMA1 4.5336
RFQ
ECAD 4576 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IPTC020N13NM6ATMA1TR 1,800
GATELEADL750PB34602XPSA1 Infineon Technologies gateleadl750pb34602xpsa1 21.1300
RFQ
ECAD 5318 0.00000000 Infineon技术 - 托盘 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-gateleadl750pb34602xpsa1 1
IPP051N15N5XKSA1 Infineon Technologies IPP051N15N5XKSA1 6.2800
RFQ
ECAD 4245 0.00000000 Infineon技术 Optimos™5 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) pg-to220-3-1 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-ipp051n15n5xksa1 500 n通道 150 v 120A(TC) 8V,10V 5.1MOHM @ 60a,10v 4.6V @ 264µA 100 nc @ 10 V ±20V 7800 PF @ 75 V - 300W(TC)
IQE004NE1LM7SCATMA1 Infineon Technologies IQE004NE1LM7SCATMA1 1.1739
RFQ
ECAD 1174 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 6,000
IPT60T065S7XTMA1 Infineon Technologies IPT60T065S7XTMA1 3.5864
RFQ
ECAD 2846 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2,000
AIMZA75R140M1HXKSA1 Infineon Technologies AIMZA75R140M1HXKSA1 6.4037
RFQ
ECAD 7396 0.00000000 Infineon技术 * 管子 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMZA75R140M1HXKSA1 240
AIMDQ75R060M1HXUMA1 Infineon Technologies AIMDQ75R060M1HXUMA1 9.3056
RFQ
ECAD 1250 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-AIMDQ75R060M1HXUMA1TR 750
IMBG120R017M2HXTMA1 Infineon Technologies IMBG120R017M2HXTMA1 23.2180
RFQ
ECAD 5363 0.00000000 Infineon技术 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 448-IMBG120R017M2HXTMA1TR 1,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库