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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BBY6602VH6327XTSA1	0.5000	RFQ	90	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-79，SOD-523	BBY6602				PG-SC79-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																						13.5pf @ 4.5V，1MHz					单身的	12 v								5.41	C1/C4.5	-
IRFI4019HG-117P	-	RFQ	2372	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-5完整包，形成的线索	IRFI4019	MOSFET （金属 o化物）	18W		TO-220-5	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）			150V	8.7a		95MOHM @ 5.2A，10V	4.9V @ 50µA	20NC @ 10V		810pf @ 25V	-
FP30R06YE3BOMA1	-	RFQ	3348	Infineon技术	*	托盘	过时的									下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100331	Ear99	8541.29.0095	1
2PS18012E44G40113NOSA1	-	RFQ	5751	Infineon技术	Primestack™	托盘	过时的	-25°C〜60°C	底盘安装	模块	2PS18012		5600 w	标准	模块	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8543.70.9860	1	三相逆变器																						-	1200 v	2560 a	-				是的
D2601N85TXPSA1	2.0000	RFQ	9317	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	do-200ae	D2601N85	标准			-	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													8500 v				100 ma @ 8500 V	-40°C〜160°C	3040a	-
DD350N14KHPSA1	-	RFQ	3986	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块	DD350N14	标准			模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												1对系列连接	1400 v	350a	1.28 V @ 1000 A		30 ma @ 1400 V	-40°C〜150°C
ISZ0804NLSATMA1	1.5000	RFQ	7	Infineon技术	Optimos™5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	ISZ0804N	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-26	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	（11a）（ta），58a tc（58a tc）	4.5V，10V	11.5MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 28µA	24 NC @ 10 V	±20V	1600 PF @ 50 V	-	2.1W（ta），60W（60W）TC）
FZ400R12KS4HOSA1	156.3400	RFQ	9130	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ400R12		2500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																						-	1200 v	510 a	3.7V @ 15V，400A			5 ma	不	26 NF @ 25 V
BC817-16B5003	0.0200	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817		500兆		PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																								45 v	500 MA				100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
F4200R17N3E4BPSA1	284.5000	RFQ	10	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F4200R17		20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																						沟渠场停止	1700 v	200 a	2.3V @ 15V，200a			1 MA	是的	18 nf @ 25 V
FF1500R17IP5RBPSA1	2.0000	RFQ	2	Infineon技术	PrimePack™3	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FF1500R		20兆	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	2独立																						沟渠场停止	1700 v	1500 a	2.2V @ 15V，1.5KA			10 MA	是的	88 nf @ 25 V
FZ900R12KP4HOSA1	213.3600	RFQ	6	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ900R12			标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																						-	1200 v	900 a	2.05V @ 15V，900A			5 ma	不	56 NF @ 25 V
IRFR13N20DTR	-	RFQ	8805	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	200 v	13A（TC）	10V	235mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	830 pf @ 25 V	-	110W（TC）
BSC159N10LSFGATMA1	-	RFQ	1104	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC159	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	9.4A（TA），63A （TC）	4.5V，10V	15.9mohm @ 50a，10v	2.4V @ 72µA	35 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 50 V	-	114W（TC）
IRG7T 200HF12B	-	RFQ	3017	Infineon技术	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Powir®62模块	irg7t		1060 w	标准	Powir®62	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001547982	Ear99	8541.29.0095	15	半桥																						-	1200 v	400 a	2.2V @ 15V，200a			2 ma	不	22.4 nf @ 25 V
IRF540NSPBF	-	RFQ	5013	Infineon技术	Hexfet®	管子	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	100 v	33A（TC）	10V	44mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	130W（TC）
FD300R17KE4HPSA1	238.0880	RFQ	4211	Infineon技术	-	托盘	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10
BSM150GB120DN2FE325HOSA1	-	RFQ	8607	Infineon技术	-	大部分	过时的				BSM150					-					过时的		1
IPD65R660CFDATMA1	0.8193	RFQ	5263	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R660	MOSFET （金属 o化物）			pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	650 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	62.5W（TC）
IRF9Z24NLPBF	-	RFQ	4578	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			TO-262	下载		（1 （无限）	到达不受影响	*IRF9Z24NLPBF	Ear99	8541.29.0095	50			P通道	55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	3.8W（TA），45W（tc）
BCW61DE6327	0.0400	RFQ	64	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			330兆		PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	7,454																								32 v	100 ma				20NA（ICBO）			PNP	550mv @ 1.25mA，50mA	380 @ 2mA，5V	250MHz
FP10R12W1T4B29BOMA1	43.5896	RFQ	4452	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的				FP10R12					-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响			0000.00.0000	24
BAS7006B5003	0.0300	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS7006	肖特基			PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	70 v	70mA（dc）	1 V @ 15 ma	100 ps	100 na @ 50 V	150°C （最大）
IRFR540ZTRRPBF	-	RFQ	1043	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001557092	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	100 v	35A（TC）	10V	28.5mohm @ 21a，10v	4V @ 50µA	59 NC @ 10 V	±20V	1690 pf @ 25 V	-	91W（TC）
FF650R17IE4DB2BOSA1	597.4400	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF650R17		4150 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	2独立																						-	1700 v		2.45V @ 15V，650a			5 ma	是的	54 NF @ 25 V
FF225R17ME4BOSA1	186.9900	RFQ	3799	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF225R17		1500 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																						沟渠场停止	1700 v	340 a	2.3V @ 15V，225a			3 ma	是的	18.5 nf @ 25 V
FZ600R17KE3HOSA1	236.9400	RFQ	5513	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	FZ600R17		3150 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																						沟渠场停止	1700 v	840 a	2.45V @ 15V，600A			3 ma	不	54 NF @ 25 V
附件34008NOSA1	-	RFQ	8312	Infineon技术	-	大部分	过时的				附件3					-			到达不受影响	448-Accessory34008NOSA1	Ear99	8542.39.0001	1
BSZ105N04NSG	-	RFQ	4757	Infineon技术	Optimos™3	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	5,000			n通道	40 V	（11a）（ta），40a（tc）	10V	10.5MOHM @ 20A，10V	4V @ 14µA	17 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 20 V	-	2.1W（ta），35W（tc）
BTS114AE3045A	3.2200	RFQ	10	Infineon技术	tempfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	50 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 9a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	600 pf @ 25 V	-	50W

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²