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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
AIKB30N65DH5ATMA1	4.7700	RFQ	1836年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Aikb30	标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					-																							npt	650 v	30 a	-	-	-
BSZ024N04LS6ATMA1	1.9500	RFQ	93	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSZ024		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-BSZ024N04LS6ATMA1DKR	Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			40 V	24A（24A），40a （TC）	4.5V，10V	2.4mohm @ 20a，10v	2.3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），75W（（（ta）
F3L11MR12W2M1B65BOMA1	-	RFQ	9105	Infineon技术	EasyPack™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L11MR12			20兆	标准	Ag-Easy2bm-2	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器																											沟	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，100a			40 µA	是的	7.36 NF @ 800 V
IPB60R040CFD7ATMA1	10.5600	RFQ	7749	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB60R040		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			600 v	50A（TC）	10V	40mohm @ 24.9a，10V	4.5V @ 1.25mA	108 NC @ 10 V	±20V	4351 PF @ 400 V	-	227W（TC）
IAUC120N04S6N010ATMA1	2.5800	RFQ	8194	Infineon技术	Optimos™-6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC120		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			40 V	150a（TC）	7V，10V	1.03Mohm @ 60a，10v	3V @ 90µA	108 NC @ 10 V	±20V	6878 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IPB0401NM5SATMA1	4.8800	RFQ	1	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-			IPB0401		-				-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-				-	-	-	-		-		-	-
AIGB30N65F5ATMA1	3.8600	RFQ	3644	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	AIGB30	标准				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000					-																							npt	650 v	30 a	-	-	-
FF600R12ME4PB72BPSA1	302.5833	RFQ	8316	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF600R12			20兆	标准	Ag-Econod-5	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2独立																											沟渠场停止	1200 v	600 a	2.1V @ 15V，600A			3 ma	是的	37 NF @ 25 V
IPA65R660CFDXKSA2	1.3395	RFQ	7438	Infineon技术	CoolMos™CFD2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA65R660		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			700 v	6A（TC）	10V	660MOHM @ 2.1a，10V	4.5V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	615 PF @ 100 V	-	27.8W（TC）
IPA083N10NM5SXKSA1	1.9300	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™5	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA083		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220完整包	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			100 v	50A（TC）	6V，10V	8.3mohm @ 25a，10v	3.8V @ 49µA	40 NC @ 10 V	±20V	2700 PF @ 50 V	-	36W（TC）
T1503NH80TOHXOSA1	7.0000	RFQ	3757	Infineon技术	-	托盘	积极的	120°C（TJ）	底盘安装	TO-200AF	T1503NH80					BG-T15040L-1	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				100 ma												8 kV	2770 a	57000a @ 50Hz	3 V	2560 a	标准恢复
BSC112N06LDATMA1	1.7900	RFQ	2	Infineon技术	Optimos™-T2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	BSC112		MOSFET （金属 o化物）	65W（TC）		PG-TDSON-8-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）					60V	20A（TC）		11.2Mohm @ 17a，10v	2.2V @ 28µA	55nc @ 10V		4020pf @ 30V	逻辑级别门
BCW60A	0.0400	RFQ	1922年	Infineon技术	-	大部分	过时的	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆		SOT-23-3	下载	不适用				Ear99	8541.21.0075	366																													32 v	100 ma				20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	120 @ 2mA，5V	125MHz
IPD90P04P405ATMA2	2.9100	RFQ	5959	Infineon技术	Optimos®-P2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			40 V	90A（TC）	10V	4.7MOHM @ 90A，10V	4V @ 250µA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IPD90P04P4L04ATMA2	3.2600	RFQ	3044	Infineon技术	Optimos®-P2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD90		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			40 V	90A（TC）	4.5V，10V	4.3MOHM @ 90A，10V	2.2V @ 250µA	176 NC @ 10 V	+5V，-16V	11570 pf @ 25 V	-	125W（TC）
