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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
D5000U45X172XPSA1	5.0000	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1
FF6MR12KM1HPHPSA1	412.5275	RFQ	8940	Infineon技术	-	托盘	积极的				FF6MR12	-				-	rohs3符合条件		到达不受影响			8											-
FP50R12N2T4B86BPSA1	236.2673	RFQ	3363	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	15
FF3MR20KM1HSHPSA1	1.0000	RFQ	3324	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	底盘安装	模块				标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	半桥												沟渠场停止	2000 v		-		不
IAUTN06S5N008TATMA1	6.9100	RFQ	7241	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			1,800
ISC750P10LMATMA1	2.6600	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-POWERTDFN	ISC750	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-7	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	100 v	27.3a	-	-	-		-		-	-
FF17MR12W1M1HB70BPSA1	148.3900	RFQ	24	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块	FF17MR12	MOSFET （金属 o化物）	-		ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	24	-		1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
FF17MR12W1M1HB11BPSA1	141.7000	RFQ	24	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块	FF17MR12	MOSFET （金属 o化物）	-		ag-easy1b	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	24	-		1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
FD300R17KE4HPSA1	238.0880	RFQ	4211	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10
FF800R12KE7EHPSA1	355.7000	RFQ	4	Infineon技术	Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器												沟渠场停止	1200 v	800 a	1.75V @ 15V，800A	100 µA	不	122 NF @ 25 V
FF3MR20KM1HHPSA1	1.0000	RFQ	10	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	底盘安装	模块				标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	半桥												沟渠场停止	2000 v		-		不
FF33MR12W1M1HPB11BPSA1	90.3700	RFQ	30	Infineon技术	-	托盘	积极的				FF33MR12	-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			30											-
FF600R12KE7BPSA1	310.8200	RFQ	2224	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器												沟渠场停止	1200 v	600 a	1.75V @ 15V，600A	100 µA	不	92.3 NF @ 25 V
FF450R45T3E4BPSA1	-	RFQ	8656	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产									-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1
DF14MR12W1M1HFB67BPSA1	158.8800	RFQ	24	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	底盘安装	模块	DF14MR12	MOSFET （金属 o化物）	-		ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	24	-		1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
FF2MR12KM1HHPSA1	906.9900	RFQ	7065	Infineon技术	-	托盘	积极的	-	底盘安装	模块	FF2MR12			标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	10	半桥												沟渠场停止	1200 v		-		不
FZ1000R45KL3B5NPSA1	1.0000	RFQ	8961	Infineon技术	-	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1000R45		1600000 w	标准	A-IHV130	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2	单个开关												沟渠场停止	4500 v	1000 a	3.05V @ 15V，1KA	5 ma	不	185 NF @ 25 V
IPD028N06NF2SATMA1	1.5900	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD028	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	60 V	24A（TA），139A （TC）	6V，10V	2.85MOHM @ 70A，10V	3.3V @ 80µA	102 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 30 V	-	（3w（ta），150w（tc）
IAUC120N06S5L022ATMA1	0.7046	RFQ	8249	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	170a（TJ）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 60a，10v	2.2V @ 65µA	77 NC @ 10 V	±20V	5651 PF @ 30 V	-	136W（TC）
IPB011N04NF2SATMA1	3.2400	RFQ	770	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB011	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	43A（ta），201a（tc）（TC）	6V，10V	1.15MOHM @ 100A，10V	3.4V @ 249µA	315 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 20 V	-	3.8W（TA），375W（tc）
IPD023N04NF2SATMA1	1.3500	RFQ	1	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD023	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	40 V	27a（27a），143a （TC）	6V，10V	2.3MOHM @ 70A，10V	3.4V @ 81µA	102 NC @ 10 V	±20V	4800 pf @ 20 V	-	（3w（ta），150w（tc）
IRL40DM247XTMA1	3.1600	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距我		MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-8-904	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	4,800		n通道	40 V	44A（TA），211a （TC）	4.5V，10V	0.82MOHM @ 50a，10V	2V @ 250µA	165 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 20 V	-	2.8W（TA），63W（tc）
IAUTN06S5N008ATMA1	6.6600	RFQ	7440	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			2,000
IGLR60R190D1E8238XUMA1	-	RFQ	1791年	Infineon技术	Coolgan™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		ganfet（n化岩）			PG-TSON-8-6	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	600 v	12.8A（TC）	-	-	1.6V @ 960µA		-10V	157 PF @ 400 V	-	55.5W（TC）
IAUC120N06S5L015ATMA1	1.2811	RFQ	3054	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-43	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	60 V	235a（TJ）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 60a，10v	2.2V @ 94µA	114 NC @ 10 V	±20V	8193 PF @ 30 V	-	167W（TC）
IPB029N06NF2SATMA1	1.9100	RFQ	800	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB029	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	60 V	26a（26A），120A （TC）	6V，10V	2.9MOHM @ 70A，10V	3.3V @ 80µA	102 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 30 V	-	3.8W（ta），150W（TC）
ISZ56DP15LMATMA1	1.1000	RFQ	5	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000
FF300R17KE3HDLA1	333.1650	RFQ	3207	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF300R17		1450 w	标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件		到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	32	单个开关												沟渠场停止	1700 v	404 a	2.45V @ 15V，300A	3 ma	不	27 NF @ 25 V
IPB023N04NF2SATMA1	1.8900	RFQ	780	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB023	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	800		n通道	40 V	30a（30a），122a（tc）	6V，10V	2.35MOHM @ 70A，10V	3.4V @ 81µA	102 NC @ 10 V	±20V	4800 pf @ 20 V	-	3.8W（ta），150W（TC）
IPT014N10N5ATMA1	6.6700	RFQ	5431	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,000		-	100 v	362a	10V	-	-		-		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²