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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
TD162N16KOFTIMHPSA1	-	RFQ	7082	Infineon技术	-	托盘	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8				200 ma														1.6 kV	260 a	2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a							1 sc，1二极管
IPF041N10NF2SATMA1	-	RFQ	2528	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产											-	rohs3符合条件		到达不受影响				800
TD180N16KOFHPSA2	188.1800	RFQ	8	Infineon技术	-	托盘	积极的	130°C（TJ）	底盘安装	模块					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8				200 ma														1.6 kV	285 a	2 v	4800a @ 50Hz	150 ma	180 a							1 sc，1二极管
IMW120R040M1HXKSA1	21.3000	RFQ	1471	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			sicfet （碳化硅）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道					1200 v	55A（TC）	15V，18V	54.4mohm @ 19.3a，18V	5.2V @ 10mA	39 NC @ 18 V	+20V，-5V	1620 NF @ 25 V	-	227W（TC）
FP35R12N2T7BPSA2	119.8200	RFQ	7341	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		FP35R12		20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																														沟渠场停止	1200 v	35 a	1.6V @ 15V，35a	7 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
FS150R12N2T7BPSA2	248.6053	RFQ	4976	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		FS150R12		20兆		标准	Ag-econo2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																														沟渠场停止	1200 v	150 a	1.8V @ 15V，150a	1.2 µA	是的	30.1 NF @ 25 V
F3L8MR12W2M1HB11BPSA1	216.9100	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	积极的					F3L8MR12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15
DDB6U50N16W1RBPSA1	62.9600	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		DDB6U50				三相桥梁整流器	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单菜器																														沟渠场停止	1200 v	50 a	1.5V @ 15V，50a	6.2 µA	不	11.1 NF @ 25 V
IWM013N06NM5XUMA1	2.3184	RFQ	8180	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的											下载	rohs3符合条件		到达不受影响				4,800
FP75R12N2T7B11BPSA2	183.5400	RFQ	7010	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		FP75R12		20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																														沟渠场停止	1200 v	75 a	1.55V @ 15V，75a	14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
T1081N70TS01PRXPSA1	-	RFQ	1265	Infineon技术	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF					单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA														7 kV	2040 a	2.5 v	35000a @ 50Hz	350 MA	1800 a							1 scr
T1901N80TS05PRXPSA1	-	RFQ	2195	Infineon技术	-	大部分	过时的	125°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF					单身的			-			到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				350 MA														8 kV	3300 a	2.5 v	67000a @ 50Hz	350 MA	2930 a							1 scr
IRF8910TRPBF-1	-	RFQ	1715年	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF89	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）			8-so	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）							20V	10a（10a）		13.4mohm @ 10a，10v	2.55V @ 250µA	11NC @ 4.5V		960pf @ 10V	-
IPF042N10NF2SATMA1	2.5100	RFQ	792	Infineon技术	strongirfet™2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道					100 v	21a（21A），139a （TC）	6V，10V	4.25MOHM @ 80A，10V	3.8V @ 93µA	85 NC @ 10 V	±20V	4000 PF @ 50 V	-	3.8W（TA），167W（TC）
IQE013N04LM6SCATMA1	3.1000	RFQ	5893	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）				PG-WHSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道					40 V	31a（TA），205a（tc）	4.5V，10V	1.35MOHM @ 20A，10V	2V @ 51µA	41 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 20 V	-	2.5W（ta），107W（107W）TC）
IPD055N08NF2SATMA1	1.8700	RFQ	2	Infineon技术	strongirfet™2	（CT）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					80 V	17a（17a），98a （TC）	6V，10V	5.5MOHM @ 60a，10V	3.8V @ 55µA	54 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 40 V	-	（3W）（TA），107W（107W）（TC）
D950N22TB01XPSA1	-	RFQ	6062	Infineon技术	D950N	大部分	过时的		底盘安装	DO-200AA，APUK			标准				-	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						2200 v	1.12 V @ 650 A	40 mA @ 2200 V	180°C	1024a	-
P2000DL45X168APTHPSA1	10.0000	RFQ	4066	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	do-200ae		P2000D				标准	BG-P16826K-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																														沟	4500 v	2000 a	2.5V @ 15V，2000a	200 µA	不	420 NF @ 25 V
IM241S6S1BAUMA1	10.0700	RFQ	500	Infineon技术	CIPOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	23-PowersMD模块	IGBT							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	448-IM241S6S1BAUMA1DKR	Ear99	8542.39.0001	500	3相逆变器				2 a	600 v	2000vrms
IPP016N06NF2SAKMA1	2.5800	RFQ	954	Infineon技术	strongirfet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-U05	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道					60 V	36a（TA），194a （TC）	6V，10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.3V @ 186µA	233 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 30 V	-	3.8W（TA），250W（TC）
FF800R12KE7HPSA1	357.5600	RFQ	7	Infineon技术	Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块						标准	AG-62mm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥																														沟渠场停止	1200 v	800 a	1.75V @ 15V，800A	100 µA	不	122 NF @ 25 V
P3000ZL45X168APTHPSA1	10.0000	RFQ	8159	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	do-200ae						标准	BG-P16826K-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																														沟	4500 v	3000 a	2.5V @ 15V，3000a	200 µA	不	620 NF @ 25 V
IM241M6S1BAUMA1	11.1400	RFQ	493	Infineon技术	CIPOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	IGBT							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相逆变器				4 a	600 v	2000vrms
IRFP4468PBFXKMA1	9.1000	RFQ	2746	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道					100 v	290a（TC）	10V	2.6mohm @ 180a，10v	4V @ 250µA	540 NC @ 10 V	±20V	19860 PF @ 50 V	-	520W（TC）
FP75R12N3T7B11BPSA1	206.2200	RFQ	7	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆		三相桥梁整流器	Ag-econo3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																														沟渠场停止	1200 v	75 a	1.8V @ 15V，75a	13 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
IAUA250N04S6N005AUMA1	4.4500	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn		IAUA250	MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-5-5	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					40 V	62a（ta）	7V，10V	0.55MOHM @ 100A，10V	3V @ 145µA	170 NC @ 10 V	±20V	11144 PF @ 25 V	-	250W（TC）
FP75R12N2T7PB11BPSA1	179.9500	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																														沟渠场停止	1200 v	75 a	1.8V @ 15V，75a	14 µA	是的	15.1 NF @ 25 V
FP150R12N3T7B11BPSA1	373.2600	RFQ	10	Infineon技术	Econopim™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆		三相桥梁整流器	Ag-econo3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																														沟渠场停止	1200 v	150 a	1.8V @ 15V，150a	12 µA	是的	30.1 NF @ 25 V
IAUA250N04S6N008AUMA1	3.3100	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn		IAUA250	MOSFET （金属 o化物）				PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					40 V	51A（ta）	7V，10V	0.8MOHM @ 100A，10V	3V @ 90µA	109 NC @ 10 V	±20V	7088 PF @ 25 V	-	172W（TC）
FP50R12N2T7PB11BPSA1	145.8300	RFQ	3919	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆		三相桥梁整流器	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器																														沟渠场停止	1200 v	50 a	1.8V @ 15V，50a	10 µA	是的	11.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²