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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
ISP98DP10LMXTSA1	0.8200	RFQ	9168	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP98D	MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		100 v	（930ma）（ta），1.55a （TC）	4.5V，10V	980MOHM @ 900mA，10V	2V @ 165µA	7.2 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 50 V	-	1.8W（ta），5W（tc）
ISC030N10NM6ATMA1	3.4200	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC030N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8 FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	21a（21A），179a （TC）	8V，10V	3mohm @ 50a，10v	3.3V @ 109µA	69 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 50 V	-	（3W）（TA），208W（tc）
IPB19DP10NMATMA1	2.2400	RFQ	975	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB19D	MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道		100 v	2.9a（ta），13.8a tc）	10V	185mohm @ 12a，10v	4V @ 1.04mA	45 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），83W（tc）
DF450R17N2E4PB11BDLA1	103.6600	RFQ	84	Infineon技术	*	大部分	积极的				DF450						-		供应商不确定	供应商不确定	2156-DF450R17N2E4PB11BDLA1-448			1
FS75R12KT4B15BOSA1	-	RFQ	4003	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FS75R12KT4B15BOSA1-448			1
F4150R17ME4B11BPSA2	295.4880	RFQ	7879	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F4150R				标准	Ag-Econod-6	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	完整的桥梁逆变器																				沟渠场停止	1700 v	230 a	2.3V @ 15V，150a	3 ma	不	12 nf @ 25 V
IAUC26N10S5L245ATMA1	0.5973	RFQ	1870年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	26a（TJ）	4.5V，10V	24.5MOHM @ 13A，10V	2.2V @ 13µA	12 nc @ 10 V	±20V	762 PF @ 50 V	-	40W（TC）
FZ1200R45HL3S7BPSA1	2.0000	RFQ	6501	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ1200		2400000 w		标准	AG-IHVB190	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																				沟渠场停止	5900 v	1200 a	2.8V @ 15V，1.2KA	5 ma	不	280 NF @ 25 V
FS75R12KE3BPSA1	143.2800	RFQ	4271	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS75R12		350 w		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	完整的桥梁逆变器																				-	1200 v	105 a	2.15V @ 15V，75a	5 ma	是的	5.3 nf @ 25 V
FS100R07N2E4BPSA1	136.6000	RFQ	5677	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS100R07		335 w		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																				沟渠场停止	650 v	100 a	1.95V @ 15V，100a	1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
ISC011N06LM5ATMA1	4.0900	RFQ	4	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC011N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-17	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		60 V	37A（TA），288A （TC）	4.5V，10V	1.15MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 116µA	170 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 30 V	-	3W（3W），188w（tc）
FS50R17KE3B17BPSA1	179.0947	RFQ	3428	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FS50R17		345 w		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																				沟渠场停止	1700 v	82 a	2.45V @ 15V，50a	1 MA	不	4.5 nf @ 25 V
IFF600B12ME4B11BPSA1	392.9980	RFQ	2449	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	IFF600		20兆		标准	Ag-Econod-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	半桥逆变器																				沟渠场停止	1200 v	600 a	2.1V @ 15V，600A	3 ma	是的	37 NF @ 25 V
FS03MR12A6MA1BBPSA1	2.0000	RFQ	5382	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FS03MR12	（SIC）	20mw			Ag-Hybridd-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	6 n通道（3相桥）			1200V（1.2kV）	400A（TJ）		3.7MOHM @ 400A，15V	5.55V @ 240mA	1320nc @ 15V		42500pf @ 600V	-
IQE065N10NM5CGATMA1	2.9300	RFQ	9	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN	IQE065N	MOSFET （金属 o化物）				PG-TTFN-9-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		100 v	（14a）（ta），85a tc（TC）	6V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	3.8V @ 48µA	42 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 50 V	-	2.5W（TA），100W（TC）
IAUC50N08S5N102ATMA1	0.6636	RFQ	8176	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道		80 V	50a（TJ）	6V，10V	10.2MOHM @ 25A，10V	3.8V @ 24µA	21 NC @ 10 V	±20V	1394 PF @ 40 V	-	60W（TC）
DDB6U84N16RRBPSA1	110.7100	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	150°C（TJ）	底盘安装	模块	DDB6U8		350 w		标准	Ag-econo2a	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单菜器																				-	1200 v	50 a	3.2V @ 20V，50a	1 MA	不	3.3 NF @ 25 V
FF1500R17IP5RBPSA1	2.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1500R		20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																				沟渠场停止	1700 v	1500 a	2.2V @ 15V，1.5KA	10 MA	是的	88 nf @ 25 V
TT700N22KoftimHPSA1	510.0700	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的	135°C（TJ）	底盘安装	模块	TT700N			系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2			300 MA											2.2 kV	1050 a	2.2 v	20400a @ 50Hz	250 MA	700 a	2 scr
DDB6U180N16RRB37BPSA1	167.7600	RFQ	14	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DDB6U180		20兆		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单菜器																				沟渠场停止	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，100a	1 MA	是的	6.2 NF @ 25 V
DDB6U134N16RRB11BPSA2	107.6700	RFQ	15	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	DDB6U134		400 w		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单菜器																				-	1200 v	125 a	2.6V @ 15V，75a	1 MA	是的	5.1 NF @ 25 V
FS200R12W3T7B11BPSA1	191.6200	RFQ	8	Infineon技术	*	托盘	积极的				FS200R12						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8
FP75R12W3T7B11BPSA1	152.9200	RFQ	8	Infineon技术	*	托盘	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8
FF2400RB12IP7PBPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-	-	-	FF2400R				标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																				-	750 v	2400 a	-		不
FF600R12ME7B11BPSA2	337.7200	RFQ	6522	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12		20兆		标准	ag-econod	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																				沟渠场停止	1200 v	600 a	1.75V @ 15V，600A	35 µA	是的	92 NF @ 25 V
DDB6U104N16RRBPSA1	104.0400	RFQ	15	Infineon技术	-	托盘	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	模块	DDB6U104		20兆		标准	Ag-Econo2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	单菜器																				-	1200 v	50 a	2.8V @ 15V，50a	1 MA	是的	3.3 NF @ 25 V
FP35R12W2T7BPSA1	67.3800	RFQ	8795	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP35R12		20兆		三相桥梁整流器	Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																				沟渠场停止	1200 v	35 a	-	5.8 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
FP25R12W2T7BPSA1	61.1600	RFQ	30	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP25R12		20兆		三相桥梁整流器	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																				沟渠场停止	1200 v	25 a	-	5.6 µA	是的	4.77 NF @ 25 V
FF2400RB12IP7BPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-	-	-	FF2400R				标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																				-	750 v	2400 a	-		不
FP15R12W1T7BOMA1	48.8700	RFQ	18	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP15R12		20兆		三相桥梁整流器	Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																				沟渠场停止	1200 v	15 a	-	3 µA	是的	2.82 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²