RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
IRLZ34NL	-	RFQ	4254	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRLZ34NL	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	30A（TC）	4V，10V	35mohm @ 16a，10v	2V @ 250µA	25 NC @ 5 V	±16V	880 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），68w（tc）
BCR48PNH6327	-	RFQ	6621	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR48		250MW		PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																			50V	70mA				100NA（ICBO）				1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	100MHz	47KOHM，2.2KOHM	47kohms
Auirfr5505trl	-	RFQ	1243	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519572	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					55 v	18A（TC）	10V	110MOHM @ 9.6a，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 25 V	-	57W（TC）
IPD65R950CFDATMA1	0.6380	RFQ	5512	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD65R950	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					650 v	3.9a（TC）	10V	950MOHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 200µA	14.1 NC @ 10 V	±20V	380 pf @ 100 V	-	36.7W（TC）
Auirfr2905ztrl	1.0061	RFQ	7027	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR2905	MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520228	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					55 v	42A（TC）	10V	14.5mohm @ 36a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BSS225	-	RFQ	7489	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT89	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	90mA（ta）	4.5V，10V	45ohm @ 90mA，10v	2.3V @ 94µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	131 PF @ 25 V	-	1W（ta）
SPB80N04S2-H4	-	RFQ	3858	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		SPB80N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					40 V	80A（TC）	10V	4mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	148 NC @ 10 V	±20V	5890 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IRFH7184TRPBF	-	RFQ	5846	Infineon技术	fastirfet™，hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PQFN（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001570944	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					100 v	20A（20A），128A （TC）	10V	4.8mohm @ 50a，10v	3.6V @ 150µA	54 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 50 V	-	3.9W（TA），156W（tc）
FZ800R33KF2CS1NDSA1	-	RFQ	1580	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块		FZ800		9600 w	标准	-	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																	-	3300 v	1 a	4.25V @ 15V，800A			5 ma	不	100 nf @ 25 V
IMBG65R260M1HXTMA1	6.2300	RFQ	235	Infineon技术	COOLSIC™M1	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA		IMBG65R	sicfet （碳化硅）			PG-TO263-7-12	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					650 v	6A（TC）	18V	346MOHM @ 3.6A，18V	5.7V @ 1.1mA	6 NC @ 18 V	+23V，-5V	201 pf @ 400 V	-	65W（TC）
SPD50P03LGXT	-	RFQ	2208	Infineon技术	Optimos®-P	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-5，DPAK（ + 4 +选项卡，TO-252AD		SPD50P	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-5	-		3（168））	到达不受影响	SP000086729	Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道					30 V	50A（TC）	4.5V，10V	7mohm @ 50a，10v	2V @ 250µA	126 NC @ 10 V	±20V	6880 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IPB80N06S2L11ATMA1	-	RFQ	4839	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB80N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					55 v	80A（TC）	4.5V，10V	10.7MOHM @ 60a，10v	2V @ 93µA	80 NC @ 10 V	±20V	2075 PF @ 25 V	-	158W（TC）
IRAMS06UP60B-2	-	RFQ	9914	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期			6 a	600 v	2000vrms
IPF04N03LA	-	RFQ	9074	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPF04N	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-23	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					25 v	50A（TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 50a，10v	2V @ 30µA	41 NC @ 5 V	±20V	5199 PF @ 15 V	-	115W（TC）
BDP948H6327XTSA1	0.5094	RFQ	6818	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BDP948		5 w		PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																			45 v	3 a				100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 200mA，2a	85 @ 500mA，1V	100MHz
IPB60R125CPATMA1	7.4000	RFQ	1	Infineon技术	Coolmos™CP	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB60R125	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道					600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	208W（TC）
IM241S6S1JALMA1	7.4179	RFQ	3186	Infineon技术	CIPOS™	管子	积极的		表面安装	23-PowersMD模块	IGBT						-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	240	3相逆变器			4 a	600 v	2000vrms
AUIRFR024N	-	RFQ	3717	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		AUIRFR024	MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					55 v	17a（TC）	10V	75mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	370 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRFH5210TR2PBF	-	RFQ	5309	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400		n通道					100 v	10a（10A），55A（tc）		14.9mohm @ 33a，10v	4V @ 100µA	59 NC @ 10 V		2570 pf @ 25 V	-
BAR63-05E6327	-	RFQ	1808年	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						PG-SOT23	下载					Ear99	8541.10.0070	1			100 ma													250兆	0.3pf @ 5V，1MHz					引脚-1对普通阴极	50V				-
IPA60R650CEE8210XKSA1	-	RFQ	8037	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	-			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	9.9a（TC）	10V	650MOHM @ 2.4A，10V	3.5V @ 200µA	20.5 NC @ 10 V	±20V	440 pf @ 100 V	-	28W（TC）
IRAMS10UP60B	-	RFQ	7173	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的		通过洞	23-Powersip模块，19条线索，形成铅	IGBT						下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	80	3期			10 a	600 v	2000vrms
IPP032N06N3GHKSA1	-	RFQ	5532	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IPP032N	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000453612	Ear99	8541.29.0095	500		n通道					60 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 118µA	165 NC @ 10 V	±20V	13000 PF @ 30 V	-	188W（TC）
BFN18H6327XTSA1	0.2440	RFQ	5050	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BFN18		1.5 w		PG-SOT89	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																			300 v	200 ma				100NA（ICBO）				NPN	500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz
FS400R07A1E3S7BOMA1	360.8100	RFQ	15	Infineon技术	HybridPack™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FS400R07		1250 w	三相桥梁整流器	Ag-Hybrid1-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	16	完整的桥梁逆变器																	沟渠场停止	705 v	500 a	1.7V @ 15V，400A			100 µA	是的	28 NF @ 25 V
IPD70R1K4CEAUMA1	0.8200	RFQ	2771	Infineon技术	CoolMos™CE	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD70	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					700 v	5.4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1A，10V	3.5V @ 130µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	53W（TC）
IRF7465TRPBF	1.0800	RFQ	7	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF7465	MOSFET （金属 o化物）			8-so	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道					150 v	1.9a（ta）	10V	280MOHM @ 1.14A，10V	5.5V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±30V	330 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPI80N04S3-04	-	RFQ	8281	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	370
BC817K-16WH6327	-	RFQ	3355	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323		BC817		500兆		PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000																			45 v	500 MA				100NA（ICBO）					700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
IRL2505STRRPBF	-	RFQ	7924	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	104a（TC）	4V，10V	8mohm @ 54a，10v	2V @ 250µA	130 NC @ 5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），200W（（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²