RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（16626）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	结构	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（av）（av））	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	SCR，二极管的数量	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BSC030P03NS3GAUMA1	2.8000	RFQ	37	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		BSC030		MOSFET （金属 o化物）				PG-TDSON-8-1	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000			P通道						30 V	25.4A（TA），100A（tc）	6V，10V	3mohm @ 50a，10v	3.1V @ 345µA	186 NC @ 10 V	±25V	14000 PF @ 15 V	-	2.5W（ta），125W（tc）
IRF7343QTRPBF	-	RFQ	9892	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IRF734		MOSFET （金属 o化物）	2W			8-so	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000	n和p通道								55V	4.7a，3.4a		50mohm @ 4.7A，10V	1V @ 250µA	36NC @ 10V		740pf @ 25V	-
IPAN60R125PFD7SXKSA1	2.8800	RFQ	2	Infineon技术	CoolMos™PFD7	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		IPAN60		MOSFET （金属 o化物）				pg-to220-fp	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			n通道						650 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 7.8A，10V	4.5V @ 390µA	36 NC @ 10 V	±20V	1503 PF @ 400 V	-	32W（TC）
BCR108SE6327BTSA1	-	RFQ	3550	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	6-VSSOP，SC-88，SOT-363		BCR108			250MW			PG-SOT363-PO	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	50V	100mA					-			2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 500µA，10mA	70 @ 5mA，5V	170MHz	2.2kohms	47kohms
ICD22V04X1SA1	-	RFQ	1699年	Infineon技术	*	大部分	过时的												下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP000986944	过时的	0000.00.0000	1
AUIRR3705Z	-	RFQ	2305	Infineon技术	Hexfet®	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）				TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001519682	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						55 v	75A（TC）	4.5V，10V	8mohm @ 52a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 5 V	±16V	2880 pf @ 25 V	-	130W（TC）
Auirrr3915trl	-	RFQ	4634	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak（TO-252AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	SP001520744	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						55 v	30A（TC）		14mohm @ 30a，10v	3V @ 250µA	92 NC @ 10 V		1870 pf @ 25 V	-	120W（TC）
T360N24TOFXPSA1	-	RFQ	3491	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C	夹紧	DO-200AA，A-PUK		T360N				单身的			下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1				300 MA															2.6 kV	550 a	2 v	5000a @ 50Hz	200 ma	360 a							1 scr
IPB22N03S4L-15ATMA1	-	RFQ	6832	Infineon技术	Optimos™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）				pg-to263-3-2	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道						30 V	22a（TC）	4.5V，10V	14.6mohm @ 22a，10v	2.2V @ 10µA	14 NC @ 10 V	±16V	980 pf @ 25 V	-	31W（TC）
IRF7450TR	-	RFQ	3639	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）				8-so	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道						200 v	2.5a（ta）	10V	170MOHM @ 1.5A，10V	5.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
IPD380P06NMATMA1	2.3500	RFQ	22	Infineon技术	Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IPD380		MOSFET （金属 o化物）				pg-to252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道						60 V	35A（TC）	10V	38mohm @ 35a，10v	4V @ 1.7mA	63 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 30 V	-	125W（TC）
IPDQ65R029CFD7AXTMA1	10.1322	RFQ	3239	Infineon技术	*	胶带和卷轴（（tr）	积极的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响				750
FS150R07N3E4_B11	182.3800	RFQ	68	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块					430 w		标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	三相逆变器																															沟渠场停止	650 v	150 a		1.95V @ 15V，150a			1 MA	是的	9.3 NF @ 25 V
IGC41T120T8QX7SA2	-	RFQ	5197	Infineon技术	Trenchstop™	大部分	积极的					IGC41T120	标准						下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IGC41T120T8Q	Ear99	8541.29.0095	1					-																											沟渠场停止	1200 v		120 a	2.42V @ 15V，40a	-	-
