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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IKW50N120CH7XKSA1	9.7100	RFQ	8367	Infineon技术	Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ikw50n	标准		398 w			PG-TO247-3-U06	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						-																				116 ns						沟渠场停止	1200 v	86 a	200 a	2.15V @ 15V，50a	2.33mj（在）上，1.12MJ off）	375 NC	39NS/319NS
IPB060N15N5ATMA1	7.1300	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB060		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					150 v	136a（TC）	8V，10V	6mohm @ 68a，10v	4.6V @ 180µA	68 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 75 V	-	250W（TC）
IPZ40N04S5L7R4ATMA1	0.9500	RFQ	10	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPZ40N04		MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道					40 V	40a（TC）	4.5V，10V	7.4mohm @ 20a，10v	2V @ 10µA	17 NC @ 10 V	±16V	920 PF @ 25 V	-	34W（TC）
AIMZA75R090M1HXKSA1	7.9761	RFQ	2034	Infineon技术	*	管子	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZA75R090M1HXKSA1			240
IRG4PC30FPBF	-	RFQ	1765年	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		100 W			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400						480V，17a，23ohm，15v																										-	600 v	31 a	120 a	1.8V @ 15V，17a	（230µJ）（在1.18MJ上）	51 NC	21NS/200NS
IRLBA3803P	-	RFQ	4279	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-273AA			MOSFET （金属 o化物）				SUPER-220™to-273AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLBA3803P	Ear99	8541.29.0095	50			n通道					30 V	179a（TC）		5mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V		5000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
BCR112WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	5839	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR112			250兆			PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	100 ma								100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 5mA，5V	140 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
IRF7663Tr	-	RFQ	9098	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）				micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道					20 v	8.2a（ta）		20mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	45 NC @ 5 V		2520 PF @ 10 V	-
AUIRFS4115	-	RFQ	5324	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AUIRFS4115		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520256	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					150 v	99a（TC）	10V	12.1MOHM @ 62a，10v	5V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	5270 pf @ 50 V	-	375W（TC）
BAS40B5000	0.0300	RFQ	90	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40		肖特基				PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																						40 V	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz
Auirrr024ntrl	-	RFQ	5810	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001517694	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道					55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IPP100N06S3L-04in	0.6700	RFQ	500	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	500
IRF7751	-	RFQ	3828	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100	2（p 通道（双）							30V	4.5a		35MOHM @ 4.5A，10V	2.5V @ 250µA	44NC @ 10V		1464pf @ 25V	逻辑级别门
SPD03N60C3ATMA1	1.5800	RFQ	28	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD03N60		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					600 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2A，10V	3.9V @ 135µA	17 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 25 V	-	38W（TC）
FS10R06VE3B2BOMA1	-	RFQ	7436	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS10R06			50 W		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	三相逆变器																															-	600 v	16 a		2V @ 15V，10a						1 MA	是的	550 pf @ 25 V
TD61N14KOFHPSA1	-	RFQ	5641	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	TD61N				系列连接 -SCR/二极管			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	15					200 ma													1.6 kV	120 a	1.4 v	1550a @ 50Hz	120 MA	76 a								1 sc，1二极管
T1901N80TS05PRXPSA1	-	RFQ	2195	Infineon技术	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF					单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					350 MA													8 kV	3300 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	2930 a								1 scr
IPB320N20N3GATMA1	3.6100	RFQ	13	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB320		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					200 v	34A（TC）	10V	32MOHM @ 34A，10V	4V @ 90µA	29 NC @ 10 V	±20V	2350 pf @ 100 V	-	136W（TC）
FP50R06KE3GBOSA1	104.1200	RFQ	140	Infineon技术	Econopim™3	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				190 w		标准	AG-ECONO3-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																															沟渠场停止	600 v	60 a		1.9V @ 15V，50a						1 MA	是的	3.1 NF @ 25 V
IRLR3717TRPBF	-	RFQ	8613	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001553200	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					20 v	120A（TC）	4.5V，10V	4mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	31 NC @ 4.5 V	±20V	2830 pf @ 10 V	-	89W（TC）
IPP08CN10N g	-	RFQ	3446	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP08C		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道					100 v	95A（TC）	10V	8.5MOHM @ 95A，10V	4V @ 130µA	100 nc @ 10 V	±20V	6660 pf @ 50 V	-	167W（TC）
BAR 88-07LRH E6327	-	RFQ	5554	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		4-XFDFN	BAR88						PG-TSLP-4-7	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	15,000				100 ma													250兆													0.4pf @ 1V，1MHz										引脚-2独立	80V				600MOHM @ 10mA，100MHz
IRF3710ZPBF	1.6100	RFQ	3	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF3710		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100			n通道					100 v	59A（TC）	10V	18mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2900 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IRF8915TR	-	RFQ	5450	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF89		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）							20V	8.9a		18.3mohm @ 8.9a，10v	2.5V @ 250µA	7.4NC @ 4.5V		540pf @ 10V	逻辑级别门
BFR380TE6327	0.0900	RFQ	158	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-75，SOT-416				380MW			PG-SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000							12.5db																										9V	80mA												NPN		60 @ 40mA，3v	14GHz			1.1db @ 1.8GHz
IRF5851	-	RFQ	8034	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	IRF58		MOSFET （金属 o化物）	960MW			6-TSOP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	100	n和p通道							20V	2.7a，2.2a		90MOHM @ 2.7a，4.5V	1.25V @ 250µA	6NC @ 4.5V		400pf @ 15V	逻辑级别门
IRFR4510pbf	-	RFQ	6175	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001564880	Ear99	8541.29.0095	75			n通道					100 v	56A（TC）	10V	13.9mohm @ 38a，10v	4V @ 100µA	81 NC @ 10 V	±20V	3031 PF @ 50 V	-	143W（TC）
FP75R07N2E4BPSA1	130.8400	RFQ	2561	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FP75R07			20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																															沟渠场停止	650 v	95 a		1.95V @ 15V，75a						1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
BSO615CGHUMA1	-	RFQ	8940	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO615		MOSFET （金属 o化物）	2W			PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	n和p通道							60V	3.1a，2a		110MOHM @ 3.1A，10V	2V @ 20µA	22.5nc @ 10V		380pf @ 25V	逻辑级别门
IRFZ44NSTRLPBF	1.7300	RFQ	25	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRFZ44		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					55 v	49A（TC）	10V	17.5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1470 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²