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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（amp）	（ih）（IH））	测试条件	功率 -输出	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	噪音图	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
FS900R08A2P2B32BOSA1	-	RFQ	9470	Infineon技术	Hybridpack™2	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块		FS900R08				1546 w		标准	Ag-Hybrid2-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	三相逆变器																																						-	750 v	550 a		1.25V @ 15V，550a				500 µA	是的	105 NF @ 25 V
irfr7540pbf	-	RFQ	1384	Infineon技术	strongirfet™	管子	在sic中停产		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道									60 V	90A（TC）	6V，10V	4.8mohm @ 66a，10v	3.7V @ 100µA	130 NC @ 10 V	±20V	4360 pf @ 25 V	-	140W（TC）
IRF3704ZSPBF	-	RFQ	4574	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB					MOSFET （金属 o化物）				D2PAK	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道									20 v	67A（TC）	4.5V，10V	7.9MOHM @ 21a，10V	2.55V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	±20V	1220 pf @ 10 V	-	57W（TC）
IPA60R299CP	-	RFQ	9069	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包					MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			n通道									600 v	11A（TC）	10V	299MOHM @ 6.6a，10V	3.5V @ 440µA	29 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	33W（TC）
AUIRFP4409	-	RFQ	9837	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		AUIRFP4409			MOSFET （金属 o化物）				TO-247AC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001518024	Ear99	8541.29.0095	400			n通道									300 v	38A（TC）	10V	69MOHM @ 24A，10V	5V @ 250µA	125 NC @ 10 V	±20V	5168 PF @ 50 V	-	341W（TC）
FF23MR12W1M1C11BPSA1	-	RFQ	9767	Infineon技术	*	托盘	过时的														-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24
IRLR3714ZTRRPBF	-	RFQ	6974	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6,000			n通道									20 v	37A（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 15a，10v	2.55V @ 250µA	7.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 10 V	-	35W（TC）
IRAM136-3063B	-	RFQ	4330	Infineon技术	Imotion™	管子	过时的			通过洞	22-powersip模块，18岁，形成铅	IGBT									下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	70	3期								30 a	600 v	2000vrms
IRF9Z24NPBF	0.8700	RFQ	9	Infineon技术	Hexfet®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		IRF9Z24			MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			P通道									55 v	12A（TC）	10V	175MOHM @ 7.2A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
AUXTMGPS4070D2	-	RFQ	4965	Infineon技术	-	大部分	过时的		-				autxmgps	-							-			到达不受影响	448-AUXTMGPS4070D2	Ear99	8541.29.0095	1						-																																	-				-	-		-
BCX5616E6433HTMA1	-	RFQ	5640	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA		BCX56				2 w			PG-SOT89	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	4,000																																								80 V	1 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，2V	100MHz
PTFB093608SVV2R250XTMA1	-	RFQ	2694	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	65 v		表面安装	H-37275G-6/2		PTFB093608		920MHz〜960MHz	ldmos				H-37275G-6/2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP000957080	Ear99	8541.29.0095	250				-			360W	20dB																				-
FZ2400R12HE4PB9HPSA1	1.0000	RFQ	9058	Infineon技术	IHM-B	托盘	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	模块		FZ2400						标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	全桥																																						沟渠场停止	1200 v	2400 a		2.1V @ 15V，2400a				5 ma	不	150 nf @ 25 V
IPB60R360CFD7ATMA1	2.8900	RFQ	1534年	Infineon技术	CoolMos™CFD7	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		IPB60R360			MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									600 v	7A（TC）	10V	360MOHM @ 2.9a，10V	4.5V @ 140µA	14 NC @ 10 V	±20V	679 PF @ 400 V	-	43W（TC）
T1451N52TOHXPSA1	2.0000	RFQ	5568	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	TO-200AF		T1451N52					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1					350 MA																	5.2 kV	2610 a	2.5 v	44000a @ 50Hz	350 MA	2320 a											1 scr
