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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电阻 @ if，f	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IPW60R199CP	-	RFQ	3900	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-21	下载				0000.00.0000	1			n通道				600 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IGZ100N65H5	-	RFQ	4322	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			标准		536 w	PG-TO247-4-1	下载			Ear99	8542.39.0001	1					400V，50a，8ohm，15V																					沟渠场停止	650 v	161 a	400 a	2.1V @ 15V，100a	（850µJ）（在），770µJ（OFF）上）	210 NC	30NS/421NS
IPI45N06S4L08AKSA2	0.4000	RFQ	11	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载			Ear99	8542.39.0001	1
BSS214NWH6327	1.0000	RFQ	7135	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT323-3-2	下载			Ear99	8541.21.0095	1			n通道				20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 3.7µA	0.8 NC @ 5 V	±12V	143 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IDW15E65D2	1.2000	RFQ	19	Infineon技术	COOLSIC™+	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3				标准		PG-TO247-3-1	下载			Ear99	8542.39.0001	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																650 v		2.3 V @ 15 A	47 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	30a	-
IPW60R160P6	-	RFQ	2165	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3				MOSFET （金属 o化物）		pg-to247-3-41	下载				0000.00.0000	1			n通道				600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 750µA	44 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 100 V	-	176W（TC）
BAT165	-	RFQ	1062	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-76，SOD-323				肖特基		PG-SOD323-2	-				0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																40 V		740 mv @ 750 mA			150°C （最大）	750mA	12pf @ 10V，1MHz
IPD50R800CE	1.0000	RFQ	5849	Infineon技术	CoolMos™CE	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD50		MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-344	下载			Ear99	8542.39.0001	1			n通道				500 v	7.6A（TC）	13V	800MOHM @ 1.5A，13V	3.5V @ 130µA	12.4 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	60W（TC）
IPP60R360P7	-	RFQ	7911	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载				0000.00.0000	1
IPP65R065C7	-	RFQ	4034	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载				0000.00.0000	1			n通道				650 v	33A（TC）	10V	65mohm @ 17.1a，10v	4V @ 850µA	64 NC @ 10 V	±20V	3020 PF @ 400 V	-	171W（TC）
BB837E6327	0.1200	RFQ	59	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜150°C	表面安装	SC-76，SOD-323						PG-SOD323-2	下载			Ear99	8541.10.0070	1																									0.52pf @ 28V，1MHz									单身的	30 V		12.7	C1/C28	-
IRAM236-1067A	-	RFQ	3565	Infineon技术	-	大部分	过时的		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	-						下载	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	80	-					-
SPA03N60C3XK	1.0000	RFQ	8162	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-111	下载			Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	29.7W（TC）
IKW75N60H3	1.0000	RFQ	8822	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		428 w	pg-to247-3-41	下载			Ear99	8541.29.0095	1					400V，75A，5.2OHM，15V																190 ns					沟渠场停止	600 v	80 a	225 a	2.3V @ 15V，75a	3MJ（在）上，1.7MJ（OFF）	470 NC	31NS/265NS
BAS70-05E6327	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS70		肖特基		PG-SOT23-3-11	下载			Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
BAS70-07W	-	RFQ	6188	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-82A，SOT-343		BAS70		肖特基		PG-SOT343-4-1	下载			Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度															2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
IKW50N60TA	-	RFQ	7410	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		333 w	pg-to247-3-41	下载			Ear99	8542.39.0001	1					400V，50a，7ohm，15V																143 ns					沟渠场停止	600 v	80 a	150 a	2V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，1.4MJ off）	310 NC	26NS/299NS
IGP01N120H2XKSA1036	-	RFQ	5008	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			标准		28 W	pg-to220-3-1	下载			Ear99	8541.29.0095	1					800V，1A，241OHM，15V																					-	1200 v	3.2 a	3.5 a	2.8V @ 15V，1A	80µJ（在）上，60µJ（60µJ）	8.6 NC	13NS/370NS
IPA60R125CP	-	RFQ	1680年	Infineon技术	coolmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载				0000.00.0000	1			n通道				600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	35W（TC）
IPP80R1K4P7	1.0000	RFQ	8607	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载			Ear99	8542.39.0001	1			n通道				800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	32W（TC）
IGW40N60TP	1.2800	RFQ	360	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		246 w	pg-to247-3	下载			Ear99	8542.39.0001	1					400V，40a，10.1Ohm，15V																					沟渠场停止	600 v	67 a	120 a	1.8V @ 15V，40a	1.06mj（在）（610µJ）上）	177 NC	18NS/222NS
IPD75N04S4-06	-	RFQ	2145	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载			Ear99	8542.39.0001	1			n通道				40 V	75A（TC）	10V	5.9MOHM @ 75A，10V	4V @ 26µA	32 NC @ 10 V	±20V	2550 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IPP50R399CP	1.0000	RFQ	1527年	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载			Ear99	8542.39.0001	1			n通道				560 v	9A（TC）	10V	399MOHM @ 4.9A，10V	3.5V @ 330µA	23 NC @ 10 V	±20V	890 pf @ 100 V	-	83W（TC）
BSO612CVG	-	RFQ	2438	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		BSO612		MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	PG-DSO-8	下载			Ear99	8541.29.0095	687	n和p通道						60V	（3A）（2a ta）（2a ta）		120MOHM @ 3A，10V，300MOHM @ 2A，10V	4V @ 20µA，4V @ 450µA	15.5nc @ 10v，16nc @ 10V		340pf，400pf @ 25V	-
BBY51-03W	1.0000	RFQ	4860	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-76，SOD-323						PG-SOD323-2	下载			Ear99	8541.10.0070	1																									3.7pf @ 4V，1MHz									单身的	7 V		2.2	C1/C4	-
BAR63-03WE6327	0.0500	RFQ	3192	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323						PG-SOD323-2	下载			Ear99	8541.10.0070	5,176				100 ma												250兆									0.3pf @ 5V，1MHz									PIN-单	50V	-
IPA80R1K4P7	-	RFQ	6451	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31完整包	下载				0000.00.0000	1			n通道				800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	24W（TC）
BAS40-02LE6327	-	RFQ	8926	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SOD-882		BAS40		肖特基		PG-TSLP-2-1	下载			Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
BAS70-07E6327	-	RFQ	1363	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-253-4，TO-253AA		BAS70		肖特基		PG-SOT143-4	下载			Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度															2独立	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
IPA60R180C7	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		PG-TO220-3-111	下载			Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	9A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	29W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²