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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IPB100P03P3L-04	0.8900	RFQ	8375	Infineon技术	Optimos™-P	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			P通道	30 V	100A（TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 80a，10v	2.1V @ 475µA	200 NC @ 10 V	+5V，-16V	9300 PF @ 25 V	-	200W（TC）
BSM200GA120DN2FS	1.0000	RFQ	7509	Infineon技术	*	大部分	积极的				BSM200					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BSP125L6327	0.3100	RFQ	4868	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	325			n通道	600 v	120mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 120mA，10v	2.3V @ 94µA	6.6 NC @ 10 V	±20V	150 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BCR158	-	RFQ	2078	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR15		250兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																						50 V	100 ma		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BSP320SL6433	0.2000	RFQ	7	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	60 V	2.9a（TJ）	10V	120MOHM @ 2.9a，10V	4V @ 20µA	12 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
BCR133WE6327	-	RFQ	7553	Infineon技术	*	大部分	积极的				BCR133					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
BSM25GB120DN2	34.7300	RFQ	23	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	模块			200 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	9	半桥																				-	1200 v	38 a	3V @ 15V，25a	800 µA	不	1.65 NF @ 25 V
IMBF170R650M1XTMA1	7.4600	RFQ	592	Infineon技术	COOLSIC™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	IMBF170	sicfet （碳化硅）			PG-TO263-7-13	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	1700 v	7.4A（TC）	12V，15V	650MOHM @ 1.5A，15V	5.7V @ 1.7mA	8 nc @ 12 V	+20V，-10V	422 PF @ 1000 V	-	88W（TC）
IRL60SC216ARMA1	4.2200	RFQ	2488	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IRL60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道	60 V	324a（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	218 NC @ 4.5 V	±20V	16000 PF @ 30 V	-	2.4W（TA），375W（TC）
DF11MR12W1M1PB11BPSA1	-	RFQ	3849	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DF11MR12	（SIC）	20mw		Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	30	2 n 通道（双）			1200V（1.2kV）	50a（TJ）		22.5mohm @ 50a，15v	5.55V @ 20mA	124nc @ 15V		3680pf @ 800V	-
FF600R12KE4PBOSA1	322.8400	RFQ	3	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			标准	AG-62mm-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	2独立																				沟渠场停止	1200 v	600 a	2.2V @ 15V，600A	5 ma	不	38 nf @ 25 V
BSC040N10NS5SCATMA1	3.9800	RFQ	5506	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	BSC040	MOSFET （金属 o化物）			PG-WSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-BSC040N10NS5SCATMA1CT	Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道	100 v	140a（TC）	6V，10V	4mohm @ 50a，10v	3.8V @ 95µA	72 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 50 V	-	（3W（ta），167W（tc）
BSC014N06NSSCATMA1	3.6000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	BSC014	MOSFET （金属 o化物）			PG-WSON-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道	60 V	261a（TC）	6V，10V	1.4mohm @ 50a，10v	3.3V @ 120µA	104 NC @ 10 V	±20V	8125 PF @ 30 V	-	3W（3W），188w（tc）
FF11MR12W1M1PB11BPSA1	-	RFQ	2479	Infineon技术	EasyDual™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF11MR12	（SIC）	20mw		Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	30	2 n 通道（双）			1200V（1.2kV）	100A（TJ）		11.3MOHM @ 100A，15V	5.55V @ 40mA	248nc @ 15V		7360pf @ 800V	-
IRFC250NB	-	RFQ	4149	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC250NB	过时的		1			-	200 v	-	-	-	-		-		-	-
IRFC3315B	-	RFQ	8380	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC3315B	过时的		1			-	150 v	23a	10V	70MOHM @ 23A，10V	-		-		-	-
IRFC4905B	-	RFQ	1499年	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC4905B	过时的		1			-	55 v	42a	10V	20mohm @ 42a，10v	-		-		-	-
IRFCZ44VB	-	RFQ	9434	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFCZ44VB	过时的		1			-	60 V	55a	10V	16.5MOHM @ 55A，10V	-		-		-	-
IRFC260NB	-	RFQ	1905年	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC260NB	过时的		1			-	200 v	50a	10V	40MOHM @ 50a，10v	-		-		-	-
IRF6216TRPBF-1	-	RFQ	5157	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRF6216TRPBF-1TR	Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道	150 v	2.2A（ta）	10V	240MOHM @ 1.3A，10V	5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±20V	1280 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IRLC014NB	-	RFQ	9169	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-irlc014nb	过时的		1			-	55 v	2.8a	10V	140MOHM @ 2.8A，10V	-		-		-	-
IRFC9024NB	-	RFQ	3219	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC9024NB	过时的		1			-	55 v	11a	10V	175mohm @ 11a，10v	-		-		-	-
IRFC9034NB	-	RFQ	5000	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC9034NB	过时的		1			-	55 v	19a	10V	100mohm @ 19a，10v	-		-		-	-
IRFC120NB	-	RFQ	9144	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC120NB	过时的		1			-	100 v	9.4a	-	210MOHM @ 9.4a，10V	-		-		-	-
IRFC7313B	-	RFQ	1320	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死		MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC7313B	过时的		1			-	30 V	-	-	-	-		-		-	-
IRF150P220AKMA1	12.0300	RFQ	103	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道	150 v	203A（TC）	10V	2.7MOHM @ 100A，10V	4.6V @ 265µA	200 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 75 V	-	3.8W（TA），556W（TC）
IRF100P219AKMA1	7.5600	RFQ	5882	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道	100 v	203A（TC）	6V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 278µA	210 NC @ 10 V	±20V	12020 PF @ 50 V	-	3.8W（341W）（TC）
DF400R12KE3	-	RFQ	5846	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块			2000 w	标准	模块	下载					Ear99	8542.29.0095	1	单身的																				沟渠场停止	1200 v	580 a	2.15V @ 15V，400A	5 ma	不	28 NF @ 25 V
SP000797380	1.0000	RFQ	4167	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载						0000.00.0000	1			n通道	600 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 100 V	-	34W（TC）
BAS70-06E6327	-	RFQ	8731	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70	肖特基			PG-SOT23	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²