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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
SIDC81D120F6YX1SA1	-	RFQ	9843	Infineon技术	-	大部分	过时的					sidc81d						-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1
FF600R12ME4PB11BOSA1	391.2133	RFQ	6278	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	不适合新设计					FF600R12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6
IRLU4343	-	RFQ	7179	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLU4343	Ear99	8541.29.0095	75			n通道						55 v	26a（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	740 pf @ 50 V	-	79W（TC）
FS20R06VE3BOMA1	-	RFQ	7403	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FS20R06			71.5 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40	三相逆变器																								-	600 v	25 a		2V @ 15V，20A				1 MA	不	1.1 NF @ 25 V
IGZ100N65H5	-	RFQ	4322	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			标准		536 w		PG-TO247-4-1	下载					Ear99	8542.39.0001	1				400V，50a，8ohm，15V																					沟渠场停止	650 v	161 a	400 a	2.1V @ 15V，100a	（850µJ）（在），770µJ（OFF）上）	210 NC	30NS/421NS
SPD04N60C3	-	RFQ	6263	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SPD04N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	4.5A（TC）	10V	950MOHM @ 2.8A，10V	3.9V @ 200µA	25 NC @ 10 V	±20V	490 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BFP 620F E7764	-	RFQ	8847	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	4-SMD，平坦的铅		BFP 620			185MW		4-TSFP	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					21dB																					2.8V	80mA									NPN		110 @ 50mA，1.5V	65GHz	0.7db〜1.3dB @ 1.8GHz〜6GHz
IPDD60R050G7XTMA1	12.2500	RFQ	9331	Infineon技术	Coolmos™G7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	10-powersop模块		ipdd60		MOSFET （金属 o化物）			PG-HDSOP-10-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,700			n通道						600 v	47A（TC）	10V	50mohm @ 15.9a，10V	4V @ 800µA	68 NC @ 10 V	±20V	2670 pf @ 400 V	-	278W（TC）
IRLC014NB	-	RFQ	9169	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死				MOSFET （金属 o化物）			死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-irlc014nb	过时的		1			-						55 v	2.8a	10V	140MOHM @ 2.8A，10V	-		-		-	-
IRLR3103TRPBF	-	RFQ	4767	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						30 V	55A（TC）	4.5V，10V	19mohm @ 33a，10v	1V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±16V	1600 pf @ 25 V	-	107W（TC）
64-2128	-	RFQ	8199	Infineon技术	*	管子	积极的					64-2128						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001559156	Ear99	8541.29.0095	50
BCX55E6327	0.0800	RFQ	30	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					2 w		PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																										60 V	1 a						100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
FF150R12KE3B8BOSA1	-	RFQ	8792	Infineon技术	-	托盘	在sic中停产					FF150						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	10
AUIRFS3107	-	RFQ	1294	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001522294	Ear99	8541.29.0095	50			n通道						75 v	195a（TC）	10V	3mohm @ 140a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	9370 pf @ 50 V	-	370W（TC）
IRF2903ZSTRLP	-	RFQ	8961	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						30 V	75A（TC）	10V	2.4MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	240 NC @ 10 V	±20V	6320 PF @ 25 V	-	290W（TC）
IRLL024NTRPBF	1.0000	RFQ	147	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		IRLL024		MOSFET （金属 o化物）			SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道						55 v	3.1a（ta）	4V，10V	65mohm @ 3.1a，10v	2V @ 250µA	15.6 NC @ 5 V	±16V	510 pf @ 25 V	-	1W（ta）
F4150R17ME4B11BPSA2	295.4880	RFQ	7879	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		F4150R				标准	Ag-Econod-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																								沟渠场停止	1700 v	230 a		2.3V @ 15V，150a				3 ma	不	12 nf @ 25 V
65DN06B02ELEMPRXPSA1	616.8400	RFQ	1809年	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	DO-200AB，B-PUK		65DN06		标准			BG-D-Elem-1	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	20		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	600 v	890 mv @ 8000 A	100 ma @ 600 V	180°C （最大）	15130a	-
BSP129H6906XTSA1	1.2000	RFQ	4	Infineon技术	SIPMOS™	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BSP129		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						240 v	350mA（ta）	0V，10V	6ohm @ 350mA，10v	1V @ 108µA	5.7 NC @ 5 V	±20V	108 pf @ 25 V	耗尽模式	1.8W（TA）
BC847PNH6433XTMA1	0.0886	RFQ	6968	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BC847			250MW		PG-SOT363-PO	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																										45V	100mA						15NA（icbo）			NPN，PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
IPW80R290C3AFKSA1	-	RFQ	3365	Infineon技术	*	管子	过时的					IPW80R						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240
BFP193E6327HTSA1	0.4500	RFQ	6	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA		BFP193			580MW		PG-SOT-143-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000					12db〜18dB																					12V	80mA									NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz	1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
IRFZ24NSTRR	-	RFQ	2864	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道						55 v	17a（TC）	10V	70mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
SIGC18T60NCX1SA5	-	RFQ	9698	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死		SIGC18	标准				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		过时的		1				300V，20a，13ohm，15V																					npt	600 v	20 a	60 a	2.5V @ 15V，20A	-		21NS/110NS
IRL3714pbf	-	RFQ	2152	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						20 v	36a（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	9.7 NC @ 4.5 V	±20V	670 pf @ 10 V	-	47W（TC）
IRG8P45N65UD1PBF	-	RFQ	7762	Infineon技术	-	管子	过时的					IRG8P						下载		不适用	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	25
SMBT 3904 E6433	1.0000	RFQ	7611	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6					330兆		PG-SC74-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																										40 V	200 ma						50NA（iCBO）			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
IM241M6S1BAUMA1	11.1400	RFQ	493	Infineon技术	CIPOS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	IGBT							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	500	3相逆变器					4 a	600 v	2000vrms
IRF7424Tr	-	RFQ	6868	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			P通道						30 V	11A（TC）	4.5V，10V	13.5mohm @ 11a，10v	2.5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	4030 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPB100N06S205ATMA4	-	RFQ	8865	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB100		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	100A（TC）	10V	4.7mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5110 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²