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离散半导体产品（（16626）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 输入 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | 测试条件 | 当前的 | 电压 | 电压 -隔离 | 电流 -id（ID） @ 25°C | 二极管配置 | （（dc）（vr）（vr）（最大） | 电流 -io（io）（每个二极管） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障（最大） | 电流 -ic（IC）（最大） | 电流 -icm） | （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic | 切换能量 | 门充电 | TD （开/关） @ 25°C | 当前 -收集器截止（最大） | NTC热敏电阻 | （CIES） @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DD1000S33HE3BOSA1 | - |  | 8851 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 积极的 | 底盘安装 | 模块 | DD1000 | 标准 | AG-IHVB130-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 2独立 | 3300 v | 1000a（DC） | 3.85 V @ 1000 A | 1000 A @ 1800 V | -40°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||
 | FZ1200R33KF2CB3S2NDSA1 | - | | 6346 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FZ1200 | 14500 w | 标准 | - | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 全桥 | - | 3300 v | 2000 a | 4.25V @ 15V，1.2KA | 12 ma | 不 | 150 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | FZ800R33KF2CNOSA2 | - | | 8667 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FZ800 | 9600 w | 标准 | - | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 3300 v | 1 a | 4.25V @ 15V，800A | 5 ma | 不 | 100 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
 | DD200S33K2CC1NOSA1 | - | | 8701 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | 底盘安装 | 模块 | 标准 | A-IHV73-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 1对系列连接 | 3300 v | 200a（DC） | 3.5 V @ 200 A | 275 A @ 1800 V | -40°C〜125°C | |||||||||||||||||||||||||||||
| FZ800R33KF2CS1NDSA1 | - | | 1580 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜125°C | 底盘安装 | 模块 | FZ800 | 9600 w | 标准 | - | 下载 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 半桥 | - | 3300 v | 1 a | 4.25V @ 15V，800A | 5 ma | 不 | 100 nf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||||||
| 64-4126pbf | - | | 4364 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-2300pbf | - | | 6980 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 积极的 | 94-2300 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Auxtalr3915 | - | | 8718 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 98-0299 | - | | 5939 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 64-2082pbf | - | | 5191 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 94-4591pbf | - | | 6485 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 管子 | 过时的 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SIGC04T60EX1SA2 | - | | 2116 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 死 | SIGC04 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 6 a | 18 a | 1.9V @ 15V，6A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IRGC15B60KB | - | | 9544 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | npt | 600 v | 15 a | 1.35V @ 15V，3A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | 63-9015 | - | | 5446 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| SIGC08T60EX1SA1 | - | | 1822年 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 死 | SIGC08 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 15 a | 45 a | 1.9V @ 15V，15a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IRGC100B60KB | - | | 6394 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | IRGC100 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | npt | 600 v | 100 a | 2.1V @ 15V，100a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 63-9019 | - | | 5942 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| IGC15T65QEX1SA1 | - | | 4086 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 死 | IGC15T65 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 650 v | 30 a | 90 a | 2.32V @ 15V，30a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| SIGC15T60EX1SA4 | - | | 1494 | 0.00000000 | Infineon技术 | Trenchstop™ | 大部分 | 积极的 | -40°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 死 | SIGC15 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | 沟渠场停止 | 600 v | 30 a | 90 a | 1.9V @ 15V，30a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IRGC4067EFX7SA1 | - | | 3834 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 死 | IRGC4067 | 标准 | 死 | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | 600 v | 240 a | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| IRG4CC50WC | - | | 4254 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 死 | irg4cc | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | 33 ns | - | 600 v | 27 a | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||
| IRGC100B120UB | - | | 4883 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | IRGC100 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | npt | 1200 v | 100 a | 3.5V @ 15V，100a | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
| IRG4CC80SB | - | | 6542 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C〜150°C | 表面安装 | 死 | irg4cc | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | - | 600 v | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| IRGC4275B | - | | 9442 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜175°C（TJ） | 表面安装 | 死 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | 400V，200A，5OHM，15V | - | 650 v | 1.9V @ 15V，200a | - | 380 NC | 130NS/280NS | ||||||||||||||||||||||||||||
| IGC10T65U8QX1SA1 | - | | 8806 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 积极的 | - | - | - | IGC10 | - | - | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| IRGC20B60KB | - | | 8528 | 0.00000000 | Infineon技术 | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 标准 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 过时的 | 1 | - | npt | 600 v | 20 a | 1.3V @ 15V，4A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IDWD10G120C5XKSA1 | 9.0000 | | 3811 | 0.00000000 | Infineon技术 | COOLSIC™+ | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | IDWD10 | SIC （碳化硅） | pg-to247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 30 | 没有恢复t> 500mA（IO） | 1200 v | 1.65 V @ 10 A | 0 ns | 80 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 34a | 730pf @ 1V，1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | IM393X6FXKLA1 | - | | 5761 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 26-Powersip模块，22条线索，形成铅 | IGBT | IM393x6 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 540 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 2000vrms | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IM393M6EXKLA1 | - | | 1869年 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索 | IGBT | IM393M6 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | SP001675704 | Ear99 | 8542.39.0001 | 450 | 3相逆变器 | 10 a | 600 v | 2000vrms | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IM393X6E3XKLA1 | - | | 3629 | 0.00000000 | Infineon技术 | CIPOS™ | 管子 | 过时的 | 通过洞 | 35-PowerDip 模块（ 0.866英寸，22.00mm），30个线索 | IGBT | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | SP001786910 | Ear99 | 8542.39.0001 | 15 | 3相逆变器 | 20 a | 600 v | 2000vrms |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
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