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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BAS70-05B5003	0.0300	RFQ	30	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS70		肖特基			PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对普通阴极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA		100 na @ 50 V	150°C
BAT17-06WE6327	0.0700	RFQ	6	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323						PG-SOT323-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000				130 MA											150兆								0.75pf @ 0v，1MHz									肖特基 -1对公共阳极	4V				15 @ @ 5mA，10kHz
BAT54-06E6327	0.0500	RFQ	163	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAT54		肖特基			PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对公共阳极	30 V	200ma（dc）	800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	150°C
BCM846SH6327	-	RFQ	5606	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCM846			250MW		PG-SOT363-6-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1,900																									65V	100mA								15NA（icbo）				2 NPN （双）	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	250MHz
BSC240N12NS3G	-	RFQ	3584	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			120 v	37A（TC）	10V	24mohm @ 31a，10v	4V @ 35µA	27 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 60 V	-	66W（TC）
BSC882N03LSG	-	RFQ	3996	Infineon技术	Optimos™3 m	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			34 v	-	10V	4.2MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA		±20V	3700 PF @ 15 V	-	-
BCR 141S H6327	0.0700	RFQ	9	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BCR 141			250MW		PG-SOT363-6	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	4,116																									50V	100mA								-				2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	50 @ 5mA，5v	130MHz	22KOHMS	22KOHMS
BSC883N03LSG	-	RFQ	7898	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			34 v	17a（17a），98a （TC）	4.5V，10V	3.8mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），57W（TC）
BSC886N03LSG	-	RFQ	6367	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			30 V	（13A）（65A）（65A）（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 15 V	-	2.5W（TA），39W（tc）
BCP72M	1.0000	RFQ	7779	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	3,000
BSB053N03LPG	0.4000	RFQ	5	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	3-wdson			MOSFET （金属 o化物）			MG-WDSON-2，CANPAK M™	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			30 V	（17a）（ta），71a（tc）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	2700 pf @ 15 V	-	2.3W（ta），42W（（（TC）
BAT17-04WH6327	0.0900	RFQ	33	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323						PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000				130 MA											150兆								0.7pf @ 0v，1MHz									肖特基 -1对系列连接	4V				15欧姆 @ 5mA，1MHz
FZ800R12KF5NOSA1	640.9100	RFQ	92	Infineon技术	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BAT1707E6327	-	RFQ	2036	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000
BAT15-05WH6327XTSA3	0.2000	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323						PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000				110 MA											100兆								0.5pf @ 0v，1MHz									肖特基 -1对普通阴极	4V				5.5OHM @ 50mA，1MHz
BAT1805E6327HTSA1	0.1700	RFQ	50	Infineon技术	BAT18	大部分	积极的	150°C（TJ）		TO-236-3，SC-59，SOT-23-3						PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma																			1pf @ 20V，1MHz									引脚-1对普通阴极	35V				700MOHM @ 5mA，200MHz
BCP49	0.1300	RFQ	31	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				1.5 w		PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0075	2,308																									60 V	500 MA								100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	200MHz
FZ1600R17KF6CB2S1NOSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				10500 w	标准	AG-IHMB130-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																							沟渠场停止	1700 v	1600 a		2.25V @ 15V，1.6KA						5 ma	不	130 nf @ 25 V
BAS7004E6327	0.0800	RFQ	8739	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS7004		肖特基			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度														1对系列连接	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 mA	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）
SPU03N60S5IN	0.5100	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
SPP02N80C3	-	RFQ	6644	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			800 v	2A（TC）	10V	2.7OHM @ 1.2A，10V	3.9V @ 120µA	16 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 100 V	-	42W（TC）
TDB6HK180N16RRB21BOSA1	130.0000	RFQ	6817	Infineon技术	*	大部分	积极的										-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8541.30.0080	2
BSC200P03LSG	0.4300	RFQ	13	Infineon技术	Optimos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			P通道			30 V	9.9a（ta），12.5a tc）	10V	20mohm @ 12.5a，10v	1V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
SMBTA56E6433	0.0400	RFQ	125	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	6,709																									80 V	500 MA								100NA				PNP	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
BSS88	1.0000	RFQ	3605	Infineon技术	-	大部分	积极的				BSS8						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
BSP373L6327	-	RFQ	8832	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			100 v	1.7A（TA）	10V	300MOHM @ 1.7A，10V	4V @ 1mA		±20V	550 pf @ 25 V	-	1.8W（TA）
SKP04N60	0.9500	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SKP04N	标准		50 W		pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1					400V，4A，67OHM，15V															180 ns				npt	600 v	9.4 a	19 a	2.4V @ 15V，4A	131µJ	24 NC	22NS/237NS
SPU01N60C3	0.4200	RFQ	147	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			600 v	800mA（TC）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.9V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	11W（TC）
SKW04N120FKSA1	-	RFQ	2817	Infineon技术	*	大部分	积极的				SKW04N						-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
SPI11N60S5	1.0700	RFQ	368	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			600 v	11A（TC）	10V	380MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 500µA	54 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²