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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IPB110P06LMATMA1	5.4300	RFQ	159	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IPB110	MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	60 V	100A（TC）	4.5V，10V	11mohm @ 100a，10v	2V @ 5.55mA	281 NC @ 10 V	±20V	8500 pf @ 30 V	-	300W（TC）
IPD950P06NMSAUMA1	-	RFQ	1678年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD950	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP004987232	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	60 V	-	-	-	-		-		-	-
ISP13DP06NMSATMA1	0.9000	RFQ	7726	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP13DP06	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	60 V	2.8A（ta）	-	-	-		±20V		-	-
ISP25DP06NMXTSA1	0.8600	RFQ	6	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP25DP06	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	60 V	1.9a（ta）	10V	250MOHM @ 1.9A，10V	4V @ 270µA	10.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
ISP26DP06NMSATMA1	0.6700	RFQ	1	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP26DP06	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道	60 V	1.9a（ta）	-	-	-		±20V		-	-
ISP650P06NMXTSA1	1.5500	RFQ	3863	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP650	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	60 V	3.7a（ta）	10V	65mohm @ 3.7A，10V	4V @ 1.037mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
ISP75DP06LMXTSA1	0.6300	RFQ	8725	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA	ISP75D	MOSFET （金属 o化物）			PG-SOT223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道	60 V	1.1A（TA）	4.5V，10V	750MOHM @ 1.1A，10V	2V @ 77µA	4 NC @ 10 V	±20V	120 pf @ 30 V	-	1.8W（ta），4.2W（TC）
IPD06P003NSAUMA1	-	RFQ	4206	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863526	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	60 V	22a（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 1.04mA	39 NC @ 10 V	±20V	1600 pf @ 30 V	-	83W（TC）
IPD06P004NSAUMA1	-	RFQ	1157	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863518	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	60 V	16.4a（TC）	10V	90MOHM @ 16.4a，10V	4V @ 710µA	27 NC @ 10 V	±20V	1100 pf @ 30 V	-	63W（TC）
IPD06P005LSAUMA1	-	RFQ	4812	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD06P	MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-313	-		（1 （无限）	到达不受影响	SP001863510	Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道	60 V	6.5A（TC）	4.5V，10V	250mohm @ 6.5a，10v	2V @ 270µA	13.8 NC @ 10 V	±20V	420 pf @ 30 V	-	28W（TC）
AIDW10S65C5XKSA1	3.0995	RFQ	7332	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW10	SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）												650 v	1.7 V @ 10 A	0 ns	60 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	10a	303pf @ 1V，1MHz
AIDW12S65C5XKSA1	3.1292	RFQ	8315	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW12	SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）												650 v	1.7 V @ 12 A	0 ns	70 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	12a	363pf @ 1V，1MHz
AIDW16S65C5XKSA1	4.5924	RFQ	9632	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW16	SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	240		没有恢复t> 500mA（IO）												650 v	1.7 V @ 16 A	0 ns	90 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	16a	471pf @ 1V，1MHz
AIDW20S65C5XKSA1	5.5332	RFQ	6411	Infineon技术	汽车，AEC-Q100/101，Coolsic™	管子	上次购买		通过洞	TO-247-3	AIDW20	SIC （碳化硅）			pg-to247-3-41	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	30		没有恢复t> 500mA（IO）												650 v	1.7 V @ 20 A	0 ns	120 µA @ 650 V	-40°C〜175°C	20a	584pf @ 1V，1MHz
FF45MR12W1M1B11BOMA1	65.9800	RFQ	9	Infineon技术	COOLSIC™+	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	FF45MR12	（SIC）	20MW（TC）		Ag-Easy1bm-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	24	2 n 通道（双）			1200V（1.2kV）	25A（TJ）		45mohm @ 25a，15v（typ（typ））	5.55V @ 10mA	62nc @ 15V		1840pf @ 800V	-
