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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRFR5410Trl	-	RFQ	3606	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001567628	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		100 v	13A（TC）	10V	205MOHM @ 7.8A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 25 V	-	66W（TC）
IHW30N110R3FKSA1	4.2700	RFQ	190	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW30N110	标准		333 w		PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240				600V，30a，15ohm，15V																				沟	1100 v	60 a	90 a	1.75V @ 15V，30a	1.15MJ）	180 NC	- /350n
BCR 148 B6327	-	RFQ	7125	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR 148			200兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	30,000																									50 V	100 ma								100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100 MHz	47科姆斯	47科姆斯
IRF7104TRPBF	0.9700	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF71		MOSFET （金属 o化物）	2W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2（p 通道（双）				20V	2.3a		250MOHM @ 1A，10V	3V @ 250µA	25nc @ 10V		290pf @ 15V	逻辑级别门
IPD50R800CEAUMA1	0.9100	RFQ	4	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50R800		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-2	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		500 v	7.6A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	60W（TC）
IDW15S120FKSA1	-	RFQ	7722	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-247-3	IDW15S120		SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）														1200 v		1.8 V @ 15 A	0 ns	305 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	15a	870pf @ 1V，1MHz
IRF1010NSTRRPBF	-	RFQ	6510	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF1010		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570042	Ear99	8541.29.0095	800			n通道		55 v	85A（TC）	10V	11MOHM @ 43A，10V	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3210 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IRF7603Tr	-	RFQ	3677	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		30 V	5.6a（ta）		35MOHM @ 3.7A，10V	1V @ 250µA	27 NC @ 10 V		520 pf @ 25 V	-
IPB120N08S403ATMA1	6.1900	RFQ	8870	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB120		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		80 V	120A（TC）	10V	2.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 223µA	167 NC @ 10 V	±20V	11550 PF @ 25 V	-	278W（TC）
BB639E7904HTSA1	0.5100	RFQ	167	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BB639					PG-SOD323-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																							2.9pf @ 28V，1MHz									单身的	30 V										14.7	C1/C28	-
BCX70KE6327HTSA1	0.3800	RFQ	2	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCX70			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																									45 v	100 ma								20NA（ICBO）			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
FZ1000R33HL3B60BOSA1	1.0000	RFQ	5339	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1000			1600000 w	标准	AG-IHVB130-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	双制动斩波器																							沟渠场停止	3300 v	1000 a		2.85V @ 15V，1KA						5 ma	不	190 NF @ 25 V
BSO4410T	-	RFQ	4097	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		30 V	11.1a（ta）	4.5V，10V	13mohm @ 11.1a，10v	2V @ 42µA	21 NC @ 5 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPA60R125C6E8191XKSA1	-	RFQ	2694	Infineon技术	-	管子	过时的				IPA60R						下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001214406	Ear99	8541.29.0095	500						-
FS200R06KE3BOSA1	260.1400	RFQ	6	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS200R06			600 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																							沟渠场停止	600 v	200 a		1.9V @ 15V，200a						1 MA	是的	13 nf @ 25 V
IRFS3806TRLPBF	1.4100	RFQ	21	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFS3806		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道		60 V	43A（TC）	10V	15.8mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	30 NC @ 10 V	±20V	1150 PF @ 50 V	-	71W（TC）
AUIRFR4104	-	RFQ	7096	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		40 V	42A（TC）	10V	5.5MOHM @ 42A，10V	4V @ 250µA	89 NC @ 10 V	±20V	2950 pf @ 25 V	-	140W（TC）
FF3MR20KM1HSHPSA1	1.0000	RFQ	3324	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	底盘安装	模块					标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																							沟渠场停止	2000 v			-							不
BSP52H6327XTSA1	0.2819	RFQ	1667年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP52			1.5 w		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																									80 V	1 a								10µA			npn-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
BAT240AE6327HTSA1	-	RFQ	4960	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT240A		肖特基			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对系列连接	240 v	400mA（DC）	900 mv @ 400 mA		5 µA @ 200 V	150°C （最大）
DDB6U104N18RRBOSA1	-	RFQ	1768年	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块			标准			模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	10		-													3独立	1800 v	-				-
IDP04E120	-	RFQ	7974	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	TO-220-2	IDP04		标准			PG-TO220-2-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v		2.15 V @ 4 A	115 ns	100 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	11.2a	-
IRF5803D2TR	-	RFQ	4964	Infineon技术	Fetky™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道		40 V	3.4a（ta）	4.5V，10V	112MOHM @ 3.4A，10V	3V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	1110 PF @ 25 V	Schottky 二极管（孤立）	2W（TA）
AUIRF3205Z	2.8900	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	AUIRF3205		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518518	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		55 v	75A（TC）	10V	6.5MOHM @ 66A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3450 pf @ 25 V	-	170W（TC）
CSD106ANPSA1	-	RFQ	8925	Infineon技术	-	托盘	过时的										-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IPD80N06S3-09	-	RFQ	9664	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		55 v	80A（TC）	10V	8.4mohm @ 40a，10v	4V @ 55µA	88 NC @ 10 V	±20V	6100 PF @ 25 V	-	107W（TC）
DD1000S33HE3BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DD1000		标准			AG-IHVB130-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													2独立	3300 v	-	3.85 V @ 1000 A		1000 A @ 1800 V	-40°C〜150°C
IPP120N08S404AKSA1	-	RFQ	7519	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP120		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道		80 V	120A（TC）	10V	4.4mohm @ 100a，10v	4V @ 120µA	95 NC @ 10 V	±20V	6450 pf @ 25 V	-	179W（TC）
BAT5404E6327HTSA1	0.5000	RFQ	154	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT5404		肖特基			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													1对系列连接	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C （最大）
IRLR7833PBF	-	RFQ	8640	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001552836	Ear99	8541.29.0095	75			n通道		30 V	140a（TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 15A，10V	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4010 PF @ 15 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²