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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPD034N06N3GATMA1	1.8300	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD034			MOSFET （金属 o化物）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道									60 V	100A（TC）	10V	3.4mohm @ 100a，10v	4V @ 93µA	130 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	167W（TC）
BSP372 E6327	-	RFQ	4674	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									100 v	1.7A（TA）	5V	310MOHM @ 1.7A，5V	2V @ 1mA		±14V	520 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IRF9358PBF	-	RFQ	4534	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF9358			MOSFET （金属 o化物）	2W	8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	2（p 通道（双）											30V	9.2a		16.3mohm @ 9.2a，10v	2.4V @ 25µA	38nc @ 10V		1740pf @ 25V	逻辑级别门
BFR360FH6765XTSA1	0.5000	RFQ	7	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-723		BFR360				210MW	PG-TSFP-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								15.5db																									9V	35mA								NPN		90 @ 15mA，3v	14GHz			1dB @ 1.8GHz
BSC025N03MSGATMA1	1.4100	RFQ	7472	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC025			MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道									30 V	23A（TA）。）。100A（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 30a，10V	2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
D950N22TB01XPSA1	-	RFQ	6062	Infineon技术	D950N	大部分	过时的			底盘安装	DO-200AA，APUK					标准		-	-			到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						2200 v		1.12 V @ 650 A		40 mA @ 2200 V	180°C	1024a	-
IRFZ46NSTRRPBF	-	RFQ	8597	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道									55 v	53A（TC）	10V	16.5MOHM @ 28A，10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1696 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），107W（tc）
SIDC78D170HX1SA1	-	RFQ	6083	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	死		SIDC78D			标准		锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						1700 v		1.8 V @ 150 A		27 µA @ 1700 V	-55°C〜150°C	150a	-
DR21026642NOSA1	-	RFQ	8954	Infineon技术	-	托盘	过时的												-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
IPP80N06S2LH5AKSA2	-	RFQ	5452	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp80n			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道									55 v	80A（TC）	4.5V，10V	5mohm @ 80a，10v	2V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	5000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
BCP5216E6327HTSA1	-	RFQ	9002	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP52				2 w	PG-SOT223-4-10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	7,000																																	60 V	1 a							100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
IRFS4610TRRPBF	-	RFQ	1037	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001573460	Ear99	8541.29.0095	800			n通道									100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IM323M6GXKMA1	11.1600	RFQ	5276	Infineon技术	CIPOS™	管子	不适合新设计			通过洞	26-PowerDip 模块（1.043英寸，26.50mm）	IGBT	IM323M6						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	240	3相逆变器								10 a	600 v	2000vrms
IRF6668TRPBF	2.1200	RFQ	5	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz		IRF6668			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道									80 V	55A（TC）	10V	15mohm @ 12a，10v	4.9V @ 100µA	31 NC @ 10 V	±20V	1320 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
SPU04N60C3BKMA1	-	RFQ	6382	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		SPU04N			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO251-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道									650 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BF998E6327	-	RFQ	4284	Infineon技术	-	大部分	积极的	12 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA				1GHz	MOSFET		SOT143（SC-61）	下载					Ear99	8541.29.0095	1	n通道			15mA		10 MA	-	28DB														2.8dB																		8 V
IPA50R280E6	0.9400	RFQ	349	Infineon技术	-	大部分	过时的												-				2156-IPA50R280E6			349
IRF6795MTRPBF	1.0637	RFQ	5462	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX		IRF6795			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道									25 v	32A（TA），160A （TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 32a，10v	2.35V @ 100µA	53 NC @ 4.5 V	±20V	4280 pf @ 13 V	-	2.8W（ta），75W（75W）TC）
PX8143JDMG029XTMA1	-	RFQ	1713年	Infineon技术	-	托盘	过时的						PX8143JD						-	rohs3符合条件		到达不受影响		过时的		1
IRL2505SPBF	-	RFQ	9249	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRL40B209	-	RFQ	7737	Infineon技术	hexfet®，strongirfet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRL40B209			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001576458	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									40 V	195a（TC）	4.5V，10V	1.25MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	270 NC @ 4.5 V	±20V	15140 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IPP80P03P4L07AKSA1	-	RFQ	6389	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		ipp80p			MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			P通道									30 V	80A（TC）	4.5V，10V	7.2MOHM @ 80A，10V	2V @ 130µA	80 NC @ 10 V	+5V，-16V	5700 PF @ 25 V	-	88W（TC）
BCR148SE6327BTSA1	-	RFQ	3067	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR148				250MW	PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50V	100mA							-	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100MHz	47kohms	47kohms
D1251S45TXPSA1	2.0000	RFQ	8488	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200 ac，k-puk		D1251S45			标准		-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	6		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						4500 v		2.5 V @ 2500 A		80 ma @ 4500 V	-40°C〜140°C	1530a	-
D1821SH45TPRXPSA1	-	RFQ	5626	Infineon技术	-	托盘	过时的			底盘安装	do-200ae		D1821SH45			标准		-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																						4500 v		3.6 V @ 2500 A		150 ma @ 4500 V	0°C〜140°C	2210a	-
BSD214SN L6327	-	RFQ	3793	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363					MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道									20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	140MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 3.7µA	0.8 NC @ 5 V	±12V	143 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
IRG4BC40KPBF	-	RFQ	5341	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRG4BC40	标准			160 w	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					480V，25a，10ohm，15V																											-	600 v	42 a	84 a	2.6V @ 15V，25a	620µJ（在）上，330µJ（OFF）	120 NC	30NS/140NS
IDW60C65D1XKSA1	2.8100	RFQ	626	Infineon技术	快速1	管子	积极的			通过洞	TO-247-3		IDW60C65			标准		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																					1对普通阴极	650 v	30a	1.7 V @ 30 A	66 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
AUIRF7341QTR	-	RFQ	1975年	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		AUIRF7341			MOSFET （金属 o化物）	2.4W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）											55V	5.1a		50MOHM @ 5.1A，10V	3V @ 250µA	44NC @ 10V		780pf @ 25V	逻辑级别门
BCR108WE6327	-	RFQ	1224	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323		BCR108				250兆	PG-SOT323-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	15,000																																	50 V	100 ma							100NA（ICBO）	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²