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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IPD78CN10NG	-	RFQ	9851	Infineon技术	Optimos™2	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道			100 v	13A（TC）	10V	78mohm @ 13a，10v	4V @ 12µA	11 NC @ 10 V	±20V	716 PF @ 50 V	-	31W（TC）
FZ1800R12HE4B9HOSA2	1.0000	RFQ	4865	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FZ1800			11000 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																						沟渠场停止	1200 v	2735 a		2.1V @ 15V，1800a				5 ma	不	110 nf @ 25 V
SPP15N60C3XKSA1	4.7300	RFQ	500	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP15N60		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	15A（TC）	10V	280MOHM @ 9.4a，10V	3.9V @ 675µA	63 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 25 V	-	156W（TC）
FP50R12KE3BOSA1	181.1200	RFQ	2007	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FP50R12			280 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																						npt	1200 v	75 a		2.15V @ 15V，50a				5 ma	不	3.5 nf @ 25 V
IRF6608	-	RFQ	5165	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	DirectFet™等距St			MOSFET （金属 o化物）			DirectFet™st	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,800			n通道			30 V	（13a）（ta），55a（tc）	4.5V，10V	9MOHM @ 13A，10V	3V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±12V	2120 PF @ 15 V	-	2.1W（ta），42W（tc）
IRFR3704Tr	-	RFQ	3357	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	SP001573372	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道			20 v	75A（TC）	10V	9.5Mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	19 nc @ 4.5 V	±20V	1996 PF @ 10 V	-	90W（TC）
FF600R17KE3B2NOSA1	1.0000	RFQ	3198	Infineon技术	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FF600R17			4300 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																						-	1700 v			2.45V @ 15V，600A				5 ma	不	54 NF @ 25 V
FF450R12ME4BDLA1	133.5700	RFQ	8244	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				20兆	标准	Ag-Econod-3-2	-				2156-FF450R12ME4BDLA1			2	半桥逆变器																						沟渠场停止	1200 v	450 a		2.1V @ 15V，450a				3 ma	是的	28 NF @ 25 V
IPA70R600P7SXKSA1	1.2400	RFQ	187	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA70R600		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-fp	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			700 v	8.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.8A，10V	3.5V @ 90µA	10.5 NC @ 10 V	±16V	364 PF @ 400 V	-	25W（TC）
DF600R12IP4DBOSA1	520.1267	RFQ	7364	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF600R12			3350 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	单身的																						沟渠场停止	1200 v	600 a		2.05V @ 15V，600A				5 ma	是的	37 NF @ 25 V
irlu3636pbf	2.3200	RFQ	6	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IRLU3636		MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001567320	Ear99	8541.29.0095	75			n通道			60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
FF300R12ME4BOSA1	205.3600	RFQ	5367	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF300R12			1600 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																						沟渠场停止	1200 v	450 a		2.1V @ 15V，300A				3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
IRF8010pbf	2.6200	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF8010		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	3830 pf @ 25 V	-	260W（TC）
FD600R12KF4NOSA1	-	RFQ	3032	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块				3900 w	标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的																						-	1200 v	600 a		3.2V @ 15V，600A				8 ma	不	45 NF @ 25 V
BSC004NE2LS5ATMA1	2.6400	RFQ	1416	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			25 v	40A（479A）（479A）TC）	4.5V，10V	0.45MOHM @ 30a，10V	2V @ 10mA	238 NC @ 10 V	±20V	11000 PF @ 12.5 V	-	2.5W（ta），188W（tc）
IRL3715ZCSPBF	-	RFQ	7149	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	50A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±20V	870 pf @ 10 V	-	45W（TC）
irg7ph28ud1pbf	-	RFQ	5921	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	irg7ph	标准		115 w		TO-247AC	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001536202	Ear99	8541.29.0095	25				600V，15A，22OHM，15V																			沟	1200 v	30 a	100 a	2.3V @ 15V，15a	543µJ（OFF）	90 nc	- /229ns
F1235R12KT4GBOSA1	-	RFQ	6339	Infineon技术	-	大部分	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				210 w	标准	模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																						沟渠场停止	1200 v	35 a		2.15V @ 15V，35a				1 MA	不	2 NF @ 25 V
IRG4BC30KD-SPBF	-	RFQ	4087	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRG4BC30KD-SPBF	标准		100 W		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				480V，16a，23ohm，15v																42 ns			-	600 v	28 a	56 a	2.7V @ 15V，16a	600µJ（在）上，580µJ降低）	67 NC	60NS/160NS
BFP181E7764	0.0700	RFQ	4683	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA				175MW		PG-SOT143-4	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	2,900					21dB																			12V	20mA									NPN	70 @ 70mA，8v	8GHz	0.9db〜1.2db @ 900MHz〜1.8GHz
DD89N12KAHPSA1	-	RFQ	8254	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	POW-R-Blok™模块			标准			POW-R-Blok™模块	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	15		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														1对系列连接	1200 v	89a	1.5 V @ 300 A		20 ma @ 1200 V	150°C
higfed1bosa1	-	RFQ	6279	Infineon技术	-	托盘	过时的	-	-	-	higfed1				-	-	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP000713564	过时的	0000.00.0000	1	-																						-				-
IRFZ44EL	-	RFQ	6587	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRFZ44EL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			60 V	48A（TC）	10V	23mohm @ 29a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1360 pf @ 25 V	-	110W（TC）
SPP24N60C3XKSA1	6.6600	RFQ	175	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP24N60		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			650 v	24.3A（TC）	10V	160MOHM @ 15.4a，10V	3.9V @ 1.2mA	135 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	240W（TC）
FZ1200R12KF4NOSA1	-	RFQ	7347	Infineon技术	IHM-B	托盘	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	模块				7800 w	标准	-	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单个开关																						-	1200 v	1200 a		3.2V @ 15V，1.2KA				16 ma	不	90 nf @ 25 V
TD285N14KOFHPSA2	-	RFQ	3482	Infineon技术	-	托盘	过时的				TD285N14						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	3
IMZ120R090M1HXKSA1	14.1900	RFQ	665	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IMZ120		sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道			1200 v	26a（TC）	15V，18V	117MOHM @ 8.5a，18V	5.7V @ 3.7mA	21 NC @ 18 V	+23V，-7V	707 PF @ 800 V	-	115W（TC）
SPP80N08S2-07	-	RFQ	5251	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SPP80N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			75 v	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6130 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IPI120N06S403AKSA1	-	RFQ	4754	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI120N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			60 V	120A（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 120µA	160 NC @ 10 V	±20V	13150 PF @ 25 V	-	167W（TC）
FD800R17HP4-K_B2	1.0000	RFQ	135	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FD800R			5200 w	标准	AG-IHVB130-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1	单菜器																						-	1700 v	800 a		-				5 ma	不

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²