D841S45TS01XDLA1	-	RFQ	2244	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	do-200 ac，k-puk	D841S45	标准			BG-D7514-1	-			到达不受影响	SP000091296	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												4500 v	3.5 V @ 2500 A		140 ma @ 4500 V	125°c （最大）	1080a	-
FS20R06XL4BOMA1	-	RFQ	8880	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	FS20R06		89 w	标准	Ag-Easy750-1	-		供应商不确定	到达不受影响	SP000100283	Ear99	8541.29.0095	1	三相逆变器																				-	600 v	26 a	2.55V @ 15V，20A	5 ma	是的	900 pf @ 25 V
BSM150GB170DLCE3256HDLA1	-	RFQ	9812	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	底盘安装	模块	BSM150		1250 w	标准	-	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥																				-	1700 v	300 a	3.2V @ 15V，150a	300 µA	不	10 nf @ 25 V
BSC021N08NS5ATMA1	4.0900	RFQ	5214	Infineon技术	Optimos™，strongirfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC021	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	80 V	100A（TC）	6V，10V	2.1MOHM @ 50a，10v	3.8V @ 146µA	29 NC @ 10 V	±20V	8600 PF @ 40 V	标准	214W（TC）
BSC022N04LS6ATMA1	1.8200	RFQ	3	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC022	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	40 V	27a（27A），100A（tc（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 50a，10v	2.3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±20V	1900 pf @ 20 V	-	（3W）（ta），79w（tc）
BSC027N10NS5ATMA1	5.1500	RFQ	7365	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	BSC027	MOSFET （金属 o化物）			PG-TSON-8-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	（23A）（TA），100A （TC）	6V，10V	2.7MOHM @ 50A，10V	3.8V @ 146µA	111 NC @ 10 V	±20V	8200 PF @ 50 V	-	（3W（ta），214w（tc）
DZ1100N22KTIMHPSA1	673.1900	RFQ	8430	Infineon技术	-	托盘	积极的		底盘安装	模块	DZ1100	标准			BG-PB70AT-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												2200 v	1.11 V @ 3000 A		80 ma @ 2200 V	150°C （最大）	1100a	-
FF1500R12IE5PBPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3+ b	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块	FF1500R		20兆	标准	Ag-Prime3+-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																				沟渠场停止	1200 v	1500 a	2.15V @ 15V，1.5KA	5 ma	是的
FF1500R17IP5PBPSA1	1.0000	RFQ	3	Infineon技术	PrimePack™3+ b	托盘	积极的	-40°C〜175°C	底盘安装	模块	FF1500R		1500 w	标准	Ag-Prime3+-5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3	半桥																				沟渠场停止	1700 v	1500 a	2.2V @ 15V，1.5KA	5 ma	是的
FF450R33T3E3BPSA1	1.0000	RFQ	1	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33		1000000 w	标准	AG-XHP100-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	1	半桥																				沟渠场停止	3300 v	450 a	2.75V @ 15V，450a	5 ma	不
FF450R33T3E3P2BPSA1	1.0000	RFQ	6115	Infineon技术	XHP™3	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FF450R33		1000000 w	标准	AG-XHP100-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响			8541.29.0095	2	半桥																				沟渠场停止	3300 v	450 a	2.75V @ 15V，450a	5 ma	不
FS100R12N2T4B11BOSA1	-	RFQ	4721	Infineon技术	Econopack™2	托盘	过时的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	FS100R12		20兆	标准	AG-ECONO2-6	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001723592	Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器																				沟渠场停止	1200 v	100 a	2.1V @ 15V，100a	1 MA	是的
IAUA200N04S5N010AUMA1	2.9800	RFQ	3	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	5-Powersfn	IAUA200	MOSFET （金属 o化物）			PG-HSOF-5-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道	40 V	200a（TC）	7V，10V	1MOHM @ 100A，10V	3.4V @ 100µA	132 NC @ 10 V	±20V	7650 pf @ 25 V	-	167W（TC）
IAUC100N10S5N040ATMA1	3.1900	RFQ	8	Infineon技术	Optimos™-5	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	IAUC100	MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-34	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			n通道	100 v	100A（TC）	6V，10V	4mohm @ 50a，10v	3.8V @ 90µA	78 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 50 V	-	167W（TC）
IDC50S120C5X7SA1	55.0800	RFQ	1333	Infineon技术	-	大部分	积极的		-	-	IDC50S120	-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响			0000.00.0000	1		-																-	-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²