RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）	电容比	电容比条件	q @ vr，f
SP000797380	1.0000	RFQ	4167	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO220-3-111	下载						0000.00.0000	1		n通道				600 v	20.2A（TC）	10V	190MOHM @ 9.5A，10V	3.5V @ 630µA	63 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 100 V	-	34W（TC）
IRFS4410pbf	-	RFQ	9954	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573484	Ear99	8541.29.0095	50		n通道				100 v	88A（TC）	10V	10mohm @ 58a，10v	4V @ 150µA	180 NC @ 10 V	±20V	5150 PF @ 50 V	-	200W（TC）
BSD314SPE L6327	-	RFQ	5959	Infineon技术	Optimos™-P 3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT363-6-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	790		P通道				30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
IPW65R15OCFDAFKSA1	-	RFQ	5270	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRFB7446GPBF	-	RFQ	2478	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001566710	Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				40 V	120A（TC）	6V，10V	3.3MOHM @ 70A，10V	3.9V @ 100µA	93 NC @ 10 V	±20V	3183 PF @ 25 V	-	99W（TC）
IRF7379pbf	-	RFQ	5434	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF737		MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001555260	Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道					30V	5.8a，4.3a		45MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	-
IRG4PH20KDPBF	-	RFQ	6829	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRG4PH20	标准		60 W		TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400				800V，5A，50OHM，15V												51 ns		-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	620µJ（在）上，300µJ（OFF）	28 NC	50NS/100NS
BBY5805WH6327XTSA1	-	RFQ	6068	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BBY58					PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																	5.5pf @ 6V，1MHz									1对普通阴极	10 v										3.5	C1/C4	-
IPA60R250CPXKSA1	-	RFQ	2245	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA60R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道				650 v	12A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 440µA	35 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 100 V	-	33W（TC）
TZ800N14KOFHPSA2	-	RFQ	6078	Infineon技术	-	大部分	过时的				TZ800N14						-					过时的		1
FF300R17KE3HDLA1	333.1650	RFQ	3207	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FF300R17			1450 w	标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	32	单个开关																	沟渠场停止	1700 v	404 a		2.45V @ 15V，300A						3 ma	不	27 NF @ 25 V
IRFP9140N	-	RFQ	1361	Infineon技术	Hexfet®	包	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFP9140N	Ear99	8541.29.0095	25		P通道				100 v	23A（TC）	10V	117MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IPB180N06S4H1ATMA1	-	RFQ	7333	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB180		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-7-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				60 V	180a（TC）	10V	1.7MOHM @ 100A，10V	4V @ 200µA	270 NC @ 10 V	±20V	21900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
FP25R12KT4B11BOSA1	-	RFQ	7034	Infineon技术	Econopim™2	大部分	在sic中停产	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FP25R12			160 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																	沟渠场停止	1200 v	25 a		2.15V @ 15V，25a						1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
BAR63-03WE6327	0.0500	RFQ	3192	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323						PG-SOD323-2	下载					Ear99	8541.10.0070	5,176			100 ma												250兆		0.3pf @ 5V，1MHz									PIN-单	50V				-
SMBT3904PNH6327XTSA1	0.0831	RFQ	3017	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	SMBT 3904			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			40V	200mA								50NA（iCBO）				NPN，PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
IPP50R350CP	-	RFQ	2361	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道				500 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5.6A，10V	3.5V @ 370µA	25 NC @ 10 V	±20V	1020 PF @ 100 V	-	89W（TC）
BSS138W L6327	-	RFQ	7521	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道				60 V	280mA（TA）	4.5V，10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.4V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	43 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
IRGPS40B120UPBF	-	RFQ	9642	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		595 w		SUPER-247™to-274AA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				600V，40a，4.7Ohm，15V														npt	1200 v	80 a	160 a	3.71V @ 15V，50a	1.4MJ（在）上，1.65MJ OFF）	340 NC	-
FD400R07PE4RB6BOSA1	-	RFQ	5532	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FD400R12			1150 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器																	沟渠场停止	650 v	460 a		1.95V @ 15V，400A						20 µA	是的	18.5 nf @ 25 V
IPB042N03LGATMA1	-	RFQ	5188	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB042N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				30 V	70A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 15 V	-	79W（TC）
IPP60R099CPXKSA1	9.4000	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R099		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道				650 v	31a（TC）	10V	99mohm @ 18a，10v	3.5V @ 1.2mA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	255W（TC）
IRG5K400HF06B	-	RFQ	4090	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块				1620 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001540486	Ear99	8541.29.0095	15	半桥																	-	600 v	670 a		2.1V @ 15V，400A						2 ma	不	25 NF @ 25 V
IRGPC50U	-	RFQ	5961	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		200 w		TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																		-	600 v	55 a		3V @ 15V，27a
BSB053N03LPG	0.4000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson			MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道				30 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
IRF7752Tr	-	RFQ	5128	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IRF775		MOSFET （金属 o化物）	1W		8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）					30V	4.6a		30mohm @ 4.6A，10V	2V @ 250µA	9NC @ 4.5V		861pf @ 25V	逻辑级别门
IRF7707	-	RFQ	9685	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			8-tssop	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	100		P通道				20 v	7a（ta）	2.5V，4.5V	22mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	47 NC @ 4.5 V	±12V	2361 PF @ 15 V	-	1.5W（TA）
BFS 481 E6327	-	RFQ	1072	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BFS 481			175MW		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					20dB														12V	20mA												2 NPN （双）		70 @ 5mA，8v	8GHz	0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
IRG4BH20K-SPBF	-	RFQ	8802	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRG4BH20	标准		60 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				960V，5A，50OHM，15V														-	1200 v	11 a	22 a	4.3V @ 15V，5A	（450µJ）（在440µJ上）	28 NC	23ns/93ns
IRF5305pbf	1.7200	RFQ	44	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF5305		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道				55 v	31a（TC）	10V	60mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	110W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²