FF450R07ME4BOSA1	208.7800	RFQ	8785	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF450R07			20兆	标准	Ag-Econod-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																											沟渠场停止	650 v	450 a	1.95V @ 15V，450a			1 MA	是的	27.5 nf @ 25 V
FF300R07ME4BOSA1	169.5600	RFQ	4	Infineon技术	EconoDual™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF300R07			20兆	标准	Ag-Econod-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	2独立																											沟渠场停止	650 v	300 a	1.95V @ 15V，300A			1 MA	是的	18.5 nf @ 25 V
FS25R12W1T7B11BOMA1	45.7000	RFQ	6	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS25R12			20兆	标准	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FS25R12W1T7B11BOMA1-448	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																											沟渠场停止	1200 v	25 a	1.6V @ 15V，25a			5.6 µA	是的	4.77 NF @ 25 V
IAUC70N08S5N074ATMA1	1.8400	RFQ	9	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC70		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			80 V	70A（TC）	6V，10V	7.4MOHM @ 35A，10V	3.8V @ 36µA	30 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 40 V	-	83W（TC）
IAUZ40N10S5N130ATMA1	1.7100	RFQ	2	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUZ40		MOSFET （金属 o化物）			PG-TSDSON-8-33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			100 v	40a（TC）	6V，10V	13mohm @ 20a，10v	3.8V @ 27µA	24 NC @ 10 V	±20V	1525 PF @ 50 V	-	68W（TC）
F3L200R07W2S5FB11BOMA1	98.4400	RFQ	1128	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L200			20兆	标准	Ag-Easy2b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三级逆变器																											沟渠场停止	650 v	95 a	1.38V @ 15V，100a			1 MA	是的	14.3 NF @ 25 V
FS35R12W1T7B11BOMA1	52.4300	RFQ	12	Infineon技术	EasyPack™，Trenchstop™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FS35R12			20兆	标准	ag-easy1b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FS35R12W1T7B11BOMA1-448	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																											沟渠场停止	1200 v	35 a	1.6V @ 15V，35a			7.3 µA	是的	6.62 NF @ 25 V
FP15R12W1T7B11BOMA1	50.2300	RFQ	7	Infineon技术	Trenchstop™	托盘	积极的	175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP15R12				标准	Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-FP15R12W1T7B11BOMA1-448	Ear99	8541.29.0095	24	半桥逆变器																											沟渠场停止	1200 v		-				不
IAUC28N08S5L230ATMA1	1.1900	RFQ	7000	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC28		MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-33	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道			80 V	28a（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 14a，10v	2V @ 11µA	15.1 NC @ 10 V	±20V	867 PF @ 40 V	-	38W（TC）
F3L400R10WS7B11BPSA1	237.6200	RFQ	1364	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F3L400				-	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	8	-																											沟	950 v		1.4V @ 15V，150a			70 µA	是的	25.2 NF @ 25 V
FP10R12W1T7B3BOMA1	43.5000	RFQ	5105	Infineon技术	EasyPim™	托盘	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	FP10R12			20兆	三相桥梁整流器	Ag-Easy1b-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器																											沟渠场停止	1200 v	10 a	1.6V @ 15V，10A（类型）			4.5 µA	是的	1.89 NF @ 25 V
DF150R12W1H3FB11BOMA1	58.5000	RFQ	24	Infineon技术	-	托盘	积极的	-			DF150				-		-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				24	-																											-			-
FR900R12IP4DBPSA1	1.0000	RFQ	2	Infineon技术	Econopack™2	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FR900R12			20兆	标准	AG-PRIME3-1	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	双制动斩波器																											沟渠场停止	1200 v	900 a	2.05V @ 15V，900A			5 ma	是的	54 NF @ 25 V
IDK02G120C5XTMA1	3.7900	RFQ	8160	Infineon技术	COOLSIC™+	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IDK02G120		SIC （碳化硅）			pg-to263-2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-IDK02G120C5XTMA1-448	Ear99	8541.10.0080	1,000		没有恢复t> 500mA（IO）																				1200 v	1.65 V @ 2 A	18 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	11.8a	182pf @ 1V，1MHz
BSS79C	-	RFQ	9419	Infineon技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																													40 V	800 MA				10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	250MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²