RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	（（dc）（vr）（vr）（最大）	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
IRF3805S	-	RFQ	6503	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF3805S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	75A（TC）	10V	3.3MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	290 NC @ 10 V	±20V	7960 pf @ 25 V	-	330W（TC）
IRG4IBC20FD	-	RFQ	2422	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IRG4IBC	标准		34 W			pg-to220-fp	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRG4IBC20FD	Ear99	8541.29.0095	50					480V，9a，50ohm，15V																		37 ns						-	600 v	14.3 a	64 a	2V @ 15V，9a	（250µJ）（在640µJ上）	27 NC	43NS/240NS
IPB065N15N3GATMA1	7.6000	RFQ	8130	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	IPB065		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			150 v	130a（TC）	8V，10V	6.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	93 NC @ 10 V	±20V	7300 PF @ 75 V	-	300W（TC）
AIKW40N65DF5XKSA1	9.8400	RFQ	6011	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™5	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	Aikw40	标准		250 w			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30					400V，20a，15ohm，15V																								沟	650 v	74 a	120 a	2.1V @ 15V，40a	350µJ（在）上，100µJ（100µJ）	95 NC	19NS/165NS
IPB120N04S4L02ATMA1	3.4000	RFQ	1	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IPB120		MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			40 V	120A（TC）	4.5V，10V	1.7MOHM @ 100A，10V	2.2V @ 110µA	190 NC @ 10 V	+20V，-16V	14560 pf @ 25 V	-	158W（TC）
IRFZ46ZPBF	-	RFQ	5188	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道			55 v	51A（TC）	10V	13.6mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±20V	1460 pf @ 25 V	-	82W（TC）
BSO301SPHXUMA1	2.1200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	BSO301		MOSFET （金属 o化物）				PG-DSO-8	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			30 V	12.6a（ta）	4.5V，10V	8mohm @ 14.9a，10V	2V @ 250µA	136 NC @ 10 V	±20V	5890 pf @ 25 V	-	1.79W（TA）
T1330N18TOFVTXPSA1	-	RFQ	2256	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AC	T1330N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA												2.2 kV	2600 a	2.2 v	2650a @ 50Hz	250 MA	1330 a							1 scr
ND171N12KHPSA1	-	RFQ	5166	Infineon技术	-	托盘	过时的		底盘安装	模块	ND171N12		标准				BG-PB34-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	8		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																				1200 v		20 ma @ 1200 V	-40°C〜135°C	171a	-
IRF540NSTRRPBF	-	RFQ	4941	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IRF540		MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800			n通道			100 v	33A（TC）	10V	44mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±20V	1960 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IPD25N06S240ATMA1	-	RFQ	4099	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25N		MOSFET （金属 o化物）				PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			55 v	29A（TC）	10V	40mohm @ 13a，10v	4V @ 26µA	18 nc @ 10 V	±20V	513 PF @ 25 V	-	68W（TC）
IPD65R1K4C6ATMA1	1.3000	RFQ	2	Infineon技术	Coolmos™C6	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD65R1		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			650 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 1A，10V	3.5V @ 100µA	10.5 NC @ 10 V	±20V	225 pf @ 100 V	-	28W（TC）
IRF530NL	-	RFQ	8923	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）				TO-262	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRF530NL	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	17a（TC）	10V	90mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	37 NC @ 10 V	±20V	920 PF @ 25 V	-	3.8W（ta），70W（70W）TC）
BSP322PH6327XTSA1	0.9800	RFQ	6577	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	BSP322		MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道			100 v	1A（TC）	4.5V，10V	800MOHM @ 1A，10V	1V @ 380µA	16.5 NC @ 10 V	±20V	372 PF @ 25 V	-	1.8W（TA）
IPD80R3K3P7ATMA1	0.3812	RFQ	6913	Infineon技术	Coolmos™P7	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD80R3		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			800 v	1.9A（TC）	10V	3.3ohm @ 590mA，10v	3.5V @ 30µA	5.8 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 500 V	-	18W（TC）
SPP02N60C3HKSA1	-	RFQ	7773	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	spp02n		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道			650 v	1.8A（TC）	10V	3ohm @ 1.1a，10v	3.9V @ 80µA	12.5 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IPP60R160P6XKSA1	4.0300	RFQ	443	Infineon技术	Coolmos™P6	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IPP60R160		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001017068	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			600 v	23.8a（TC）	10V	160MOHM @ 9A，10V	4.5V @ 750µA	44 NC @ 10 V	±20V	2080 pf @ 100 V	-	176W（TC）
IRL3302S	-	RFQ	1467	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3302S	Ear99	8541.29.0095	50			n通道			20 v	39A（TC）	4.5V，7V	20mohm @ 23a，7v	700mv @ 250µA（250µA））	31 NC @ 4.5 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	57W（TC）
IAUTN06S5N008ATMA1	6.6600	RFQ	7440	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的											-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				2,000
BC857BE6433HTMA1	0.0489	RFQ	7777	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857			330兆			PG-SOT23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																														45 v	100 ma								15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	250MHz
IRGP4650D-EPBF	-	RFQ	1386	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRGP4650	标准		268 w			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400					400V，35a，10ohm，15V																		120 ns						-	600 v	76 a	105 a	1.9V @ 15V，35a	（390µJ）（在），632µJ（（（（（（）	104 NC	46NS/105NS
SGW30N60HSFKSA1	-	RFQ	3894	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	SGW30N	标准		250 w			PG-TO247-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	240					400V，30a，11ohm，15V																								npt	600 v	41 a	112 a	3.15V @ 15V，30a	1.15MJ	141 NC	20NS/250NS
IRFC9024NB	-	RFQ	3219	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC9024NB	过时的		1			-			55 v	11a	10V	175mohm @ 11a，10v	-		-		-	-
IRFC7313B	-	RFQ	1320	Infineon技术	Hexfet®	大部分	过时的	-	表面安装	死			MOSFET （金属 o化物）				死	-	rohs3符合条件		到达不受影响	448-IRFC7313B	过时的		1			-			30 V	-	-	-	-		-		-	-
FP30R06YE3BOMA1	-	RFQ	3348	Infineon技术	*	托盘	过时的											下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000100331	Ear99	8541.29.0095	1
FZ400R12KS4HOSA1	156.3400	RFQ	9130	Infineon技术	c	托盘	积极的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FZ400R12			2500 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的																												-	1200 v	510 a		3.7V @ 15V，400A						5 ma	不	26 NF @ 25 V
BC817-16B5003	0.0200	RFQ	30	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			500兆			PG-SOT23-3-11	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000																														45 v	500 MA								100NA（ICBO）			NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
F4200R17N3E4BPSA1	284.5000	RFQ	10	Infineon技术	Econopack™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	F4200R17			20兆		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	全桥																												沟渠场停止	1700 v	200 a		2.3V @ 15V，200a						1 MA	是的	18 nf @ 25 V
BBY57-02V	-	RFQ	2696	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-79，SOD-523							PG-SC79-2	下载					Ear99	8541.10.0070	1																											5.5pf @ 4V，1MHz										单身的	10 v								4.5	C1/C4	-
IPS090N03LGAKMA1	-	RFQ	8644	Infineon技术	Optimos™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK			MOSFET （金属 o化物）				PG-TO251-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道			30 V	40a（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 30a，10v	2.2V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 15 V	-	42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²