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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（ih）（IH））	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FF200R12MT4	1.0000	RFQ	4445	Infineon技术	EconoDual™2	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				1050 w		标准	Ag-Econod-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1	半桥																															沟渠场停止	1200 v	295 a		2.15V @ 15V，200a						1 MA	是的	14 NF @ 25 V
BFP450H6327	-	RFQ	5431	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				450MW			PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000							15.5db																										5V	100mA												NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
BAR63-03WE6433	0.0300	RFQ	2588	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323							pg-sod323-3d	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	7,000				100 ma													250兆													0.3pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
BAR6304WH6327	0.0600	RFQ	5	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323							PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	5,482				100 ma													250兆													0.3pf @ 5V，1MHz										引脚-1对系列连接	50V				-
BFP181E7764	0.0700	RFQ	4683	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA				175MW			PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	2,900							21dB																										12V	20mA												NPN		70 @ 70mA，8v	8GHz			0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
BFP450E6327	-	RFQ	1849年	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				450MW			PG-SOT343-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1							15.5db																										5V	100mA												NPN		60 @ 50mA，4V	24GHz			1.25dB @ 1.8GHz
AUIRFC8407TR	0.5200	RFQ	2	Infineon技术	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0040	1
BAL74E6327	-	RFQ	3017	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			标准				PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						50 V	1 V @ 100 ma	4 ns	100 na @ 50 V	-65°C〜150°C	250mA	2pf @ 0v，1MHz
BC849CWE6327	0.0200	RFQ	18	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				250兆			PG-SOT323-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	18,997																																	30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BAR50-03WE6327	0.0400	RFQ	36	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323							PG-SOD323-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma													250兆													0.4pf @ 5V，1MHz										PIN-单	50V				4.5OHM @ 10mA，100MHz
BA892-02VE6327	-	RFQ	1487	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523							PG-SC79-2	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma																										1.1pf @ 3V，1MHz										标准 -单个	35V				500MOHM @ 10mA，100MHz
BC847CWH6327	1.0000	RFQ	8620	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				250兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000																																	45 v	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
AUIRG35B60PD-E	1.0000	RFQ	4608	Infineon技术	*	大部分	积极的				Auirg35							-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
BC847CWH6778	0.0400	RFQ	93	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				250兆			PG-SOT323-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	7,378																																	45 v	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BC848AE6327	0.0300	RFQ	78	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	9,427																																	30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	250MHz
BAR63-05WH6327	-	RFQ	7995	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323							PG-SOT323-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma													250兆													0.3pf @ 5V，1MHz										引脚-1对普通阴极	50V				-
BFR193FH6327	0.0800	RFQ	99	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723				580MW			PG-TSFP-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000							19db																										12V	80mA												NPN		70 @ 30mA，8v	8GHz			1db〜1.6dB @ 900MHz〜1.8GHz
BAR65-02VH6327	-	RFQ	4071	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-79，SOD-523							PG-SC79-2-1	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0070	4,000				100 ma													250兆													0.8pf @ 3V，1MHz										PIN-单	30V				900MOHM @ 10mA，100MHz
BAR 63-06W H6327	-	RFQ	6988	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）		SC-70，SOT-323							SOT-323	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0070	3,000				100 ma													250兆													0.3pf @ 5V，1MHz										引脚-1对公共阳极	50V				1 OHM @ 10mA，100MHz
BFR949L3E6327	0.0900	RFQ	13	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-101，SOT-883				250MW			PG-TSLP-3-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,463							21.5db																										10V	50mA												NPN		100 @ 5mA，6v	9GHz			1db〜2.5db @ 1GHz
BFP843H6327	0.1700	RFQ	194	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343				125MW			SOT-343	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	3,000							24.5db																										2.25V	55mA												NPN		150 @ 15mA，1.8V	-			0.9db〜1.85db @ 450MHz〜10GHz
IPB093N04LG	0.3500	RFQ	17	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				PG至263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.3MOHM @ 50a，10v	2V @ 77µA	28 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 20 V	-	47W（TC）
SGB20N60E3045A	0.7700	RFQ	15	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB20N	标准		179 w			pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，20a，16ohm，15V																										npt	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，20A	（440µJ）（在330µJ上）	100 NC	36NS/225NS
BCR166E6327	1.0000	RFQ	3452	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR166			200兆			PG-SOT23-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	1																																	50 V	100 ma								100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	160 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
BCR158E6327	1.0000	RFQ	6105	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCR158			200兆			PG-SOT23-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0075	3,000																																	50 V	100 ma								100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
ttw3c115n16lof	107.4700	RFQ	381	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1					200 ma													1.6 kV	75 a	2.5 v	720a @ 50Hz	150 ma									6 scr
SN7002NE6327	-	RFQ	4665	Infineon技术	Sipmos®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT23-3-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道					60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	1.8V @ 26µA	1.5 NC @ 10 V	±20V	45 pf @ 25 V	-	360MW（TA）
TTB6C95N16LOF	102.7900	RFQ	239	Infineon技术	-	大部分	积极的	125°C（TJ）	底盘安装	模块					桥梁，三相 -scr			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.30.0080	1					200 ma													1.6 kV	75 a	2.5 v	720a @ 50Hz	150 ma	130 a								6 scr
IPA60R520C6	-	RFQ	7250	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-111	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1			n通道					600 v	8.1A（TC）	10V	520MOHM @ 2.8A，10V	3.5V @ 230µA	23.4 NC @ 10 V	±20V	512 PF @ 100 V	-	29W（TC）
SDT05S60XK	2.3700	RFQ	700	Infineon技术	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			SIC （碳化硅）				pg-to220-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	1		没有恢复t> 500mA（IO）																						600 v	1.7 V @ 5 A	0 ns	200 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	5a	170pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²