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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IM828XCCXKMA1	167.7600	RFQ	3456	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的			通过洞	24-PowerDip 模块（1.094英寸，27.80mm）	IGBT	IM828								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	14	3相逆变器									35 a	1.2 kV	2500vrms
FS20R06XL4BOMA1	-	RFQ	8880	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FS20R06				89 w		标准	Ag-Easy750-1	-		供应商不确定	到达不受影响	SP000100283	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																																					-	600 v	26 a		2.55V @ 15V，20A					5 ma	是的	900 pf @ 25 V
TD250N14KOFHPSA1	-	RFQ	1921年	Infineon技术	-	托盘	过时的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		TD250N14					系列连接 -SCR/二极管			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3					300 MA																		1.8 kV	410 a	2 v	8000a @ 50Hz	200 ma	250 a									1 sc，1二极管
FF600R12KE7BPSA1	310.8200	RFQ	2224	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块		FF600R12						标准	Ag-62mmhb	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器																																					沟渠场停止	1200 v	600 a		1.75V @ 15V，600A					100 µA	不	92.3 NF @ 25 V
SPB11N60S5ATMA1	-	RFQ	1107	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		SPB11N			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）
BSC0902NSIATMA1	1.2400	RFQ	28	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC0902			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道										30 V	（23A）（TA），100A （TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 30a，10v	2V @ 10mA	32 NC @ 10 V	±20V	1500 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
FP35R12KT4BPSA1	119.9300	RFQ	38	Infineon技术	Econopim™2	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FP35R12				210 w		三相桥梁整流器	Ag-Econo2-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																					沟渠场停止	1200 v	25 a		2.25V @ 15V，35a					1 MA	是的	2 NF @ 25 V
gateleadwhrd762xpsa1	29.6100	RFQ	6916	Infineon技术	-	托盘	积极的			-	-		Gateleadwhrd762			-				-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			0000.00.0000	1		-																																-	-	-
IPD60R170CFD7ATMA1	3.2500	RFQ	6174	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		ipd60r			MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道										600 v	14A（TC）	10V	170mohm @ 6a，10v	4.5V @ 300µA	28 NC @ 10 V	±20V	1199 PF @ 400 V	-	76W（TC）
BAT62-02WE6327	-	RFQ	3164	Infineon技术	*	大部分	积极的														-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000
FF1800R17IP5BPSA1	1.0000	RFQ	8	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FF1800						标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	半桥逆变器																																					沟渠场停止	1200 v	300 a		2.15V @ 15V，300A					5 ma	不	21 nf @ 25 V
IGW08T120FKSA1	3.6300	RFQ	240	Infineon技术	Trechstop®	管子	不适合新设计		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IGW08T120	标准			70 W			PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30						600V，8a，81ohm，15V																																NPT，沟渠场停止	1200 v	16 a	24 a	2.2V @ 15V，8a	1.37MJ	53 NC	40NS/450NS
SMBT 3906 E6767	-	RFQ	5600	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		SMBT 3906				330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																																							40 V	200 ma							50NA（iCBO）			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
IPB60R199CPATMA1	4.6000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB60R199			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道										600 v	16A（TC）	10V	199mohm @ 9.9a，10V	3.5V @ 660µA	43 NC @ 10 V	±20V	1520 PF @ 100 V	-	139W（TC）
IRFZ48ZPBF	-	RFQ	7183	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道										55 v	61A（TC）	10V	11mohm @ 37a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1720 PF @ 25 V	-	91W（TC）
FF600R12KE4PBOSA1	322.8400	RFQ	3	Infineon技术	c	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FF600R12						标准	AG-62mm-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	2独立																																					沟渠场停止	1200 v	600 a		2.2V @ 15V，600A					5 ma	不	38 nf @ 25 V
BSD235N L6327	-	RFQ	3190	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™2	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BSD235			MOSFET （金属 o化物）	500MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）												20V	950mA		350MOHM @ 950mA，4.5V	1.2V @ 1.6µA	0.32NC @ 4.5V		63pf @ 10V	逻辑级别门
FF300R17ME4PB11BPSA1	269.0100	RFQ	8020	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FF300R17				20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥																																					沟渠场停止	1700 v	600 a		2.3V @ 15V，300A					3 ma	是的	24.5 nf @ 25 V
IRG8P50N120KD-EPBF	-	RFQ	2315	Infineon技术	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IRG8P	标准			350 w			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001546104	Ear99	8541.29.0095	25						600V，35A，5OHM，15V																										170 ns						-	1200 v	80 a	105 a	2V @ 15V，35a	2.3MJ（在）上，1.9MJ off）	315 NC	35NS/190NS
FD600R17KE3KB5NOSA1	-	RFQ	6823	Infineon技术	EasyPack™	大部分	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FD600R17				4300 w		标准	模块	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单菜器																																					-	1700 v			2.45V @ 15V，600A					5 ma	不	54 NF @ 25 V
IPC60R037P7X7SA1	-	RFQ	9686	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	-		IPC60			-				-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			-											-	-	-	-		-		-	-
AUIRFN8458TR	2.5300	RFQ	8841	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		AUIRFN8458			MOSFET （金属 o化物）	34W（TC）			PQFN（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）												40V	43A（TC）		10mohm @ 26a，10v	3.9V @ 25µA	33nc @ 10V		1060pf @ 25V	-
IRLR3114ZPBF	-	RFQ	8968	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001568538	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道										40 V	42A（TC）	4.5V，10V	4.9MOHM @ 42A，10V	2.5V @ 100µA	56 NC @ 4.5 V	±16V	3810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
D690S26TXPSA1	-	RFQ	6315	Infineon技术	-	大部分	过时的			夹紧	DO-200AB，B-PUK		D690S26			标准				-	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																												2600 v	2.7 V @ 3000 A	9 µs	25 ma @ 2600 V	-40°C〜150°C	690a	-
IPA320N20NM3SXKSA1	2.6400	RFQ	4901	Infineon技术	Optimos™3	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPA320			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道										200 v	26a（TC）	10V	32mohm @ 26a，10v	4V @ 89µA	30 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 100 V	-	38W（TC）
IAUTN06S5N008TATMA1	6.9100	RFQ	7241	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的														-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				1,800
F3L25R12W1T4B27BOMA1	37.8700	RFQ	7491	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		F3L25R12				215 w		标准	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	半桥																																					-	1200 v	45 a		2.25V @ 15V，25a					1 MA	是的	1.45 NF @ 25 V
IRF8313TRPBF	0.9000	RFQ	39	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF8313			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	2 n 通道（双）												30V	9.7a		15.5MOHM @ 9.7A，10V	2.35V @ 25µA	9NC @ 4.5V		760pf @ 15V	逻辑级别门
PTFA181001FV4XWSA1	-	RFQ	3776	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	2-flatpack，鳍铅，法兰		PTFA181001		1.88GHz	ldmos				H-37248-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				1µA			750 MA	100W	16.5db																				-																	28 V
PTFA190451EV4XWSA1	-	RFQ	7446	Infineon技术	-	托盘	过时的	65 v		表面安装	H-36265-2		PTFA190451		1.96GHz	ldmos				H-36265-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				10µA			450 MA	11W	17.5db																				-																	28 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²