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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IPP60R600C6XKSA1	-	RFQ	8458	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp60r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道		600 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 2.4a，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	63W（TC）
IPP60R950C6XKSA1	-	RFQ	6011	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ipp60r		MOSFET （金属 o化物）		pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500	n通道		600 v	4.4A（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	3.5V @ 130µA	13 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 100 V	-	37W（TC）
IRFH5020TRPBF	2.3900	RFQ	568	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IRFH5020		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		200 v	5.1a（ta）	10V	55MOHM @ 7.5A，10V	5V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2290 pf @ 100 V	-	3.6W（ta），8.3W（tc）
IRFH5255TRPBF	-	RFQ	1081	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001560380	Ear99	8541.29.0095	4,000	n通道		25 v	（15a）（TA），51A （TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.35V @ 25µA	14.5 NC @ 10 V	±20V	988 PF @ 13 V	-	3.6W（TA），26W（tc）
IRLR8256PBF	-	RFQ	8550	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568738	Ear99	8541.29.0095	75	n通道		25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
IRLML2060TRPBF	0.4600	RFQ	11	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	IRLML2060		MOSFET （金属 o化物）		Micro3™/SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000	n通道		60 V	1.2A（TA）	4.5V，10V	480MOHM @ 1.2A，10V	2.5V @ 25µA	0.67 NC @ 4.5 V	±16V	64 pf @ 25 V	-	1.25W（TA）
IRLR8256TRPBF	-	RFQ	4722	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	IRLR8256		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000	n通道		25 v	81A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 25A，10V	2.35V @ 25µA	15 NC @ 4.5 V	±20V	1470 pf @ 13 V	-	63W（TC）
IRFH5004TR2PBF	-	RFQ	1467	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400	n通道		40 V	28a（28a），100a（tc）		2.6mohm @ 50a，10v	4V @ 150µA	110 NC @ 10 V		4490 pf @ 20 V	-
IRF3515STRLPBF	-	RFQ	9495	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		150 v	41A（TC）		45mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	107 NC @ 10 V		2260 pf @ 25 V	-
BSC016N03MSGATMA1	1.6100	RFQ	15	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC016		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	28a（28a），100a（tc）	4.5V，10V	1.6mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	173 NC @ 10 V	±20V	13000 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
BSC020N03MSGATMA1	1.6600	RFQ	32	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC020		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	25a（25A），100A （TC）	4.5V，10V	2mohm @ 30a，10v	2V @ 250µA	124 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），96w（tc）
BSC025N03MSGATMA1	1.4100	RFQ	7472	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC025		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	23A（TA）。）。100A（tc）	4.5V，10V	2.5MOHM @ 30a，10V	2V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
BSC090N03LSGATMA1	0.7800	RFQ	27	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC090		MOSFET （金属 o化物）		PG-TDSON-8-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	（13a）（ta），48a tc）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），32W（tc）
BSZ035N03LSGATMA1	1.6700	RFQ	5634	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ035		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	20A（20A），40a tc（TC）	4.5V，10V	3.5mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	4400 pf @ 15 V	-	2.1W（ta），69W（tc）
BSZ050N03MSGATMA1	0.9000	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ050		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	4.5MOHM @ 20A，10V	2V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），48W（tc）
BSZ088N03MSGATMA1	-	RFQ	1768年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ088		MOSFET （金属 o化物）		PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	n通道		30 V	（11a）（ta），40a（tc）	4.5V，10V	8mohm @ 20a，10v	2V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），35W（tc）
IRF6643TRPBF	2.3800	RFQ	2314	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距Mz	IRF6643		MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MZ	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800	n通道		150 v	6.2a（ta），35a（tc）	10V	34.5MOHM @ 7.6A，10V	4.9V @ 150µA	55 NC @ 10 V	±20V	2340 pf @ 25 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRF3708STRRPBF	-	RFQ	3619	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		30 V	62A（TC）	2.8V，10V	12mohm @ 15a，10v	2V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2417 PF @ 15 V	-	87W（TC）
IRL3714ZSTRRPBF	-	RFQ	6827	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		20 v	36a（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.2 NC @ 4.5 V	±20V	550 pf @ 10 V	-	35W（TC）
IRF3711ZCSTRRP	-	RFQ	2685	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		20 v	92A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.45V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	79W（TC）
IRF3709ZSTRRPBF	1.6600	RFQ	4330	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF3709		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		30 V	87A（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 21a，10v	2.25V @ 250µA	26 NC @ 4.5 V	±20V	2130 PF @ 15 V	-	79W（TC）
IRF540ZSTRRPBF	-	RFQ	7867	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001570112	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	36a（TC）	10V	26.5MOHM @ 22a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	92W（TC）
IRFZ46NSTRRPBF	-	RFQ	8597	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		55 v	53A（TC）	10V	16.5MOHM @ 28A，10V	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	1696 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），107W（tc）
IRF3315STRRPBF	-	RFQ	8600	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001559556	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		150 v	21a（TC）	10V	82MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	3.8W（ta），94W（tc）
IRFS4610TRRPBF	-	RFQ	1037	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001573460	Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	73A（TC）	10V	14mohm @ 44a，10v	4V @ 100µA	140 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 50 V	-	190w（TC）
IRGS4B60KD1TRRP	-	RFQ	8783	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRGS4B60	标准		63 W	D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001534000	Ear99	8541.29.0095	800		400V，4A，100OHM，15V											93 ns	npt	600 v	11 a	22 a	2.5V @ 15V，4A	（73µJ）（在），47µJ（47µJ）中	12 nc	22NS/100NS
IRF6716MTR1PBF	-	RFQ	7290	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		25 v	39a（ta），180a（tc）	4.5V，10V	1.6mohm @ 40a，10v	2.4V @ 100µA	59 NC @ 4.5 V	±20V	5150 pf @ 13 V	-	3.6W（TA），78W（tc）
IRF6616TR1PBF	-	RFQ	9293	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距MX			MOSFET （金属 o化物）		DirectFet™MX	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	n通道		40 V	（19a）（ta），106a （TC）	4.5V，10V	5mohm @ 19a，10v	2.25V @ 250µA	44 NC @ 4.5 V	±20V	3765 pf @ 20 V	-	2.8W（ta），89W（89W）TC）
IRL2505STRRPBF	-	RFQ	7924	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）
IRL2910STRRPBF	2.6968	RFQ	2390	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRL2910		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800	n通道		100 v	55A（TC）		26mohm @ 29a，10v	2V @ 250µA	140 NC @ 5 V		3700 PF @ 25 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²