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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
MMBD914LT1	1.0000	RFQ	4045	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		标准			SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V		200mA	4pf @ 0v，1MHz
BAS16	0.0400	RFQ	550	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAS16	标准			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													85 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 75 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
BAV70	0.0300	RFQ	125	Infineon技术	-	大部分	过时的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAV70	标准			SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对普通阴极	70 v	200mA	1.25 V @ 150 mA	6 ns	5 µA @ 70 V	150°C （最大）
BCW60C	0.0400	RFQ	152	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	8,013																								32 v	100 ma				20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	125MHz
MMBTA42LT1	1.0000	RFQ	7159	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000																								300 v	500 MA				100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
IMW65R048M1HXKSA1	16.1400	RFQ	1	Infineon技术	COOLSIC™M1	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R048	sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	39A（TC）	18V	64mohm @ 20.1a，18v	5.7V @ 6mA	33 NC @ 18 V	+23V，-5V	1118 PF @ 400 V	-	125W（TC）
IPAN60R210PFD7SXKSA1	2.3400	RFQ	831	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	16A（TC）	10V	210MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 V	-	25W（TC）
IMW65R107M1HXKSA1	10.9000	RFQ	9	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R107	sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	20A（TC）	18V	142MOHM @ 8.9a，18V	5.7V @ 3mA	15 NC @ 18 V	+23V，-5V	496 pf @ 400 V	-	75W（TC）
IMZA65R072M1HXKSA1	12.9500	RFQ	264	Infineon技术	COOLSIC™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IMZA65	sicfet （碳化硅）			PG-TO247-4-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	28a（TC）	18V	94mohm @ 13.3a，18v	5.7V @ 4mA	22 NC @ 18 V	+23V，-5V	744 PF @ 400 V	-	96W（TC）
IMW65R027M1HXKSA1	25.7200	RFQ	4354	Infineon技术	COOLSIC™M1	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IMW65R027	sicfet （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道	650 v	47A（TC）	18V	34mohm @ 38.3a，18v	5.7V @ 11mA	62 NC @ 18 V	+23V，-5V	2131 PF @ 400 V	-	189W（TC）
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	RFQ	2	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPAN60	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	32W（TC）
IPP60R022S7XKSA1	13.4200	RFQ	1	Infineon技术	CoolMos™S7	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R022	MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道	600 v	23A（TC）	12V	22mohm @ 23a，12v	4.5V @ 1.44mA	150 NC @ 12 V	±20V	5639 PF @ 300 V	-	390W（TC）
IPT60R022S7XTMA1	14.0000	RFQ	5246	Infineon技术	CoolMos™S7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powersfn	IPT60R022	MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-8-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	600 v	23A（TC）	12V	22mohm @ 23a，12v	4.5V @ 1.44mA	150 NC @ 12 V	±20V	5639 PF @ 300 V	-	390W（TC）
IPD60R360PFD7SAUMA1	1.4100	RFQ	9676	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ipd60r	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-344	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道	600 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IPN60R2K0PFD7SATMA1	0.7500	RFQ	5	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	IPN60R2	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	600 v	3A（TC）	10V	2ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 30µA	3.8 NC @ 10 V	±20V	134 PF @ 400 V	-	6W（TC）
IPS60R360PFD7SAKMA1	1.4100	RFQ	982	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	650 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	43W（TC）
IPN60R360PFD7SATMA1	1.3100	RFQ	14	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3	IPN60R	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	600 v	10A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	12.7 NC @ 10 V	±20V	534 PF @ 400 V	-	7W（TC）
IPS60R210PFD7SAKMA1	2.0900	RFQ	308	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	IPS60R	MOSFET （金属 o化物）			pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道	650 v	16A（TC）	10V	210MOHM @ 4.9A，10V	4.5V @ 240µA	23 NC @ 10 V	±20V	1015 PF @ 400 V	-	64W（TC）
IPN60R1K5PFD7SATMA1	0.7900	RFQ	7569	Infineon技术	CoolMos™PFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	IPN60R1	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-3	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	600 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 700mA，10V	4.5V @ 40µA	4.6 NC @ 10 V	±20V	169 PF @ 400 V	-	6W（TC）
BB 844 E6327	-	RFQ	9747	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					PG-SOT23	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																						13pf @ 8v，1MHz					1对普通阴极	18 V								3.8	C2/C8	-
IPI80P03P4-05AKSA1	0.7900	RFQ	4	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道	30 V	80A（TC）	10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 253µA	130 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	137W（TC）
IPI80N04S3-04	-	RFQ	8281	Infineon技术	*	大部分	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	370
BTS114AE3045A	3.2200	RFQ	10	Infineon技术	tempfet®	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	50 V	17a（TC）	10V	100mohm @ 9a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	600 pf @ 25 V	-	50W
BTS112A	2.4100	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	过时的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IPN80R1K4P7	-	RFQ	5268	Infineon技术	coolmos™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	800 v	4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.4A，10V	3.5V @ 70µA	10 NC @ 10 V	±20V	250 pf @ 500 V	-	7W（TC）
BTS240AHKSA1	12.7300	RFQ	12	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3		MOSFET （金属 o化物）			pg-to218-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24			n通道	50 V	58A（TC）	10V	18mohm @ 47a，10v	3.5V @ 1mA		±20V	4300 PF @ 25 V	-	170W
BB565	0.0500	RFQ	4656	Infineon技术	*	大部分	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BB565	Ear99	8541.10.0070	3,000
F4-50R12MS4	50.1300	RFQ	901	Infineon技术	EconoDual™2	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块	F4-50R		355 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器																						-	1200 v	70 a	3.75V @ 15V，50a			1 MA	是的	3.4 NF @ 25 V
FF100R12MT4	-	RFQ	9329	Infineon技术	-	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
FS450R12KE4BDSA1	734.6700	RFQ	1	Infineon技术	Econopack™	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			2250 w	标准	AG-ECONOPP-1-1	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	全桥																						沟渠场停止	1200 v	675 a	2.1V @ 15V，450a			3 ma	是的	28 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²