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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
IPG20N04S409AATMA1	0.6500	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	54W（TC）	PG-TDSON-8-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	503	2 n 通道（双）						40V	20A（TC）		8.6mohm @ 17a，10v	4V @ 22µA	28nc @ 10V		2250pf @ 25V	-
IPD12CN10N	-	RFQ	8149	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO252-3-313	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				100 v	67A（TC）	10V	12.4mohm @ 67a，10v	4V @ 83µA	65 NC @ 10 V	±20V	4320 PF @ 50 V	-	125W（TC）
BCR183WH6327	-	RFQ	6838	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR183			250兆	PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	7,123																											50 V	100 ma								100NA（ICBO）		pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
IPB26CN10N	-	RFQ	4443	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				100 v	35A（TC）	10V	26mohm @ 35a，10v	4V @ 39µA	31 NC @ 10 V	±20V	2070 pf @ 50 V	-	71W（TC）
BSP324L6327	0.2900	RFQ	147	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		PG-SOT223-4-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道				400 v	170mA（TA）	4.5V，10V	25ohm @ 170mA，10v	2.3V @ 94µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	154 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPI023NE7N3G	2.2800	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				75 v	120A（TC）		2.3MOHM @ 100A，10V	3.8V @ 273µA	206 NC @ 10 V		14400 PF @ 37.5 V	-	300W（TC）
IPB80N03S4L03	1.1000	RFQ	2	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	295			n通道				30 V	80A（TC）	4.5V，10V	3.7MOHM @ 80A，10V	2.2V @ 45µA	75 NC @ 10 V	±16V	5100 PF @ 25 V	-	94W（TC）
IPI50R250CP	1.1100	RFQ	10	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				500 v	13A（TC）	10V	250MOHM @ 7.8A，10V	3.5V @ 520µA	36 NC @ 10 V	±20V	1420 PF @ 100 V	-	114W（TC）
IPI126N10N3GXKSA1	0.6900	RFQ	10	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				100 v	58A（TC）	6V，10V	12.6mohm @ 46A，10V	3.5V @ 46µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	94W（TC）
BAW56E6433	0.0200	RFQ	110	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW56		标准		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度															1对公共阳极	80 V	200ma（dc）	1.25 V @ 150 mA	4 ns	150 na @ 70 V	150°C （最大）
BSZ049N03LSCGATMA1	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	5,000
IPI65R280C6	1.0700	RFQ	500	Infineon技术	Coolmos C6™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				650 v	13.8A（TC）	10V	280MOHM @ 4.4A，10V	3.5V @ 440µA	45 NC @ 10 V	±20V	950 pf @ 100 V	-	104W（TC）
BTC30010-1TAA	2.8900	RFQ	8	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）					PG至263-7-8	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1,000
SKB15N60	1.6200	RFQ	304	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB15N	标准		139 w	pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000					400V，15A，21OHM，15V																279 ns					npt	600 v	31 a	62 a	2.4V @ 15V，15a	570µJ	76 NC	32NS/234NS
SPI15N65C3	1.8100	RFQ	400	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	166			n通道				650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9.4a，10V	3.9V @ 675µA	63 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 25 V	-	156W（TC）
SPI20N60CFD	1.9300	RFQ	168	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	168			n通道				600 v	20.7A（TC）	10V	220MOHM @ 13.1A，10V	5V @ 1mA	124 NC @ 10 V	±20V	2400 PF @ 25 V	-	208W（TC）
SPW11N60S5	1.8800	RFQ	15	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		PG-TO247-3-21	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道				600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRFIRF7314PBF	-	RFQ	4372	Infineon技术	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BAR63-05E6433	0.0900	RFQ	3083	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	2,496				100 ma												250兆									0.3pf @ 5V，1MHz									引脚-1对普通阴极	50V		1 OHM @ 10mA，100MHz
BFS481H6327	1.0000	RFQ	8924	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363				175MW	PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1						20dB																					12V	20mA										2 NPN （双）		70 @ 5mA，8v	8GHz			0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
BAR6406WE6327	0.0700	RFQ	6	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323					SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma												250兆									0.35pf @ 20V，1MHz									PIN-单	150V		1.35OHM @ 100mA，100MHz
BFR750L3RHE6327	0.3200	RFQ	37	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				360MW	PG-TSLP-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	944						21dB																					4.7V	90mA										NPN		160 @ 60mA，3v	37GHz			0.6db〜1.1db @ 1.8GHz〜6GHz
BAS-70-02WE6327	-	RFQ	3446	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-80			肖特基		PG-SCD80-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																70 v		1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C	70mA	1.5pf @ 0v，1MHz
BAR6405WE6433	0.0300	RFQ	2222	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323					PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	7,000				100 ma												250兆									0.35pf @ 20V，1MHz									PIN-单	150V		1.35OHM @ 100mA，100MHz
BC849CE6327	-	RFQ	8276	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																											30 V	100 ma								15NA（icbo）		NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BC850CE6327	-	RFQ	9110	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆	PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																											45 v	100 ma								15NA（icbo）		NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BC856S E6433	0.0300	RFQ	8372	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BC856			250MW	SOT-363	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,666																											65V	100mA								15NA（icbo）		2 PNP （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BAS40-06B5000	0.0300	RFQ	137	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40		SIC （碳化硅）		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000		没有恢复t> 500mA（IO）															1对公共阳极	40 V	120mA（DC）	1 V @ 40 mA	0 ns	1 µA @ 30 V	150°C
BAS116E6327	-	RFQ	1619年	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																80 V		1.25 V @ 150 mA	1.5 µs	5 na @ 75 V	150°C （最大）	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BAS40B5000	0.0300	RFQ	90	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS40		肖特基		PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	10,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																40 V		1 V @ 40 mA		1 µA @ 30 V	150°C	120mA	3pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²