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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BC860CWE6327HTSA1	-	RFQ	1368	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC860				250兆		PG-SOT323	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																					45 v	100 ma									15NA（icbo）		PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
2N7002H6327XTSA2	0.3300	RFQ	173	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道								60 V	300mA（TA）	4.5V，10V	3ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA	0.6 NC @ 10 V	±20V	20 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BAR64-03WE6327	1.0000	RFQ	4531	Infineon技术	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		SC-76，SOD-323							PG-SOD323-2-1	下载					Ear99	8541.10.0070	1					100 ma															250兆														0.35pf @ 20V，1MHz											PIN-单	150V		1.35OHM @ 100mA，100MHz
IRFI540NPBF	1.8500	RFQ	10	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRFI540			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB全盘	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道								100 v	20A（TC）	10V	52MOHM @ 11a，10v	4V @ 250µA	94 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	54W（TC）
IRFR3504TRLPBF	-	RFQ	5510	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								40 V	30A（TC）	10V	9.2MOHM @ 30a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF7379TRPBF	-	RFQ	7519	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IRF737			MOSFET （金属 o化物）	2.5W		8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道										30V	5.8a，4.3a		45MOHM @ 5.8A，10V	1V @ 250µA	25nc @ 10V		520pf @ 25V	-
AUIRFR3504Z	-	RFQ	3217	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道								40 V	42A（TC）	10V	9mohm @ 42a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	1510 PF @ 25 V	-	90W（TC）
IPB25N06S3-25	-	RFQ	6174	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB25N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								55 v	25A（TC）	10V	24.8mohm @ 15a，10v	4V @ 20µA	41 NC @ 10 V	±20V	1862 PF @ 25 V	-	48W（TC）
IGW30N100TFKSA1	-	RFQ	8657	Infineon技术	Trechstop®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			412 w		pg-to247-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240							600V，30a，16ohm，15V																													沟渠场停止	1000 v	60 a	90 a	1.9V @ 15V，30a	3.8MJ	217 NC	33NS/535NS
D3041N65TXPSA1	2.0000	RFQ	2325	Infineon技术	-	托盘	积极的			底盘安装	do-200ae	D3041N65			标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										6500 v	1.7 V @ 4000 A		100 ma @ 6500 V	-40°C〜160°C	4090a	-
IRGB4B60KPBF	-	RFQ	8723	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRGB4B	标准			63 W		TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000							400V，4A，100OHM，15V																													npt	600 v	12 a	24 a	2.5V @ 15V，4A	130µJ（在）上，83µJ（OFF）	12 nc	22NS/100NS
AIKQ100N60CTXKSA1	15.3400	RFQ	4358	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	不适合新设计		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	AIKQ100	标准			714 w		PG-TO247-3-46	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30							400V，100A，3.6ONM，15V																													沟渠场停止	600 v	160 a	400 a	2V @ 15V，100a	3.1mj（在）上，2.5MJ off）	610 NC	30NS/290NS
irlu3110zpbf	1.8400	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU3110			MOSFET （金属 o化物）			IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道								100 v	42A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 38a，10v	2.5V @ 100µA	48 NC @ 4.5 V	±16V	3980 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRGP6660DPBF	-	RFQ	9183	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准			330 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25							400V，48a，10ohm，15V																							70 ns						-	600 v	95 a	144 a	1.95V @ 15V，48a	600µJ（在）上，1.3mj off）	95 NC	60ns/155ns
D2200N20TVFXPSA1	366.6775	RFQ	5299	Infineon技术	-	托盘	上次购买			夹紧	do-200 ac，k-puk	D2200N20			标准			BG-D7526K0-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	4		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																													150 ma @ 2000 V	-40°C〜160°C	2200a	-
IPB100N06S3-04	-	RFQ	6238	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB100N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								55 v	100A（TC）	10V	4.1MOHM @ 80A，10V	4V @ 150µA	314 NC @ 10 V	±20V	14230 PF @ 25 V	-	214W（TC）
IRD3CH11DD6	-	RFQ	9465	Infineon技术	-	大部分	过时的					IRD3CH11							下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1
IPI80N06S3L-05	-	RFQ	9580	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道								55 v	80A（TC）	5V，10V	4.8mohm @ 69a，10v	2.2V @ 115µA	273 NC @ 10 V	±16V	13060 pf @ 25 V	-	165W（TC）
IRLR7843Tr	-	RFQ	3462	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道								30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）
BF5020WE6327HTSA1	-	RFQ	9636	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	SC-82A，SOT-343	BF5020		800MHz	MOSFET			PG-SOT343-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			25mA				10 MA	-	26dB																	1.2dB																	5 v
SGB15N60	1.1300	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	SGB15N	标准			139 w		pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1							400V，15A，21OHM，15V																													npt	600 v	31 a	62 a	2.4V @ 15V，15a	570µJ	76 NC	32NS/234NS
IRFSL4020PBF	-	RFQ	1861年	Infineon技术	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001565208	Ear99	8541.29.0095	50			n通道								200 v	18A（TC）	10V	105mohm @ 11a，10v	4.9V @ 100µA	29 NC @ 10 V	±20V	1200 PF @ 50 V	-	100W（TC）
IRL3402STRL	-	RFQ	9487	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道								20 v	85A（TC）	4.5V，7V	8mohm @ 51a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	78 NC @ 4.5 V	±10V	3300 PF @ 15 V	-	110W（TC）
T2600N16TOFVTXPSA1	767.9700	RFQ	2	Infineon技术	-	托盘	积极的		135°C（TJ）	底盘安装	TO-200AD	T2600N					单身的		下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2						300 MA															1.8 kV	4100 a	2 v	44000a @ 50Hz	250 MA	2610 a									1 scr
T560N16TOCMODXPSA1	-	RFQ	8458	Infineon技术	*	托盘	过时的					T560N							-		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
IRF100P218XKMA1	-	RFQ	8939	Infineon技术	strongirfet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRF100			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			n通道								100 v	209a（TC）	6V，10V	1.28mohm @ 100A，10V	3.8V @ 278µA	555 NC @ 10 V	±20V	25000 PF @ 50 V	-	556W（TC）
IRF7241	-	RFQ	9448	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95			P通道								40 V	6.2a（ta）	4.5V，10V	41MOHM @ 6.2A，10V	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3220 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
BCR573E6433HTMA1	0.0838	RFQ	3970	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR573				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																					50 V	500 MA									100NA（ICBO）		pnp-预先偏见	300mv @ 2.5mA，50mA	70 @ 50mA，5V	150 MHz	1 kohms	10 kohms
AUIRFS3207Z	-	RFQ	9197	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520616	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道								75 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 75A，10V	4V @ 150µA	170 NC @ 10 V	±20V	6920 PF @ 50 V	-	300W（TC）
SIDC30D120F6X1SA2	-	RFQ	3311	Infineon技术	-	大部分	在sic中停产			表面安装	死	sidc30d			标准			锯箔	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																										1200 v	2.1 V @ 35 A		27 µA @ 1200 V	-55°C〜150°C	35a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²