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离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	电流 -最大	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
BBY51-03W	1.0000	RFQ	4860	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	表面安装	SC-76，SOD-323						PG-SOD323-2	下载					Ear99	8541.10.0070	1																3.7pf @ 4V，1MHz									单身的	7 V									2.2	C1/C4	-
IKW50N65ET7XKSA1	6.3400	RFQ	8024	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Trenchstop™	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IKW50N65	标准		273 w		pg-to247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，50a，9ohm，15V											93 ns		沟渠场停止	650 v	50 a	150 a	1.65V @ 15V，50a	1.2MJ（在）上，850µJ（OFF）	290 NC	26NS/350NS
BBY5603WE6327HTSA1	-	RFQ	5757	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	BBY56					PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																12.1pf @ 4V，1MHz									单身的	10 v									3.3	C1/C3	-
BBY 57-02W E6127	-	RFQ	8923	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	SC-80	BBY 57					SCD-80	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	8,000																5.5pf @ 4V，1MHz									单身的	10 v									4.5	C1/C4	-
FS13MR12W2M1HB70BPSA1	340.0700	RFQ	15	Infineon技术	COOLSIC™	托盘	积极的	-	-	-					标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	15	三相逆变器																-	1200 v			-							不
IRF7663Tr	-	RFQ	9098	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）			micro8™	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000		P通道			20 v	8.2a（ta）		20mohm @ 7A，4.5V	1.2V @ 250µA	45 NC @ 5 V		2520 PF @ 10 V	-
DF200R12W1H3B27BOMA1	72.2225	RFQ	7929	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜150°C	底盘安装	模块	DF200R12			375 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2独立																-	1200 v	30 a		1.3V @ 15V，30a						1 MA	是的	2 NF @ 25 V
IRL3715	-	RFQ	9062	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	*IRL3715	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			20 v	54A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 26a，10v	3V @ 250µA	17 NC @ 4.5 V	±20V	1060 pf @ 10 V	-	3.8W（TA），71W（TC）
SPA07N60C3XKSA1	2.7300	RFQ	8938	Infineon技术	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SPA07N60		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-3-31	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			650 v	7.3A（TC）	10V	600MOHM @ 4.6A，10V	3.9V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 25 V	-	32W（TC）
IRGIB4620DPBF	-	RFQ	7180	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		140 w		pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001545068	Ear99	8541.29.0095	50				400V，12A，22OHM，15V											68 ns		npt	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	185µJ（在）（355µJ）上	25 NC	31ns/83ns
BSC200P03LSGAUMA1	-	RFQ	1921年	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）			PG-TDSON-8-1	下载		3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道			30 V	9.9a（ta），12.5a tc）	10V	20mohm @ 12.5a，10v	2.2V @ 100µA	48.5 NC @ 10 V	±25V	2430 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），63W（tc）
BA595E6433HTMA1	-	RFQ	4947	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）		SC-76，SOD-323	BA595					PG-SOD323-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	10,000			50 mA													0.6pf @ 10V，1MHz									PIN-单	50V				7ohm @ 10mA，100MHz
SPB21N10 g	-	RFQ	1172	Infineon技术	Sipmos®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SPB21N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to263-3-2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			100 v	21a（TC）	10V	80Mohm @ 15a，10v	4V @ 44µA	38.4 NC @ 10 V	±20V	865 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IPD25N06S4L30ATMA1	-	RFQ	3641	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IPD25N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	25A（TC）	4.5V，10V	30mohm @ 25a，10v	2.2V @ 8µA	16.3 NC @ 10 V	±16V	1220 pf @ 25 V	-	29W（TC）
IRF9540NSTRLPBF	2.4900	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IRF9540		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道			100 v	23A（TC）	10V	117MOHM @ 14A，10V	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	3.1W（ta），110W（tc）
IPI041N12N3GAKSA1	6.3500	RFQ	500	Infineon技术	Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI041		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			120 v	120A（TC）	10V	4.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 270µA	211 NC @ 10 V	±20V	13800 PF @ 60 V	-	300W（TC）
IRFC4010EB	-	RFQ	8307	Infineon技术	*	大部分	过时的										下载		（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	1
AIMZHN120R030M1TXKSA1	27.5217	RFQ	6685	Infineon技术	*	管子	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-AIMZHN120R030M1TXKSA1			240
BC849CWE6327	0.0200	RFQ	18	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323				250兆		PG-SOT323-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	18,997																		30 V	100 ma								15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	250MHz
BC817K-16	-	RFQ	7309	Infineon技术	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC817			500兆		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000																		45 v	500 MA								100NA（ICBO）				NPN	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	170MHz
SGB20N60E3045A	0.7700	RFQ	15	Infineon技术	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	SGB20N	标准		179 w		pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000				400V，20a，16ohm，15V													npt	600 v	40 a	80 a	2.4V @ 15V，20A	（440µJ）（在330µJ上）	100 NC	36NS/225NS
IRG4RC10SDTRPBF	-	RFQ	4337	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRG4RC10	标准		38 w		D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				480V，8A，100OHM，15V											28 ns		-	600 v	14 a	18 a	1.8V @ 15V，8a	310µJ（在）上，3.28mj off）	15 NC	76NS/815NS
IPI80N06S407AKSA2	2.0000	RFQ	500	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	IPI80N06		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	80A（TC）	10V	7.4mohm @ 80a，10v	4V @ 40µA	56 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	79W（TC）
IPA50R190CE	-	RFQ	4418	Infineon技术	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IPA50R		MOSFET （金属 o化物）			pg-to220-fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			500 v	18.5A（TC）	13V	190mohm @ 6.2a，13v	3.5V @ 510µA	47.2 NC @ 10 V	±20V	1137 PF @ 100 V	-	32W（TC）
IRG4BC40SPBF	-	RFQ	8872	Infineon技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRG4BC40	标准		160 w		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001535562	Ear99	8541.29.0095	1,000				480V，31a，10ohm，15V													-	600 v	60 a	120 a	1.5V @ 15V，31a	450µJ（在）上，6.5MJ（6.5MJ）	100 NC	22NS/650NS
SPI10N10L	-	RFQ	3296	Infineon技术	Sipmos®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	SPI10N		MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			100 v	10.3A（TC）	4.5V，10V	154MOHM @ 8.1A，10V	2V @ 21µA	22 NC @ 10 V	±20V	444 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRGP4620D-EPBF	-	RFQ	8940	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		140 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25				400V，12A，22OHM，15V											68 ns		-	600 v	32 a	36 a	1.85V @ 15V，12A	（75µJ）（在），225µJ（225µJ）中	25 NC	31ns/83ns
IQE018N06NM6SCATMA1	1.1992	RFQ	5918	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	448-IQE018N06NM6SCATMA1TR			6,000
SPD01N60C3BTMA1	-	RFQ	5481	Infineon技术	coolmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	SPD01N		MOSFET （金属 o化物）			PG-TO252-3-11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			650 v	800mA（TC）	10V	6ohm @ 500mA，10v	3.9V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±20V	100 pf @ 25 V	-	11W（TC）
IPI80N04S2-04	1.0700	RFQ	296	Infineon技术	*	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			pg-to262-3-1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	296		n通道			40 V	80A（TC）	10V	3.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²