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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BC857SE6327	0.0300	RFQ	4391	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC857				250MW		SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,475																														45V	100mA									15NA（icbo）				2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BAR6302WH6327	-	RFQ	9185	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		SC-80							SCD-80	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1					100 ma														250兆									0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
BAS40-05WH6327	0.0900	RFQ	169	Infineon技术	-	大部分	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAS40			肖特基			PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																			1对普通阴极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C
SGP20N60	-	RFQ	6592	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP20N	标准			179 w		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1						400V，20a，16ohm，15V																							npt	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，20A	（440µJ）（在330µJ上）	100 NC	36NS/225NS
SIPC19N80C3	-	RFQ	9533	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0040	1
SPB11N60C2	2.0800	RFQ	300	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道							600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	41.5 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IPD30N06S3L-20	-	RFQ	5119	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道							55 v	30A（TC）	5V，10V	20mohm @ 17a，10v	2.2V @ 20µA	37 NC @ 10 V	±16V	2600 PF @ 25 V	-	45W（TC）
SPB04N50C3	0.5900	RFQ	24	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							500 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	470 pf @ 25 V	-	50W（TC）
SGP20N60HS	1.2500	RFQ	520	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP20N	标准			178 w		pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1						400V，20a，16ohm，15V																							npt	600 v	36 a	80 a	3.15V @ 15V，20A	690µJ	100 NC	18NS/207NS
SPD1305NL	0.1900	RFQ	75	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500
SMBT 3904 E6433	1.0000	RFQ	7611	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6					330兆		PG-SC74-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000																														40 V	200 ma									50NA（iCBO）				NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
SPI07N65C3XKSA1	0.9000	RFQ	22	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道							650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SMBTA14E6327	0.1000	RFQ	210	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆		PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,112																														30 V	300 MA									100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
IPB50R250CP	-	RFQ	4955	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
IPB60R600CP	0.6900	RFQ	5	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道							600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
SIPC69SN60C3X3SA1	5.8000	RFQ	3	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0040	1,500
SMBTA06	0.0500	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					330兆		PG-SOT23-3-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	6,000																														80 V	500 MA									100NA					250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
SPB02N60S5	1.0000	RFQ	6983	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道							600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
SPI07N65C3	0.8300	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道							650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 350µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	83W（TC）
SKA06N06	-	RFQ	6222	Infineon技术	*	大部分	积极的					SKA06N							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
SGB30N60	-	RFQ	5148	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB30	标准			250 w		pg-to263-3-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1						400V，30a，11ohm，15V																							npt	600 v	41 a	112 a	2.4V @ 15V，30a	1.29mj	140 NC	44NS/291NS
SPB04N60C3	-	RFQ	2049	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道							600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
DF400R07PE4RB6BOSA1	169.0100	RFQ	210	Infineon技术	Econopack™4	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					1100 w	标准	AG-ECONO4-1-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	单菜器																												沟渠场停止	650 v	450 a		-							20 µA	是的	18.5 nf @ 25 V
IKCS12G60DABKMA1	50.5500	RFQ	10	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.49.8000	1
IHW30N135R3	2.5500	RFQ	1532年	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			349 w		pg-to247-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	88						600V，30a，10ohm，15V																							沟渠场停止	1350 v	60 a	90 a	1.85V @ 15V，30a	1.93mj（）	263 NC	- /337n
IKD15N60RBTMA1	0.9100	RFQ	12	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			250 w		PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500						400V，15A，15欧姆，15V																			110 ns				沟	600 v	30 a	45 a	2.1V @ 15V，15a	900µJ	90 nc	16NS/183NS
IKD04N60R6EDV1	-	RFQ	2362	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准			75 w		PG-TO252-3-313	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1						400V，4A，43OHM，15V																			43 ns				沟渠场停止	600 v	8 a	12 a	2.1V @ 15V，4A	（90µJ）（在150µJ）上（OFF）	27 NC	14NS/146NS
IKU06N60R	0.4900	RFQ	1	Infineon技术	Trechstop®	大部分	积极的		-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准			100 W		pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1						400V，6A，23OHM，15V																			68 ns				沟	600 v	12 a	18 a	2.1V @ 15V，6A	330µJ	48 NC	12NS/127NS
BC817K-16	-	RFQ	7309	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817				500兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000																														45 v	500 MA									100NA（ICBO）				NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
BF 2040 E6814	0.0800	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	8 V		表面安装	TO-253-4，TO-253AA			1GHz	MOSFET			PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			50µA			15 ma	-	23dB											1.6dB																	5 v

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²