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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
ISZ0703NLSATMA1	1.1100	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ0703N		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-25	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	（13A）（ta），56a （TC）	4.5V，10V	7.3mohm @ 20a，10v	2.3V @ 15µA	23 NC @ 10 V	±20V	1400 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），44W（tc）
SPA11N60CFDXKSA1	2.5347	RFQ	6513	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA11N60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		600 v	11A（TC）	10V	440MOHM @ 7A，10V	5V @ 1.9mA	64 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 25 V	-	33W（TC）
IDK08G65C 5XTMA1	-	RFQ	6574	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK08G65		SIC （碳化硅）		pg-to263-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1,000	没有恢复t> 500mA（IO）														650 v		1.8 V @ 8 A	0 ns	1.4 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	8a	250pf @ 1V，1MHz
IKZA50N65SS5XKSA1	14.9500	RFQ	460	Infineon技术	Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	ikza50	标准		274 w	PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，9ohm，15V																				沟渠场停止	650 v	80 a	200 a	1.7V @ 15V，50a	230µJ（在）上，520µJ（OFF）	110 NC	19NS/140NS
BC817-16W	0.0200	RFQ	207	Infineon技术	-	大部分	积极的				BC817					下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
IKW30N60DTPXKSA1	3.0500	RFQ	740	Infineon技术	Trenchstop™	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW30N60	标准		200 w	pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10.5Ohm，15V															76 ns					沟渠场停止	600 v	53 a	90 a	1.8V @ 15V，30a	（710µJ）（在420µJ上）	130 NC	15NS/179NS
AUIRFC8407TR	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0040	1
DD1000S33HE3BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DD1000		标准		AG-IHVB130-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													2独立	3300 v	-	3.85 V @ 1000 A		1000 A @ 1800 V	-40°C〜150°C
IDD05SG60CXTMA2	1.9507	RFQ	6564	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IDD05SG60		SIC （碳化硅）		pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）														600 v		2.3 V @ 5 A	0 ns	30 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	110pf @ 1V，1MHz
BSF134N10NJ3GXUMA1	2.3000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson	BSF134		MOSFET （金属 o化物）		MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	（9A）（ta），40a（tc）	6V，10V	13.4mohm @ 30a，10v	3.5V @ 40µA	30 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 50 V	-	2.2W（TA），43W（tc）
BSC076N06NS3GATMA1	1.5700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC076		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	50A（TC）	10V	7.6mohm @ 50a，10v	4V @ 35µA	50 NC @ 10 V	±20V	4000 PF @ 30 V	-	2.5W（TA），69w（tc）
SIDC09D60F6X1SA4	-	RFQ	4272	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	死	SIDC09D60		标准		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														600 v		1.6 V @ 30 A		27 µA @ 600 V	-40°C〜175°C	30a	-
IRG7PH46UD-EP	-	RFQ	3571	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		390 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001540700	Ear99	8541.29.0095	400			600V，40a，10ohm，15V															140 ns					沟	1200 v	40 a	160 a	2V @ 15V，40a	2.61mj（在）上，1.85mj off）	220 NC	45NS/410NS
64-2082pbf	-	RFQ	5191	Infineon技术	-	管子	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1					-
BCR185WH6327XTSA1	0.0553	RFQ	8365	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR185			250兆	PG-SOT323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																								50 V	100 ma						100NA（ICBO）	pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
AUIRF6218STRL	-	RFQ	4700	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		150 v	27a（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IPI530N15N3GXKSA1	-	RFQ	5036	Infineon技术	Optimos™	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI530		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		150 v	21a（TC）	8V，10V	53mohm @ 18a，10v	4V @ 35µA	12 nc @ 10 V	±20V	887 PF @ 75 V	-	68W（TC）
IAUZ20N08S5L300ATMA1	1.1300	RFQ	7150	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUZ20		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8-32	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	20A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 10a，10v	2V @ 8µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	599 pf @ 40 V	-	30W（TC）
BTS240AHKSA1	12.7300	RFQ	12	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3			MOSFET （金属 o化物）		pg-to218-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24		n通道		50 V	58A（TC）	10V	18mohm @ 47a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	4300 PF @ 25 V	-	170W
IRG4BC20	-	RFQ	3400	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4BC20	Ear99	8541.29.0095	50			480V，10a，50ohm，15V																				-	600 v	19 a	38 a	1.6V @ 15V，10a	（120µJ）（在），2.05MJ（OFF）上）	27 NC	27NS/540NS
IPB65R225C7ATMA1	-	RFQ	2290	Infineon技术	Coolmos™C7	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB65R		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		650 v	11A（TC）	10V	225MOHM @ 4.8A，10V	4V @ 240µA	20 nc @ 10 V	±20V	996 PF @ 400 V	-	63W（TC）
BCR129SH6327XTSA1	0.0975	RFQ	7342	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR129			250MW	PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																								50V	100mA						-	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 5mA，5V	150MHz	10KOHMS	-
IRFHM8334TRPBF-INF	-	RFQ	4457	Infineon技术	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn二（3.3x3.3），Power33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		30 V	（13A）（TA），43A （TC）		9mohm @ 20a，10v	2.35V @ 25µA	15 NC @ 10 V	±20V	1180 pf @ 10 V	-	2.7W（28W），28W（TC）
IRL60SC216ARMA1	4.2200	RFQ	2488	Infineon技术	strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IRL60		MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		60 V	324a（TC）	4.5V，10V	1.5MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	218 NC @ 4.5 V	±20V	16000 PF @ 30 V	-	2.4W（TA），375W（TC）
SPU02N60S5	-	RFQ	9583	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to251-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	5.5V @ 80µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	25W（TC）
AIGW40N65F5XKSA1	6.7400	RFQ	190	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIGW40	标准		250 w	pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，20a，15ohm，15V																				沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
IPI90N04S402AKSA1	3.1900	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI90N04		MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	90A（TC）	10V	2.5MOHM @ 90A，10V	4V @ 95µA	118 NC @ 10 V	±20V	9430 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IKW20N60TAFKSA1	-	RFQ	4622	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IKW20N60	标准		166 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			400V，20A，12OHM，15V															41 ns					沟渠场停止	600 v	40 a	60 a	2.05V @ 15V，20A	770µJ	120 NC	18NS/199N
IHW30N110R3FKSA1	4.2700	RFQ	190	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IHW30N110	标准		333 w	PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240			600V，30a，15ohm，15V																				沟	1100 v	60 a	90 a	1.75V @ 15V，30a	1.15MJ）	180 NC	- /350n
IKQ75N120CH3XKSA1	17.6700	RFQ	9404	Infineon技术	-	管子	不适合新设计	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKQ75N120	标准		938 w	PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，75a，6ohm，15V																				-	1200 v	150 a	300 a	2.35V @ 15V，75a	6.4mj（在）上，2.8MJ（2.8MJ）	370 NC	34NS/282NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²