IDP20C65D2XKSA1	1.7700	RFQ	584	Infineon技术	快速2	管子	积极的			通过洞	TO-220-3		IDP20C65			标准				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																											1对普通阴极	650 v	10a	2.2 V @ 10 A	28 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C
BFP650H6327XTSA1	0.6100	RFQ	240	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C（TJ）	表面安装	SC-82A，SOT-343		BFP650				500MW			PG-SOT343-3D	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000								10.5db〜21.5dB																																4.5V	150mA									NPN		110 @ 80mA，3v	37GHz	0.8db〜1.9dB @ 1.8GHz〜6GHz
IPU80R1K2P7AKMA1	0.6448	RFQ	7236	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPU80R1			MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,500			n通道									800 v	4.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.7A，10V	3.5V @ 80µA	11 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 500 V	-	37W（TC）
IDW40E65D1	1.0000	RFQ	2240	Infineon技术	-	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3					标准				PG-TO247-3-1	下载						0000.00.0000	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																												650 v		1.7 V @ 40 A	129 ns	40 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	80a	-
BSZ063N04LS6ATMA1	1.2400	RFQ	18	Infineon技术	Optimos™6	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSZ063			MOSFET （金属 o化物）				PG-TSDSON-8-FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道									40 V	（15a）（TA），40a （TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 20A，10V	2.3V @ 250µA	9.5 NC @ 10 V	±20V	650 pf @ 20 V	-	2.5W（ta），38W（tc）
SIPC10N60C3X1SA2	-	RFQ	2062	Infineon技术	-	大部分	积极的						SIPC10								-	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	SP000482570		0000.00.0000	1													-
IMW65R072M1HXKSA1	12.1700	RFQ	160	Infineon技术	COOLSIC™M1	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		IMW65R072			sicfet （碳化硅）				pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			n通道									650 v	26a（TC）	18V	94mohm @ 13.3a，18v	5.7V @ 4mA	22 NC @ 18 V	+23V，-5V	744 PF @ 400 V	-	96W（TC）
T3160N18TOFVTXPSA1	725.4500	RFQ	1	Infineon技术	-	托盘	积极的		-40°C〜125°C	底盘安装	do-200ae		T3160N18					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	2					300 MA																	1.8 kV	7000 a	2.5 v	63000a @ 50Hz	250 MA	3160 a											1 scr
IKB10N60TATMA1	2.1300	RFQ	6365	Infineon技术	Trechstop®	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		ikb10n	标准			110 w			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000						400V，10a，23ohm，15V																											115 ns						NPT，沟渠场停止	600 v	20 a	30 a	2.05V @ 15V，10A	430µJ	62 NC	12NS/215NS
IRF7350pbf	-	RFQ	7188	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF7350			MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	95	n和p通道											100V	2.1a，1.5a		210mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	28nc @ 10V		380pf @ 25V	-
BSP296E6327	-	RFQ	4941	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA					MOSFET （金属 o化物）				PG-SOT223-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道									100 v	1.1A（TA）	4.5V，10V	700MOHM @ 1.1A，10V	1.8V @ 400µA	17.2 NC @ 10 V	±20V	364 pf @ 25 V	-	1.79W（TA）
T1900N16TOFVTXPSA1	500.4100	RFQ	4	Infineon技术	-	托盘	积极的		135°C（TJ）	夹紧	TO-200AC		T1900N					单身的			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	4					500 MA																	1.8 kV	2840 a	2 v	39000a @ 50Hz	250 MA	1810 a											1 scr
SPP15N60CFDXKSA1	3.2127	RFQ	6385	Infineon技术	coolmos™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		SPP15N60			MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500			n通道									600 v	13.4A（TC）	10V	330mohm @ 9.4a，10v	5V @ 750µA	84 NC @ 10 V	±20V	1820 PF @ 25 V	-	156W（TC）
DD242S10KHPSA1	-	RFQ	1174	Infineon技术	-	大部分	过时的			底盘安装	模块					标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																											1对系列连接	1000 v	261a	1.55 V @ 800 A		200 ma @ 1000 V	-40°C〜150°C
BC 807-16 E6433	-	RFQ	9489	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC 807				330兆			PG-SOT23	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																																								45 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	200MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²