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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
BCR573E6433HTMA1	0.0838	RFQ	3970	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BCR573		330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																				50 V	500 MA		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	150 MHz	1 kohms	10 kohms
IPDD60R050G7XTMA1	12.2500	RFQ	9331	Infineon技术	Coolmos™G7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块		ipdd60	MOSFET （金属 o化物）				PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700			n通道						600 v	47A（TC）	10V	50mohm @ 15.9a，10V	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 400 V	-	278W（TC）
SIDC30D120F6X1SA2	-	RFQ	3311	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产		表面安装	死		sidc30d	标准				锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1200 v		2.1 V @ 35 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	35a	-
FS20R06VE3BOMA1	-	RFQ	7403	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS20R06		71.5 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	三相逆变器																																		-	600 v	25 a	2V @ 15V，20A	1 MA	不	1.1 NF @ 25 V
BFP 620F E7764	-	RFQ	8847	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		BFP 620		185MW			4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					21dB																															2.8V	80mA					NPN		110 @ 50mA，1.5V	65GHz			0.7db〜1.3dB @ 1.8GHz〜6GHz
FF600R12ME4PB11BOSA1	391.2133	RFQ	6278	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计					FF600R12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6
IPP65R660CFDAAKSA1	-	RFQ	6607	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，CoolMos™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp65r	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000875802	Ear99	8541.29.0095	500			n通道						650 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 3.2A，10V	4.5V @ 200µA	20 nc @ 10 V	±20V	543 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
BSZ050N03MSGATMA1	0.9000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ050	MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道						30 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），48W（tc）
IRF5810TR	-	RFQ	7775	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6		IRF58	MOSFET （金属 o化物）	960MW			6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）								20V	2.9a		90MOHM @ 2.9a，4.5V	1.2V @ 250µA	9.6nc @ 4.5V		650pf @ 16V	逻辑级别门
TD570N18KOFXPSA1	311.5650	RFQ	1048	Infineon技术	TD	托盘	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	2				300 MA															1.8 kV	1.05 ka	2 v	20000a @ 50Hz	250 MA	566 a										1 sc，1二极管
IMT65R163M1HXTMA1	-	RFQ	2086	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产					IMT65R						-	rohs3符合条件		到达不受影响				2,000
IRL2203NLPBF	-	RFQ	6876	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						30 V	116a（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 60a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±16V	3290 pf @ 25 V	-	3.8W（180W），180W（tc）
IRL6283MTRPBF	-	RFQ	1383	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MD			MOSFET （金属 o化物）				DirectFet™MD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道						20 v	38a（TA），211a（tc）	2.5V，4.5V	0.75MOHM @ 50a，10V	1.1V @ 100µA	158 NC @ 4.5 V	±12V	8292 PF @ 10 V	-	2.1W（TA），63W（tc）
SPB20N60S5ATMA1	-	RFQ	6488	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		SPB20N	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						600 v	20A（TC）	10V	190MOHM @ 13A，10V	5.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	208W（TC）
IPW60R031CFD7XKSA1	13.2500	RFQ	632	Infineon技术	CoolMos™CFD7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IPW60R031	MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道						650 v	63A（TC）	10V	31MOHM @ 32.6a，10V	4.5V @ 1.63mA	141 NC @ 10 V	±20V	5623 PF @ 400 V	-	278W（TC）
BSP 60 E6433	-	RFQ	5597	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BSP 60		1.5 w			PG-SOT223-4	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																																				45 v	1 a		10µA			pnp-达灵顿	1.8V @ 1mA，1a	2000 @ 500mA，10V	200MHz
IRFH3707TRPBF	0.5300	RFQ	249	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		IRFH3707	MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn （3x3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						30 V	12a（12A），29a （TC）	4.5V，10V	12.4mohm @ 12a，10v	2.35V @ 25µA	8.1 NC @ 4.5 V	±20V	755 pf @ 15 V	-	2.8W（ta）
BAS70-05E6327	-	RFQ	9524	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS70	肖特基				PG-SOT23-3-11	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C
IRF630NSTRRPBF	-	RFQ	4324	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001561818	Ear99	8541.29.0095	800			n通道						200 v	9.3A（TC）	10V	300MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	575 PF @ 25 V	-	82W（TC）
IRFH8337TR2PBF	-	RFQ	4060	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）				PQFN（5x6）	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						30 V	12a（12a），35a（tc）		12.8mohm @ 16.2a，10v	2.35V @ 25µA	10 NC @ 10 V		790 pf @ 10 V	-
IPP120N10S403AKSA1	-	RFQ	7357	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP120	MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道						100 v	120A（TC）	10V	3.9MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 180µA	140 NC @ 10 V	±20V	10120 PF @ 25 V	-	250W（TC）
FF200R12KE4HOSA1	151.9500	RFQ	1	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FF200R12		1100 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																																		沟渠场停止	1200 v	240 a	2.15V @ 15V，200a	5 ma	不	14 NF @ 25 V
IM241M6S1BAUMA1	11.1400	RFQ	493	Infineon技术	CIPOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	IGBT							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相逆变器					4 a	600 v	2000vrms
IRG8P45N65UD1PBF	-	RFQ	7762	Infineon技术	-	管子	过时的					IRG8P						下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	25
SMBT 3904 E6433	1.0000	RFQ	7611	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6				330兆			PG-SC74-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																				40 V	200 ma		50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
IPB100N06S205ATMA4	-	RFQ	8865	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		IPB100	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	100A（TC）	10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IRF7424Tr	-	RFQ	6868	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						30 V	11A（TC）	4.5V，10V	13.5mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4030 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IDP30E65D2XKSA1	2.1100	RFQ	433	Infineon技术	-	管子	积极的		通过洞	TO-220-2		IDP30E65	标准				pg-to220-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																								650 v		2.2 V @ 30 A	42 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	60a	-
D400K16BXPSA1	-	RFQ	2586	Infineon技术	-	大部分	过时的		螺柱坐骑	do-205aa，do-8，螺柱		D400K	标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																								1600 v				40 mA @ 1600 V	-40°C〜180°C	450a	-
BCR116SE6327BTSA1	-	RFQ	3737	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR116		250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																				50V	100mA		-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	150MHz	4.7kohms	47kohms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²