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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IPP50R299CP	1.0000	RFQ	5655	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						500 v	12A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	31 NC @ 10 V	±20V	1190 pf @ 100 V	-	104W（TC）
F4150R17N3P4B58BPSA1	332.1000	RFQ	5	Infineon技术	EasyPack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		F4150R			20兆	三相桥梁整流器	ag-econo3b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																											沟渠场停止	1700 v	150 a		2.2V @ 15V，150a						1 MA	是的	12.3 NF @ 25 V
IRF40H233ATMA1	-	RFQ	2455	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IRF40		MOSFET （金属 o化物）	3.8W（TA），50W（TC）		PG-TDSON-8-4	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）								40V	65A（TC）		6.2MOHM @ 35A，10V	3.9V @ 50µA	57NC @ 10V		2200pf @ 20V	-
SPD15N06S2L-64	-	RFQ	9274	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD15N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						55 v	19a（tc）	4.5V，10V	64mohm @ 8a，10v	2V @ 14µA	13 NC @ 10 V	±20V	445 pf @ 25 V	-	47W（TC）
IM393X6E3XKLA1	-	RFQ	3629	Infineon技术	CIPOS™	管子	过时的		通过洞	35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索	IGBT							下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	SP001786910	Ear99	8542.39.0001	15	3相逆变器					20 a	600 v	2000vrms
irlr8113pbf	-	RFQ	7931	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001576962	Ear99	8541.29.0095	75			n通道						30 V	94A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.25V @ 250µA	32 NC @ 4.5 V	±20V	2920 PF @ 15 V	-	89W（TC）
IPS70N10S3L-12	-	RFQ	4012	Infineon技术	-	管子	过时的					IPS70N						-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000698190	Ear99	8541.29.0095	1,500										-
IGW40N60TP	1.2800	RFQ	360	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		246 w		pg-to247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1					400V，40a，10.1Ohm，15V																							沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
IRFB4510GPBF	-	RFQ	4360	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001572362	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	62A（TC）	10V	13.5MOHM @ 37A，10V	4V @ 100µA	87 NC @ 10 V	±20V	3180 pf @ 50 V	-	140W（TC）
SP000687556	1.0000	RFQ	9287	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载						0000.00.0000	1			n通道						600 v	37.9a（TC）	10V	99mohm @ 18.1a，10v	3.5V @ 1.21MA	119 NC @ 10 V	±20V	2660 pf @ 100 V	-	35W（TC）
BSP125 E6327	-	RFQ	3629	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BBY6605WH6327XTSA1	-	RFQ	7001	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BBY66					PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																											13.5pf @ 4.5V，1MHz									1对普通阴极	12 v											5.41	C1/C4.5	-
IPP100N06S3-03	-	RFQ	2450	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP100N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						55 v	100A（TC）	10V	3.3mohm @ 80a，10v	4V @ 230µA	480 NC @ 10 V	±20V	21620 PF @ 25 V	-	300W（TC）
BCR35PNH6433	-	RFQ	6305	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR35			250MW		PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1																													50V	100mA								100NA（ICBO）				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz	10KOHMS	47kohms
AUIRFB4610	-	RFQ	2165	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
BC 860B E6327	0.0500	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆		PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,105																													45 v	100 ma								15NA（icbo）				PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
SPB80N03S2L06T	-	RFQ	7554	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SPB80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000016264	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						30 V	80A（TC）	4.5V，10V	5.9MOHM @ 80A，10V	2V @ 80µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	150W（TC）
MMBTA42LT1	1.0000	RFQ	7159	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000																													300 v	500 MA								100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
IRG4BC30FPBF	-	RFQ	9103	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		100 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，17a，23ohm，15v																							-	600 v	31 a	124 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
64-0055pbf	-	RFQ	5296	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞					MOSFET （金属 o化物）				下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001553580	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	160a（TC）	10V	4.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	120 NC @ 10 V	±20V	4520 PF @ 50 V	-	230W（TC）
BAT15-05WH6327XTSA3	0.2000	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323							PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000				110 MA														100兆									0.5pf @ 0v，1MHz									肖特基 -1对普通阴极	4V				5.5OHM @ 50mA，1MHz
IPL65R070C7AUMA1	10.4700	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	4-POWERTSFN		IPL65R070		MOSFET （金属 o化物）			PG-VSON-4	下载	rohs3符合条件	2a （4周）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						650 v	28a（TC）	10V	70MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 100 V	-	169W（TC）
IRGB4B60KD1PBF	-	RFQ	7395	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRGB4B	标准		63 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50					400V，4A，100OHM，15V																		93 ns					npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IRLU9343	-	RFQ	9774	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*irlu9343	Ear99	8541.29.0095	75			P通道						55 v	20A（TC）	4.5V，10V	105MOHM @ 3.4A，10V	1V @ 250µA	47 NC @ 10 V	±20V	660 pf @ 50 V	-	79W（TC）
IRF4905LPBF	2.9300	RFQ	12	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		IRF4905		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道						55 v	42A（TC）	10V	20mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	170W（TC）
IRFI1310NPBF	2.4000	RFQ	2	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IRFI1310		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						100 v	24A（TC）	10V	36mohm @ 13a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 25 V	-	56W（TC）
IDW24G65C5BXKSA1	-	RFQ	8859	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产		通过洞	TO-247-3				SIC （碳化硅）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001224944	Ear99	8541.10.0080	240		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	650 v	12A（DC）	1.7 V @ 12 A		190 µA @ 650 V	-55°C 〜175°C
IRG4BC20UD	-	RFQ	9352	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		60 W		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20UD	Ear99	8541.29.0095	50					480V，6.5a，50ohm，15V																		37 ns					-	600 v	13 a	52 a	2.1V @ 15V，6.5a	160µJ（在）上，130µJ（OFF）	27 NC	39NS/93NS
IRGS4B60KD1TRRP	-	RFQ	8783	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IRGS4B60	标准		63 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001534000	Ear99	8541.29.0095	800					400V，4A，100OHM，15V																		93 ns					npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IDV03S60CXKSA1	-	RFQ	4936	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	过时的		通过洞	TO-220-2完整包		IDV03S60		SIC （碳化硅）			pg-to220-2完整包	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	500		没有恢复t> 500mA（IO）																		600 v		1.9 V @ 3 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	3a	90pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²