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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BAV74E6327	0.0200	RFQ	4900	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV74	标准				TO-236AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		1对普通阴极	50 V	215ma（dc）	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	150°C （最大）
BCR183WE6327	-	RFQ	9196	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR183		250兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																													50 V	100 ma		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	10 kohms
TTW3C145N16LOF	143.9200	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块	TTW3C145			桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1				200 ma											1.4 kV	120 a	2.5 v	12500a	150 ma								6 scr
BCR10PNH6730	-	RFQ	8007	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR10		250MW			PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	10,000																													50V	100mA		100NA（ICBO）			1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	130MHz	10KOHMS	10KOHMS
IPD60R600CP	0.6600	RFQ	14	Infineon技术	Coolmos™CP	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		600 v	6.1A（TC）	10V	600mohm @ 3.3a，10v	3.5V @ 220µA	27 NC @ 10 V	±20V	550 pf @ 100 V	-	60W（TC）
BSL207NL6327	-	RFQ	3507	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	BSL207	MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-TSOP6-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	1,124	2 n 通道（双）				20V	2.1a		70MOHM @ 2.1a，4.5V	1.2V @ 11µA	2.1nc @ 4.5V		419pf @ 10V	逻辑级别门
IPB65R380C6	0.9200	RFQ	3	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		650 v	10.6A（TC）	10V	380MOHM @ 3.2A，10V	3.5V @ 320µA	39 NC @ 10 V	±20V	710 PF @ 100 V	-	83W（TC）
BSD314SPE L6327	-	RFQ	5959	Infineon技术	Optimos™-P 3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT363-6-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	790			P通道		30 V	1.5A（TA）	4.5V，10V	140MOHM @ 1.5A，10V	2V @ 6.3µA	2.9 NC @ 10 V	±20V	294 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
BCR196E6327	0.0400	RFQ	60	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR196		200兆			PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	8,013																													50 V	70 MA		100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	150 MHz	47科姆斯	22 KOHMS
BSC150N03LD	0.4000	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC150	MOSFET （金属 o化物）	26W			PG-TDSON-8-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）				30V	8a		15mohm @ 20a，10v	2.2V @ 250µA	6.4NC @ 10V		1100pf @ 15V	逻辑级别门
BSC8899N03MS	0.2700	RFQ	4	Infineon技术	Optimos®3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-6	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1			n通道		30 V	（13A）（ta），45a（tc）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	16 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
IPB65R420CFD	0.8100	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		650 v	8.7A（TC）	10V	420MOHM @ 3.4A，10V	4.5V @ 300µA	31.5 NC @ 10 V	±20V	870 pf @ 100 V	-	83.3W（TC）
BCR185SE6327	0.0300	RFQ	6018	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	9,000
TTW3C115N16LOFHOSA1	189.2200	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块				桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1				200 ma											1.6 kV	75 a	2.5 v	720a @ 50Hz	150 ma								6 scr
BCR108WH6433	0.0500	RFQ	40	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	BCR108		250兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	7,123																													50 V	100 ma		100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
BUZ331	2.2800	RFQ	215	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BCX54-16E6327	0.0800	RFQ	105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2 w			PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1																													45 v	1 a		100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
BCX51E6327	0.0900	RFQ	67	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2 w			PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1																													45 v	1 a		100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	125MHz
BUZ102SL	-	RFQ	5703	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		55 v	47A（TC）	4.5V，10V	18mohm @ 33a，10v	2V @ 90µA	90 NC @ 10 V	±14V	1730 pf @ 25 V	-	120W（TC）
IPP80N06S2L-06	1.0000	RFQ	9133	Infineon技术	*	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		55 v	80A（TC）	4.5V，10V	6.3mohm @ 69a，10v	2V @ 180µA	150 NC @ 10 V	±20V	3800 PF @ 25 V	-	250W（TC）
BUZ73AE3046	0.4200	RFQ	9834	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	500			n通道		200 v	5.5A（TC）	10V	600MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	530 pf @ 25 V	-	40W（TC）
BCX68-16	-	RFQ	4575	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			3 W			PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	3,000																													20 v	1 a		100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	100 @ 500mA，1V	100MHz
BUZ355	-	RFQ	8673	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	4
BCX56E6327	1.0000	RFQ	8697	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2 w			PG-SOT89-4-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	1,000																													80 V	1 a		100NA（ICBO）				500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
BCX69-25E6327HTSA1	0.1400	RFQ	5	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			3 W			PG-SOT89	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,077																													20 v	1 a		100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	160 @ 500mA，1V	100MHz
BUZ323	3.0100	RFQ	10	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BC807-40E6433	0.0300	RFQ	5802	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆			PG-SOT23-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1,799																													45 v	500 MA		100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	200MHz
DDB2U30N08VRBOMA1307	1.0000	RFQ	6912	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块			20兆		标准	模块	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	3独立																											-	600 v	25 a	2.55V @ 15V，20A	1 MA	是的	880 pf @ 25 V
DD800S17HA_B2	493.0700	RFQ	18	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1
BUZ103SL	-	RFQ	6772	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²