FZ1200R12KE3NOSA1	822.1000	RFQ	58	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					5600 w		标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																															-	1200 v	1700 a		2.15V @ 15V，1.2KA			5 ma	不	86 NF @ 25 V
IPSA70R900P7SAKMA1	0.8500	RFQ	4	Infineon技术	Coolmos™P7	管子	不适合新设计	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IPSA70		MOSFET （金属 o化物）				pg-to251-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75			n通道						700 v	6A（TC）	10V	900MOHM @ 1.1A，10V	3.5V @ 60µA	6.8 NC @ 400 V	±16V	211 PF @ 400 V	-	30.5W（TC）
BTS244Z	1.8100	RFQ	3	Infineon技术	-	大部分	过时的												下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
BFN26E6327	1.0000	RFQ	2428	Infineon技术	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					360兆w			PG-SOT23-3-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																																	300 v	200 ma					100NA（ICBO）				500mv @ 2mA，20mA	30 @ 30mA，10v	70MHz
IRFR12N25DTRPBF	-	RFQ	2319	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载		（1 （无限）	到达不受影响	SP001556902	Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道						250 v	14A（TC）	10V	260MOHM @ 8.4a，10V	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	810 pf @ 25 V	-	144W（TC）
BB565	0.0500	RFQ	4656	Infineon技术	*	大部分	过时的												-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2156-BB565	Ear99	8541.10.0070	3,000
FZ800R12KL4CNOSA1	789.6800	RFQ	102	Infineon技术	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	模块					5700 w		标准	-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关																															-	1200 v	1300 a		2.6V @ 15V，800A			5 ma	不	56 NF @ 25 V
IRLR3636TRLPBF	1.9600	RFQ	1	Infineon技术	Hexfet®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		IRLR3636		MOSFET （金属 o化物）				D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						60 V	50A（TC）	4.5V，10V	6.8mohm @ 50a，10v	2.5V @ 100µA	49 NC @ 4.5 V	±16V	3779 PF @ 50 V	-	143W（TC）
IPA60R180C7	1.0000	RFQ	9557	Infineon技术	coolmos™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）				PG-TO220-3-111	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道						600 v	9A（TC）	10V	180MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 260µA	24 NC @ 10 V	±20V	1080 pf @ 400 V	-	29W（TC）
IRAM136-1060A	-	RFQ	5519	Infineon技术	-	管子	过时的		通过洞	29-Powerssip模块，21个线索，形成铅	IGBT								下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	110	3期					10 a	600 v	2000vrms
DD350N08KHPSA1	-	RFQ	3991	Infineon技术	-	大部分	过时的		底盘安装	模块				标准				模块	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1对系列连接	800 v	350a	1.28 V @ 1000 A	30 ma @ 800 V	150°C
IPG20N06S2L35AATMA1	1.2800	RFQ	5813	Infineon技术	汽车，AEC-Q101，Optimos™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn		IPG20N		MOSFET （金属 o化物）	65W			PG-TDSON-8-10	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）								55V	20A（TC）		35mohm @ 15a，10v	2V @ 27µA	23nc @ 10V		790pf @ 25V	逻辑级别门
FZ1800R16KF4S1NOSA1	1.0000	RFQ	4921	Infineon技术	*	大部分	积极的												-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
IRFH7936TR2PBF	-	RFQ	2429	Infineon技术	-	（CT）	过时的		表面安装	8-POWERTDFN				MOSFET （金属 o化物）				8-pqfn（5x6）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			n通道						30 V	20A（20A），54A （TC）		4.8mohm @ 20a，10v	2.35V @ 50µA	26 NC @ 4.5 V		2360 pf @ 15 V	-
IRGPC40U	-	RFQ	4786	Infineon技术	-	包	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			标准		160 w			TO-247AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25																																-	600 v	40 a		3V @ 15V，20A
irlu7843pbf	0.8618	RFQ	8436	Infineon技术	Hexfet®	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		IRLU7843		MOSFET （金属 o化物）				IPAK（TO-251AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道						30 V	161a（TC）	4.5V，10V	3.3mohm @ 15a，10v	2.3V @ 250µA	50 NC @ 4.5 V	±20V	4380 pf @ 15 V	-	140W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（16626）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²