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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF1010EZLPBF	-	RFQ	3388	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道							60 V	75A（TC）	10V	8.5MOHM @ 51A，10V	4V @ 100µA	86 NC @ 10 V	±20V	2810 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IRGB4710DPBF	-	RFQ	8565	Infineon技术	-	管子	过时的													下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001549640	Ear99	8541.29.0095	500
IRFR3910Trl	-	RFQ	1405	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							100 v	16A（TC）	10V	115mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 25 V	-	79W（TC）
IPB260N06N3G	-	RFQ	9984	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							60 V	27a（TC）	10V	25.7MOHM @ 27A，10V	4V @ 11µA	15 NC @ 10 V	±20V	1200 pf @ 30 V	-	36W（TC）
SKB06N60HSATMA1	-	RFQ	8253	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB06N	标准			68 w			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，6A，50OHM，15V																							100 ns						npt	600 v	12 a	24 a	3.15V @ 15V，6A	190µJ	33 NC	11NS/196NS
IPC90R500C3X1SA1	-	RFQ	5625	Infineon技术	-	大部分	过时的					IPC90R								-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000469914	过时的	0000.00.0000	1											-
CSD127BNPSA1	-	RFQ	2642	Infineon技术	-	托盘	过时的													-			到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
SPD30N08S2-22	-	RFQ	3504	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD30N			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道							75 v	30A（TC）	10V	21.5mohm @ 25a，10v	4V @ 80µA	57 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IDW30G65C5FKSA1	-	RFQ	6640	Infineon技术	COOLSIC™+	管子	在sic中停产			通过洞	TO-247-3	IDW30G65			SIC （碳化硅）				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）																									650 v	1.7 V @ 30 A	0 ns	1.1 ma @ 650 V	-55°C 〜175°C	30a	860pf @ 1V，1MHz
SPB08P06P	-	RFQ	4945	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB08P			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道							60 V	8.8a（ta）	10V	300mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 25 V	-	42W（TC）
2ED300C17STROHSBPSA1	188.1400	RFQ	9443	Infineon技术	eicedriver™	托盘	积极的		-40°C〜85°C	通过洞	模块	2ED300						标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	12	2独立																																		-	1700 v			-						不
IRL3803	-	RFQ	3065	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3803	Ear99	8541.29.0095	50			n通道							30 V	140a（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 71a，10v	1V @ 250µA	140 NC @ 4.5 V	±16V	5000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
BDP953H6327XTSA1	0.5094	RFQ	5006	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BDP953				5 w			PG-SOT223-4-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																																				100 v	3 a							100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，1V	100MHz
F3L75R07W2E3B11BOMA1	65.4400	RFQ	12	Infineon技术	EasyPack™	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块	F3L75R07				250 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																																		沟渠场停止	650 v	95 a		1.9V @ 15V，75a					1 MA	是的	4.6 NF @ 25 V
TT162N16KOFHPSA2	157.6900	RFQ	4140	Infineon技术	-	托盘	积极的		125°C（TJ）	底盘安装	模块						系列连接 -scr			下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	8					200 ma															1.6 kV	260 a	2 v	5200a @ 50Hz	150 ma	162 a									2 scr
SKB15N60E8151	1.4800	RFQ	1	Infineon技术	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SKB15N	标准			139 w			pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，15A，21OHM，15V																							279 ns						npt	600 v	31 a	62 a	2.4V @ 15V，15a	570µJ	76 NC	32NS/234NS
IRLU024NPBF	1.0600	RFQ	8933	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU024			MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道							55 v	17a（TC）	4V，10V	65mohm @ 10a，10v	2V @ 250µA	15 NC @ 5 V	±16V	480 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF7492TRPBF	-	RFQ	6318	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道							200 v	3.7a（ta）	10V	79mohm @ 2.2a，10v	2.5V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPW60R090CFD7XKSA1	6.9100	RFQ	128	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IPW60R090			MOSFET （金属 o化物）				pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道							600 v	25A（TC）	10V	90MOHM @ 11.4a，10V	4.5V @ 570µA	51 NC @ 10 V	±20V	2103 PF @ 400 V	-	125W（TC）
ISC037N12NM6ATMA1	4.9500	RFQ	2316	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISC037			MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8 FL	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道							120 v	19.2a（ta），163a （TC）	8V，10V	3.7MOHM @ 50a，10v	3.6V @ 111µA	58 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 60 V	-	（3W（ta），214w（tc）
IRFR18N15DTRLP	-	RFQ	4771	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001572838	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道							150 v	18A（TC）		125mohm @ 11a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V		900 pf @ 25 V	-
BSC020N03LSGATMA2	-	RFQ	3687	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的					BSC020								下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000959514		0000.00.0000	5,000
SP000681054	1.6300	RFQ	3	Infineon技术	*	大部分	积极的													下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-SP000681054-448			1
F3L11MR12W2M1B65BOMA1	-	RFQ	9105	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L11MR12				20兆		标准	Ag-Easy2bm-2	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器																																		沟	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，100a					40 µA	是的	7.36 NF @ 800 V
IPD50P03P4L11ATMA2	1.6400	RFQ	14	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos®-P2	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD50			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道							30 V	50A（TC）		10.5MOHM @ 50a，10v	2V @ 85µA	55 NC @ 10 V	+5V，-16V	3770 pf @ 25 V	-	58W（TC）
SPD30N03S2L-07 g	0.5200	RFQ	1	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-313	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道							30 V	30A（TC）	4.5V，10V	6.7MOHM @ 30a，10v	2V @ 85µA	68 NC @ 10 V	±20V	2530 pf @ 25 V	-	136W（TC）
IRLR8503TR	-	RFQ	9610	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道							30 V	44A（TC）	4.5V，10V	16mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	20 nc @ 5 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	62W（TC）
IDW75E60FKSA1	3.0100	RFQ	175	Infineon技术	-	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	IDW75E60			标准				PG-TO247-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																									600 v	2 V @ 75 A	121 ns	40 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	120a	-
BG3123E6327HTSA1	-	RFQ	5544	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	8 V		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363	BG3123		800MHz	MOSFET				PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）			25mA，20mA			14 ma	-	25DB																	1.8dB																	5 v
BF1009SE6327HTSA1	-	RFQ	7283	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	12 v		表面安装	TO-253-4，TO-253AA			800MHz	MOSFET				PG-SOT-143-3D	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道			25mA				-	22DB																	1.4dB																	9 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²